第三代半导体龙头三安光电拟收购北电新材，强化碳化硅衬底布局

2020年8月19日，三安光电公告三安光电股份有限公司全资子公司湖南三安半导体有限责任公司拟以现金38,150.00万元收购福建省安芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）（持股比例为99.50%）和泉州安瑞科技有限公司（持股比例为0.50%）合计持有的福建北电新材料科技有限公司100%股权。

公司于2020年8月18日召开第十届董事会第三次会议，审议通过《关于全资子公司购买资产暨关联交易》的议案，同意公司全资子公司湖南三安以现金38,150.00万元收购安芯基金和安瑞科技合计持有的北电新材100%股权。

湖南三安分别与安芯基金、安瑞科技签署了《股权转让协议》。公司2020年1-7月与北电新材发生交易金额7,931,977.13元,过去12个月与北电新材发生的交易金额为11,177,523.08元。

北电新材最近一年又一期的主要财务数据如下：

	总资产	净资产	净利润	营业收入
2019年度	11,417.92	10,843.75	-2,674.38	353.14
2020年1-6月	14,426.25	14,902.43	-1,766.97	304.37

（单位：万元人民币）

亚化咨询资料显示，北电新材于2019年拟投资约5.8亿元在福建安溪县湖头镇横山村建设碳化硅衬底生产项目，租赁了福建晶安光电有限公司已建的应用厂房作为生产经营场所。项目主要从事碳化硅衬底的生产，项目规划年产能3.6万片（折合6英寸）

项目规划的产品方案

产品名称	计划产能
碳化硅衬底 （折合6英寸）	N型SiC衬底	2.4万片/年
半绝缘SiC衬底	1.2万片/年
合计	3.6万片/年

2020年7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。根据公告显示，项目投资总额160亿元，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，在甲方园区研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

2020年7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。项目预计于2020年完成一期项目建设并实现投产。

碳化硅衬底主要可有导电型及半绝缘型两种。其中，在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层可以制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于5G通讯、雷达等领域。

来源：天科合达招股说明书

与半导体硅片发展情况类似，碳化硅衬底也在不断向更大尺寸发展。随着全球6英寸碳化硅衬底生产技术的成熟完善、产品质量与稳定性的逐步提高，预计未来下游外延及器件厂商对于碳化硅衬底的需求将逐渐从以往的4英寸产品为主过渡到6英寸产品为主。在8英寸碳化硅衬底尚未实现成熟商业化的前提下，预计未来几年内6英寸碳化硅衬底产品将成为碳化硅衬底市场的主流。

而伴随着新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等行业的快速发展，碳化硅器件及碳化硅基氮化镓器件产品的需求也将不断攀升，从而拉动全球碳化硅衬底的需求。

碳化硅衬底的生产工艺难度极高，产业存在较高的技术壁垒。目前，碳化硅衬底产业重心主要在美国。以导电型碳化硅衬底为例，2018年美国占有全球碳化硅衬底产量的70%以上，仅Cree一家就占了一半以上的市场份额。

中国碳化硅衬底领域的研究从20世纪90年代末开始，在行业发展初期受到技术水平、设备规模产能的限制，未能进入工业化生产。21世纪，中国企业历经20年的研发与摸索，已经掌握了2-6英寸碳化硅衬底的生产加工技术。

近年来，以山东天岳、世纪金光、天科合达为首的国内各地多个碳化硅衬底项目陆续签约、开工、投产，并在国家大基金、哈勃投资等支持下，中国碳化硅衬底产业迎来了蓬勃式发展。三安光电收购北电新材完成后，中国SiC衬底项目情况如下所示：

第三代半导体技术、材料、设备与市场论坛定于2020年9月8-9日在厦门召开。

会议由亚化咨询主办，多家国内外龙头企业重点参与。会议将讨论全球第三代半导体市场、技术情况及产业发展机遇，中国第三代半导体产业布局及项目规划，SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展，新能源汽车等产业对SiC器件的需求，GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用，GaN在快充市场中的发展及替代情况,其他化合物半导体材料如GaAs等等相关内容。