第三代半导体全面爆发，双循环模式推动国产化替代
随着5G、新能源车的快速发展，我国第三代半导体也正面全面爆发。
据第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
市场规模扩大，5G加速推进GaN射频应用迅猛增长，2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元；新能源汽车及消费电子成为突破口，2020年中国电力电子器件应用市场规模58.2亿元。
吴玲建议，探索构建第三代半导体产业创新生态，摸索“平台+孵化器+基金+基地”以及大中小企业融通发展的新模式，加强精准的国际与区域深度合作，共同努力使全链条进入世界先进行列。
需要注意的是，氮化镓的应用范围不只在快充、智能手机等消费类电子领域，还有数据中心、柔性供电等工业领域，以及自动驾驶、车载充电机等汽车领域。如，低压氮化镓可应用于新一代大数据中心，以减少占地、提高功率、降低能耗。
第三代半导体另一个重要产品碳化硅，则将受益于电动汽车行业的快速成长而迎来爆发机会。
责任编辑：PSY
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