深科技:加速国内存储器芯片封测的深度国产化

10月20日，深科技发布投资者调研相关信息，该公司已有深圳、苏州、惠州、东莞、成都、马来西亚、菲律宾等产业基地，公司产能持续扩张，东莞三期、重庆产业项目、桂林制造基地、马来西亚二期均在建设中。

深科技作为目前国内唯一具有从集成电路高端DRAM / Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业，近年来持续发展先进封装测试技术，深入推进国家级存储项目，并与国内龙头存储芯片企业开展了全面的战略合作。

据悉，深科技专注存储封测16年，在存储器DRAM方面具备世界最新一代的产品封测技术，封测技术水平与国际一流企业同步；在WBGA、FBGA、FCBGA存储封装形式的工艺水平始终保持紧跟世界先进水平，目前主力产品包括3D NAND，DDR4， LPDDR4等；封装能力覆盖存储类全产品线，拥有精湛的多层堆叠封装工艺技术；拥有强大的系统级SiP封测能力可支持5G技术，积极支持国内自主可控的芯片封测产业链。可基于现有系统级封装技术，将不同功能不同种类的晶片整合到一个芯片内，实现设计特种功能。广泛应用于多产品线与应用行业，比如5G芯片，射频相关通讯类芯片，以及消费电子主芯片等应用。面对国内外存储芯片向高速、低功耗、大容量发展的趋势，公司继续推动DDR5、GDDR5等新产品的技术开发。

值得关注的是，近期，深科技发布2020年度非公开发行A股股票预案，公司拟非公开发行不超89，328，225股股票，募资不超171，000万元，扣除发行费用后将全部用于存储先进封测与模组制造项目。

据了解，本项目技术来源于深科技全资子公司沛顿科技自主研发与长期积累，沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等，现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术，最大单颗芯片容量可达到256G。

目前，沛顿科技主要从事动态随机存储（DRAM）、闪存（Flash）芯片、嵌入式存储产品、SSD和指纹逻辑芯片的封装和测试业务，目前主要为wBGA、DDR3、DDR4，eMCP、USB、SSD闪存芯片以及指纹逻辑芯片等提供封测服务，是国内唯一具有从高端DRAM/Flash/SSD存储芯片封测到模组、成品生产完整产业链的企业。

谈及此项目的预期回报，深科技表示，据公司测算，该项目全面达产后，预计可实现年产值28.63亿元，项目税后内部收益率为15.22%，投资税后静态投资回收期为7.59年。

本项目实施后，可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务，有助于国内存储器芯片封测的深度国产化。随着本次募投项目的实施，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模，促进我国存储器产业链发展。
责任编辑:tzh