台积电2nm工艺取得重大内部突破 有望2024年步入量产

这几年，天字一号代工厂台积电在新工艺进展上简直是开挂一般的存在，7nm工艺全面普及，5nm工艺一路领先，3nm工艺近在眼前，2nm工艺也进展神速。

根据最新报道，台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破，虽未披露细节，但是据此乐观预计，2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产，2024年就能步入量产阶段。

台积电还表示，2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距，同时延续摩尔定律，继续挺进1nm工艺的研发。

台积电预计，苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺。

2nm工艺上，台积电将放弃延续多年的FinFET（鳍式场效应晶体管），甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET（环绕栅极场效应晶体管），也就是纳米线（nanowire），而是将其拓展成为“MBCFET”（多桥通道场效应晶体管），也就是纳米片（nanosheet）。

从GAAFET到MBCFET，从纳米线到纳米片，可以视为从二维到三维的跃进，能够大大改进电路控制，降低漏电率。

当然，新工艺的成本越发会成为天文数字，三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4.8亿美元，3nm GAAFET上会大大超过5亿美元。

台积电很少披露具体工艺节点上的投入数字，但是大家可以放开去想象了……

责任编辑：PSY