华虹半导体95纳米eNVM工艺平台可靠性大幅提升

集微网7月20报道，华虹半导体有限公司95纳米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工艺平台通过不断的创新升级，技术优势进一步增强，可靠性相应大幅提升。

华虹半导体95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器（MCU）、物联网（IoT）等领域，具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术，95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则，获得了同类产品芯片面积的缩小；逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%，达到业界领先水平；所需光罩层数较少，能够提供更具成本效益的解决方案。同时，95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能，存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平；低功耗器件驱动能力提高20%，仅用5V器件可以覆盖1.7V至5.5V的宽电压应用。

华虹半导体持续深耕，95纳米SONOS eNVM采用全新的存储器结构以及优化操作电压，大大提高了阈值电压的窗口。在相同测试条件下，SONOS IP的擦写能力达到1000万次，可靠性提升20倍；在85℃条件下，数据保持能力可长达30年，处于国际领先水平。华虹半导体致力于持续优化工艺水平，在提升数据保持能力条件下，同时提升擦写次数，更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。

此外，随着高可靠性工艺平台及衍生工艺受到青睐，公司基于SONOS工艺的eNVM更可以涵盖MTP（Multi-Time Programmable Memory）应用。通过简化设计、优化IP面积和减少测试时间等，在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力上比MTP性能更优，更具竞争力。在此基础上增加配套的可选器件，进一步满足电源管理和RF类产品的需求。