初创公司的新X-NAND技术在芯片级别提高了并行度
在2020年闪存峰会上，一家名为Neo Semiconductor的初创公司因其在闪存方面的创新而获得了 最佳展示奖 。该公司表示它可以描述被称为X-NAND的“ 3D NAND的未来架构”。Neo Semi声称其技术的应用“导致QLC NAND具有与SLC NAND相当的读/写性能”。
对于个人电脑游戏玩家和发烧友来说，拥有更快的存储空间和更高的承受能力并不是一个吸引人的目标。Neo Semi表示，其高速，低成本解决方案将为新兴应用程序带来福音，例如AI / ML，5G，实时分析，VR / AR和网络安全
Neo Semi指出，随着闪存NAND存储器从SLC到QLC的容量和可承受性的发展，速度已经“明显变慢”。该公司表示，目前的情况是对于某些需要高速存储访问的应用来说，QLC太慢了。一些公司试图通过使用DRAM和SLC缓存来解决该问题。Neo Semi的技术被称为X-NAND，采用了不同的方法。
X-NAND在芯片级别提高了并行度，从而显着加快了QLC NAND的速度。通常，这将意味着芯片尺寸的显着增加，但是采用X-NAND时，该体系结构已被设计为“页面缓冲区可以同时读取/写入几条位线”。
这项技术听起来很吸引人，但不幸的是，Neo Semi目前没有可工作的原型芯片向投资者展示。为了从合理的理论过渡到实用性，初创企业正在寻找开发伙伴。Neo Semi表示，现有NAND制造商在现有工艺中实现其专利设计并不困难。希望它在闪存峰会上获得的关注意味着它的设计和技术将会取得成果。
责任编辑:tzh
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