0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

韩国本土企业在EUV光刻技术方面取得了极大进展

ss 来源:满天芯 作者:满天芯 2020-11-16 18:07 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据韩国媒体 BusinessKorea 上周报道,韩国本土企业在 EUV 光刻技术方面取得了极大进展。但并没有提到是哪一家企业,合理推测应指代韩国整个半导体光刻产业。

韩国知识产权局(KIPO)发布的《过去10年(2011-2020年)专利申请报告》显示,2014年,向韩国知识产权局(KIPO)提交的与EUV光刻相关的专利申请数量达到88件的峰值,2018年达到55件,2019年达到50件。

特别是,韩国公司正在迅速缩小其在极紫外光刻技术上与外国公司的差距。2019年,韩国本土提出的专利申请数量为40件,超过了国外企业的10件。这是韩国提交的专利申请首次超过国外。2020年,韩国提交的申请数量也是国外的两倍多。

过去10年,包括三星电子在内的全球企业进行了密集的研发,以确保技术领先地位。最近,代工公司开始使用5nm EUV光刻技术来生产智能手机的应用处理器

从公司来看,全球六大公司的专利申请数占了总数的59%,卡尔蔡司(德国)18%,三星电子(韩国)15%,ASML(荷兰)11%,S&S Tech(韩国)8%,台积电(中国台湾)6%,SK海力士(韩国)1%。

从具体技术项目看,工艺技术申请专利占32%,曝光装置技术申请专利占31%,掩膜技术申请专利占28%,其他申请专利占9%。在工艺技术领域,三星电子占39%,台积电占15%。在光罩领域,S&S科技占28%,Hoya(日本)占15%,汉阳大学(韩国)占10%,朝日玻璃(日本)占10%,三星电子占9%。

责任编辑:xj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15891

    浏览量

    182876
  • 光刻机
    +关注

    关注

    31

    文章

    1196

    浏览量

    48735
  • EUV
    EUV
    +关注

    关注

    8

    文章

    614

    浏览量

    88528
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    俄罗斯亮剑:公布EUV光刻机路线图,挑战ASML霸主地位?

      电子发烧友网报道(文/吴子鹏) 全球半导体产业格局中,光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”,而极紫外(EUV光刻技术更是先进制程
    的头像 发表于 10-04 03:18 9390次阅读
    俄罗斯亮剑:公布<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>机路线图,挑战ASML霸主地位?

    白光干涉仪EUV光刻后的3D轮廓测量

    EUV(极紫外)光刻技术凭借 13.5nm 的短波长,成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺,其光刻后形成的三维图形(如鳍片、栅极、接触孔等)尺寸通常在 5-50nm 范围,高
    的头像 发表于 09-20 09:16 538次阅读

    上海光机所在全息光刻研究方面取得进展

    图1 肘形图形为目标图形,不同方法得到的全息掩模分布、空间像与光刻胶轮廓 近日,中国科学院上海光学精密机械研究所高端光电装备部李思坤研究员团队全息光刻研究方面
    的头像 发表于 09-19 09:19 379次阅读
    上海光机所在全息<b class='flag-5'>光刻</b>研究<b class='flag-5'>方面</b><b class='flag-5'>取得</b><b class='flag-5'>进展</b>

    EUV光刻胶材料取得重要进展

    电子发烧友网综合报道 随着集成电路工艺的不断突破, 当制程节点持续向7nm及以下迈进,传统的光刻技术已难以满足高精度、高密度的制造需求,此时,波长13.5nm的极紫外(EUV光刻
    的头像 发表于 08-17 00:03 4009次阅读

    中科院微电子所突破 EUV 光刻技术瓶颈

    极紫外光刻(EUVL)技术作为实现先进工艺制程的关键路径,半导体制造领域占据着举足轻重的地位。当前,LPP-EUV 光源是极紫外光刻机所采
    的头像 发表于 07-22 17:20 822次阅读
    中科院微电子所突破 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技术</b>瓶颈

    CADENAS 2025 年金字塔公司联系博览会上取得圆满成功

    表现出了极大的积极性和好奇心。这种直接的交流和相互了解让我们觉得这次招聘会非常特别! 感谢奥格斯堡大学的活动团队 展会出色的组织工作、友好的氛围以及美味的食物再次给我们留下了深刻印象。每年的金字塔公司招聘会都为我们提供了一个接触年轻人才的绝佳平台,2025 年的招聘会对我们来说又一次
    发表于 06-04 14:32

    清华大学激光干涉光刻全局对准领域取得进展

    图1.拼接曝光加工系统 衍射光栅广泛应用于精密测量、激光脉冲压缩、光谱分析等领域。干涉光刻作为一种无掩膜曝光光刻方法,衍射光栅加工制造方面具有高效率、高灵活度的优势。但干涉
    的头像 发表于 05-22 09:30 504次阅读
    清华大学<b class='flag-5'>在</b>激光干涉<b class='flag-5'>光刻</b>全局对准领域<b class='flag-5'>取得</b>新<b class='flag-5'>进展</b>

    详谈X射线光刻技术

    随着极紫外光刻EUV技术面临光源功率和掩模缺陷挑战,X射线光刻技术凭借其固有优势,特定领域
    的头像 发表于 05-09 10:08 1231次阅读
    详谈X射线<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技术</b>

    EUV光刻技术面临新挑战者

    光源技术方面 EUV光源的波长仅为13.5纳米,远远小于可见光,因此产生和维持如此短波长光源的难度极大。 目前,最成熟的EUV光源是由高纯
    的头像 发表于 02-18 09:31 1897次阅读
    <b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技术</b>面临新挑战者

    国内AI行业近期取得显著进展

    近期,国内AI行业视觉训练和应用层面取得了多项令人瞩目的进展。其中,VideoWorld的纯视觉训练方式LDM(可能是指某种特定技术或模
    的头像 发表于 02-13 11:25 973次阅读

    爱立信电信领域取得重大进展

    近日,爱立信宣布电信领域取得了一项重大进展——将大幅提高移动运营商管理不同环境中的用户连接体验的能力。
    的头像 发表于 02-12 10:34 7122次阅读

    纳米压印光刻技术旨在与极紫外光刻EUV)竞争

    来源:John Boyd IEEE电气电子工程师学会 9月,佳能交付了一种技术的首个商业版本,该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻
    的头像 发表于 01-09 11:31 1125次阅读

    日本首台EUV光刻机就位

    据日经亚洲 12 月 19 日报道,Rapidus 成为日本首家获得极紫外 (EUV) 光刻设备的半导体公司,已经开始北海道芯片制造厂内安装极紫外光刻系统。 它将分四个阶段进行安装,
    的头像 发表于 12-20 13:48 1413次阅读
    日本首台<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>机就位

    国外科研团队X射线科学领域取得了重大突破

    近日,据《自然·光子学》报道,欧洲X射线自由电子激光装置(XFEL)和德国电子同步加速器研究中心团队X射线科学领域取得了重大突破。他们成功生成了前所未有的高功率、阿秒级硬X射线脉冲,且重复频率达到
    的头像 发表于 12-20 09:11 675次阅读

    上海光机所在掺铥钪酸钆脉冲激光研究方面取得进展

    图1 Tm:GdScO3板条激光器实验装置图 近期,中国科学院上海光学精密机械研究所空天激光技术与系统部研究团队Tm:GdScO3脉冲激光研究方面取得了新的
    的头像 发表于 12-12 06:24 647次阅读
    上海光机所在掺铥钪酸钆脉冲激光研究<b class='flag-5'>方面</b><b class='flag-5'>取得</b><b class='flag-5'>进展</b>