传中芯国际国产芯片工艺已追上Intel

据科创板日报报道称，中芯国际的第二代FinFET已进入小量试产。

科创板中芯国际在互动平台表示，公司第一代FinFET14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFETN+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。

此外，中芯国际方面还重申，目前公司营运和采购如常。

其实去年11月就曾有消息称，中芯国际已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产，且计划2019年年底前进行12nm FinFET的风险试产。

按照中芯国际当时在2019年Q3季度财报公布的情况，公司第一代FinFET已成功量产，四季度将贡献有意义的营收；第二代FinFET研发稳步推进，客户导入进展顺利。

12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。

前不久，中芯国际在互动平台上也表示，目前公司正常运营，公司和美国相关政府部门等进行了积极交流与沟通。

公司客户需求强劲，订单饱满，第三季度产能利用率接近满载。展望2020年全年，公司的收入目标上修为24%至26%的年增长。全年毛利率目标高于去年。
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