0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

12MHz的晶体正好布置在了PCB边缘

电子工程技术 来源:电子工程技术 作者:电子工程技术 2020-11-03 15:10 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

某行车记录仪,测试的时候要加一个外接适配器,在机器上电运行测试时发现超标,具体频点是84MHz、144MHz、168MHz,需要分析其辐射超标产生的原因,并给出相应的对策。辐射测试数据如下:

图1:辐射测试数据 辐射源头分析 该产品只有一块PCB,其上有一个12MHz的晶体。其中超标频点恰好都是12MHz的倍频,而分析该机器容易EMI辐射超标的屏和摄像头,发现LCD-CLK是33MHz,而摄像头MCLK是24MHz;通过排除发现去掉摄像头后,超标点依然存在,而通过屏蔽12MHz晶体,超标点有降低,由此判断144MHz超标点与晶体有关,PCB布局如下:

图2:PCB布局图 辐射产生的原理 从PCB布局可以看出,12MHz的晶体正好布置在了PCB边缘,当产品放置于辐射发射的测试环境中时,被测产品的高速器件与实验室中参考地会形成一定的容性耦合,产生寄生电容,导致出现共模辐射,寄生电容越大,共模辐射越强;而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布,当两者之间电压恒定时,两者之间电场分布越多,两者之间电场强度就越大,寄生电容也会越大,晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下:

图3:PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图

图4:PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 从图中可以看出,当晶振布置在PCB中间,或离PCB边缘较远时,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地之间,即在PCB内部,分布到参考接地板的电场大大减小,导致辐射发射就降低了。 处理措施 将晶振内移,使其离PCB边缘至少1cm以上的距离,并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜,同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相连。经过修改后的测试结果频谱图如下,从图可以看出,辐射发射有了明显改善。

思考与启示 高速的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合,会产生EMI问题,敏感印制线或器件布置在PCB边缘会产生抗扰度问题。 如果设计中由于其他一些原因一定要布置在PCB边缘,那么可以在印制线边上再布一根工作地线,并多增加过孔将此工作地线与工作地平面相连。

责任编辑:lq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • pcb
    pcb
    +关注

    关注

    4391

    文章

    23743

    浏览量

    420767
  • 晶振
    +关注

    关注

    35

    文章

    3442

    浏览量

    72648
  • 寄生电容
    +关注

    关注

    1

    文章

    301

    浏览量

    20199

原文标题:实例分析!晶振为什么不能放置在PCB边缘?

文章出处:【微信号:EngicoolArabic,微信公众号:电子工程技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    晶振为什么不能放置PCB边缘

    晶振为什么不能放置PCB边缘
    发表于 12-05 07:13

    用于 LTE 的功率放大器模块 – 频段 12、17、28 (699 MHz–748 MHz) skyworksinc

    电子发烧友网为你提供()用于 LTE 的功率放大器模块 – 频段 12、17、28 (699 MHz–748 MHz)相关产品参数、数据手册,更有用于 LTE 的功率放大器模块 – 频段 12
    发表于 08-28 18:30
    用于 LTE 的功率放大器模块 – 频段 <b class='flag-5'>12</b>、17、28 (699 <b class='flag-5'>MHz</b>–748 <b class='flag-5'>MHz</b>) skyworksinc

    XTAL晶体振荡器是怎么工作的?一文看懂压电原理与工程应用

    、压电效应是如何实现振荡的? 石英晶体是一种具有压电效应的材料。其物理特性决定特定切割角度与电场激励下,会产生“机械共振”行为。将晶体接入负反馈放大电路后,构成闭环振荡系统。 工程
    发表于 07-23 15:28

    中型数据中心应用平台与差分晶体振荡器参数对照中型数据中心应用平台与差分晶体振荡器参数对照

    针对中型数据中心中网络交换、数据存储与边缘设备的时钟精度、低抖动、高温稳定性与功耗管理需求,FCO系列差分晶体振荡器提供标准型、低抖动(UJ系列)与低功耗(PG系列)多个版本,支持多种封装、电压
    发表于 07-10 14:11

    中型数据中心中的差分晶体振荡器应用与匹配方案

    BCM57414 匹配原因: 支持PCIe Gen4的NIC要求时钟误差极小,FCO-3L高密度部署下提供理想尺寸与热稳定性。 线路布置建议: 布线平衡,接地面连续,避免过多跳层。 3. 存储系统控制器(SAN
    发表于 07-01 16:33

    下一代高速芯片晶体管解制造问题解决

    心存疑虑,根据imec2025年VSLI研讨会上的最新声明,这家研究巨头开发了一种全新的尖端叉片晶体管设计方法,解决制造难题,这将推动晶体管的未来持续发展。 叉片
    发表于 06-20 10:40

    LMV654 四通道、5.5V、12MHz 运算放大器技术手册

    TI 的 LMV65x 器件是采用 TI 先进的 VIP50 工艺实现四通道的高性能、低功耗运算放大器 IC。此系列器件 具有 12MHz 带宽,并且电流消耗仅为 116µA,其带宽功率比是同类
    的头像 发表于 05-22 11:45 784次阅读
    LMV654 四通道、5.5V、<b class='flag-5'>12MHz</b> 运算放大器技术手册

    LMV652 双路、5.5V、12MHz 运算放大器技术手册

    TI 的 LMV65x 器件是采用 TI 先进的 VIP50 工艺实现的高性能、低功耗运算放大器 IC。此系列器件 具有 12MHz 带宽,并且电流消耗仅为 116µA,其带宽功率比是同类运算放大器
    的头像 发表于 05-21 15:28 733次阅读
    LMV652 双路、5.5V、<b class='flag-5'>12MHz</b> 运算放大器技术手册

    27MHz HCSL晶体振荡器选型与PHY对接设计指南

    [FCO5L02700033HDY00](FCom富士晶振 FCO-5L-27MHz HCSL差分振荡器-FCom富士晶振-电子发烧友网):27MHz差分晶体振荡器在网络交换设备与路由器中的应用方案
    发表于 04-09 12:27

    PCB 边缘连接器:高速性能

    本文要点PCB边缘连接器是实现高速数据传输和模块化组装的首选系统集成解决方案。电路板边缘和连接器之间的适当匹配中,需要采用斜切工艺来保护连接器引脚。
    的头像 发表于 03-21 13:53 990次阅读
    <b class='flag-5'>PCB</b> <b class='flag-5'>边缘</b>连接器:高速性能

    HA-2600型12MHz、高输入阻抗运算放大器应用笔记

    的信号处理。通过外部调零电位计,可以进一步减少输入偏移。12MHz 单位增益带宽、7V/μs 转换速率和 150kV/V 开环增益使 HA-2600 能够对快速宽带信号进行高增益放大。这些动态特性
    的头像 发表于 02-24 17:41 949次阅读
    HA-2600型<b class='flag-5'>12MHz</b>、高输入阻抗运算放大器应用笔记

    DSX530GA:表面贴装型晶体谐振器/MHz晶体谐振器〈汽车电子用〉

    深圳鸿合智远|DSX530GA:表面贴装型晶体谐振器/MHz晶体谐振器〈汽车电子用〉
    的头像 发表于 02-19 10:24 558次阅读
    DSX530GA:表面贴装型<b class='flag-5'>晶体</b>谐振器/<b class='flag-5'>MHz</b>带<b class='flag-5'>晶体</b>谐振器〈汽车电子用〉

    DSX1210A:表面贴装型晶体谐振器/MHz晶体谐振器

    深圳鸿合智远|DSX1210A:表面贴装型晶体谐振器/MHz晶体谐振器〈汽车电子用〉
    的头像 发表于 02-12 10:26 633次阅读
    DSX1210A:表面贴装型<b class='flag-5'>晶体</b>谐振器/<b class='flag-5'>MHz</b>带<b class='flag-5'>晶体</b>谐振器

    FE1.1S的国产替代芯片DPU1.1S 高性能、低功耗4口高速USB2.0HUB控制器芯片 USB拓展坞等应用之选

    DPU1.1S是一款高性能、低功耗4口高速 USB2.0 HUB 控制器,上行端口兼容高速 480MHz和全速12MHz两种模式,4个下行端口兼容高速480MHz、全速12MHz、低速
    发表于 01-24 12:16

    用乘法DAC做正弦波衰减调幅,正弦波VREF为+-5.5V.可是当信号频率到1MHz时经过DAC后就严重失真,怎么解决?

    12MHz/+-3.5VREF. 是因为DAC带宽不够么? 以上蓝色是输入基准电压信号,黄色是设置输出500mV的信号。是因为DAC带宽不够么? 有没有合适的乘法DAC推荐呢? 如果调节三角波呢.三角波通过傅里叶变换还会有更高频分量,是不是要求更严苛呢? 还请各位工程师前辈给予点拨,谢谢!
    发表于 12-18 07:48