0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

西西 来源:博客园 作者:The Pisces 2020-07-20 16:46 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

CMOS电路因其在在功耗、抗干扰能力方面具有不可替代的优势,以及在设计及制造方面具有简单易集成的优点而得到广泛应用。如今,在大规模、超大规模集成电路特别是数字电路中早已普遍采用CMOS工艺来来进行设计与制造。

一、CMOS门电路设计规则

静态的CMOS电路的设计有着一定的规则,而正是这些规则使得其电路的设计变得非常简单。如图所示,COMS电路中最主要的部分是上拉网络PUN(Pull Up Net)和下拉网络PDN(Pull Down Net),这两个网络内部结构是对称互补的,或者说是对偶的。所谓的对称互补,即是指下拉网络中全是NMOS,而上拉网络中全是PMOS,两者数量相同;并且,下拉网络中组成“与”逻辑的MOS管,在上拉网络中对应的为“或”逻辑,在下拉网络中组成“或”逻辑的MOS管,在上拉网络中对应的为“与”逻辑。由于互补,上拉网络与下拉网络不会同时导通。

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

由于结构是互补对称的,CMOS电路的功能可以由下拉网络或者上拉网络单独来确定。对于下拉网络,先根据各个NMOS的串并联关系列出表达式,最后整体取反一下(取反是因为下拉网络为真时输出是低电平0);对于上拉网络,先将各个输入取反,再根据各个PMOS的串并联关系写出表达式。其中,串联为与,并联为或。

设计的过程则刚好反过来,先根据功能确定逻辑表达式,再选择下拉网络或者上拉网络中的一个作为切入点,根据与或关系确定MOS管的串并联,将其中一个网络画出来,最后根据互补关系画出另外一个网络。

二、CMOS异或门的设计举例

下面以异或门为例,讨论一下CMOS异或门的设计方法以及其中的一些技巧。

(1)确定功能。可以根据真值表、时序图等来确定。下表为异或门的真值表,当两输入信号相同时,输出为低电平;输入不同时,输出为高电平。

(2)确定逻辑表达式。异或门的逻辑表达式 :

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

(3)画出下拉或上拉网络。以下拉网络为切入点,这时要先对表达式处理一下,变为某个式子的非的形式,因为下拉网络算出来的表达式最后要取反一下:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

这样,就可以根据大非号下面的式子来搭建PDN电路:

如图所示,由于A和B是与的关系,所以连接A和B的MOS管NM3和NM4要串联,和也是如此。由于与是或的关系,所以由NM3、NM4组成的串联和NM5和NM6组成的串联最后要并联在一起。至此下拉网络设计完成。

(4)根据互补关系确定另外一个网络。

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

这一步就比较简单了,在PDN中A和B对应的MOS管是串联的,那么在PUN中就变成并联的,即PM3和PM4;和同样;最终将两个并联组合串联起来。

(5)将PDN和PUN组合起来,加上电源和地,如图:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

图中左侧是两个反相器,用于产生非信号。

为了便于分析,图中的连线都是用标号代替的,下图是一个完整的电路:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

至此,一个完整的CMOS异或门电路设计完成。当然,后续还会有MOS管宽长比、掺杂等方面的设计,这些不在这里讨论。

三、另一种设计思路

以上是根据表达式:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

来进行设计的,对上式进行变换可以得到:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

根据这个式子可以设计出与上例不同的电路:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

该电路与前一种电路实现相同功能,只是在结构上PUN和PDN与前一种电路互换了一下,没有本质上的区别。

四、优化设计

下面介绍一种优化设计方法。

继续对异或门的逻辑表达式进行变换,得到:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

这里,将A与B的非作为一个整体,用一个独立的与非门来实现,电路图如图所示:

数字电路中CMOS工艺进行设计与制造技术

可以看到,前面两种电路都用了12个MOS管,而这个电路只用了10个MOS管就实现了异或门的功能。可别小看减下来的这两个MOS管,在大规模集成电路设计中,这种门电路的使用是非常普遍的,若是一个系统中能有百十个这样的门电路,那这种优化在减小芯片面积和降低成本方面将会为产品带来非常大的优势。

下面分析一下这样优化的原理。前两种电路中,逻辑表达式都包含了A、B、A非、B非四种信号,但是电路的原始输入只有A和B两种,因此要搭建产生A非和B非的电路,也就是搭建两个非门。而每个非门需要两个MOS管,所以产生A非和B非需要额外的四个MOS管。加上实现逻辑表达式功能的8个MOS管,一共12个。

而在第三种电路中,变化逻辑表达式消去了A非和B非,用A与B的非来代替,只需额外设计一个与非门,4个MOS管。由于A与B的非作为一个信号进行运算,相当于逻辑表达式中只有三个输入,一共需要6个管子,加起来一共10个。

也就是说,在逻辑表达式中,若果能够将信号合并使得输入端出现尽可能少的信号种类,那么就有可能减少整个门电路的MOS管个数。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • CMOS
    +关注

    关注

    58

    文章

    6245

    浏览量

    243640
  • 反相器
    +关注

    关注

    6

    文章

    333

    浏览量

    45411
  • 数字电路
    +关注

    关注

    193

    文章

    1669

    浏览量

    83610
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    集成电路芯片制造工艺技术演变

    扩散等晶体管制造技术逐渐走向成熟,为集成电路发明及其制造工艺发展奠定了基础。本节将简要讨论集成芯片制造
    的头像 发表于 05-07 13:48 256次阅读
    集成<b class='flag-5'>电路</b>芯片<b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>工艺技术</b>演变

    AISOP 在制造工艺工程的四大典型应用场景

    (希望知舟技术) 已成为制造工艺工程数字化转型的基础设施。 AISOP 在以下方面体现出稳定价值: · SOP 编制效率提升 60%–80% · 参数遗漏率降低 80% 以上 ·
    发表于 05-07 12:07

    芯片制造核心工艺的类型介绍

    IC芯片半导体工艺制造技术作为集成电路产业的核心支撑,其发展始终围绕高性能器件研发与工艺精度提升展开,形成涵盖硅片制备、氧化、光刻等关键环节
    的头像 发表于 04-22 15:03 1649次阅读
    芯片<b class='flag-5'>制造</b>核心<b class='flag-5'>工艺</b>的类型介绍

    芯片制造硅片的表面处理工艺介绍

    硅片表面热处理作为半导体制造调控材料特性、消除加工应力的核心工序,其技术演进紧密围绕IC工艺微细化需求展开,涵盖常温退火与高温快速退火两大路径。
    的头像 发表于 03-24 16:45 414次阅读
    芯片<b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>中</b>硅片的表面处理<b class='flag-5'>工艺</b>介绍

    数字电路和模拟电路的差异解析

    运行,都离不开两大基础电子电路的支撑:数字电路与模拟电路。很多人在接触电子技术时,都会产生一个疑问:数字电路和模拟
    的头像 发表于 03-14 09:47 645次阅读
    <b class='flag-5'>数字电路</b>和模拟<b class='flag-5'>电路</b>的差异解析

    集成电路制造工艺的刻蚀技术介绍

    本文系统梳理了刻蚀技术从湿法到等离子体干法的发展脉络,解析了物理、化学及协同刻蚀机制差异,阐明设备与工艺演进对先进制程的支撑作用,并概述国内外产业格局,体现刻蚀在高端芯片制造的核心地
    的头像 发表于 02-26 14:11 1181次阅读
    集成<b class='flag-5'>电路</b><b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>工艺</b><b class='flag-5'>中</b>的刻蚀<b class='flag-5'>技术</b>介绍

    集成电路制造中常用湿法清洗和腐蚀工艺介绍

    集成电路湿法工艺是指在集成电路制造过程,通过化学药液对硅片表面进行处理的一类关键
    的头像 发表于 01-23 16:03 2549次阅读
    集成<b class='flag-5'>电路</b><b class='flag-5'>制造</b>中常用湿法清洗和腐蚀<b class='flag-5'>工艺</b>介绍

    在电子制造的高精度领域中,芯片引脚的处理工艺

    互相替代,而是电子制造精密工艺体系互为补充的关键环节。企业应结合自身在产业链的定位(如主营封装或专注组装),以及具体工艺瓶颈,合理引入如
    发表于 10-30 10:03

    芯片引脚成型与整形:电子制造不可或缺的两种精密工艺

    或维修环节。例如,在芯片被贴装到电路板之前,或在返修站处理拆下的芯片时,对因操作变形的引脚进行修复,确保其可焊性与连接可靠性。 三、技术实现:共性的差异化追求尽管目标不同,但两类设备
    发表于 10-21 09:40

    集成电路制造薄膜刻蚀的概念和工艺流程

    薄膜刻蚀与薄膜淀积是集成电路制造功能相反的核心工艺:若将薄膜淀积视为 “加法工艺”(通过材料堆积形成薄膜),则薄膜刻蚀可称为 “减法
    的头像 发表于 10-16 16:25 3849次阅读
    集成<b class='flag-5'>电路</b><b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>中</b>薄膜刻蚀的概念和<b class='flag-5'>工艺</b>流程

    高速数字电路设计与安装技巧

    内容简介: 详细介绍印制电路板的高速化与频率特性,高速化多层印制电路板的灵活运用方法,时钟信号线的传输延迟主要原因.高速数字电路板的实际信号波形,传输延迟和歪斜失真的处理,高速缓冲器IC的种类与传输
    发表于 09-06 15:21

    晶圆制造的退火工艺详解

    退火工艺是晶圆制造的关键步骤,通过控制加热和冷却过程,退火能够缓解应力、修复晶格缺陷、激活掺杂原子,并改善材料的电学和机械性质。这些改进对于确保晶圆在后续加工和最终应用的性能和可靠
    的头像 发表于 08-01 09:35 3114次阅读
    晶圆<b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>中</b>的退火<b class='flag-5'>工艺</b>详解

    CMOS的逻辑门如何应用在电路

    CMOS的逻辑门如何应用在电路 前言 在如今的电子电路CMOS逻辑门有着接近零静态功耗和超
    的头像 发表于 06-19 16:07 2024次阅读
    <b class='flag-5'>CMOS</b>的逻辑门如何应用在<b class='flag-5'>电路</b><b class='flag-5'>中</b>

    CMOS图像传感器的制造步骤

    传感器虽然与传统的 CMOS电路的用途不同,但整个晶圆制造环节基本上仍采用CMOS工艺,只是将纯粹逻辑运算功能变为接收外界光线后转变为电信号
    的头像 发表于 06-18 11:40 2604次阅读
    <b class='flag-5'>CMOS</b>图像传感器的<b class='flag-5'>制造</b>步骤

    CMOS超大规模集成电路制造工艺流程的基础知识

    本节将介绍 CMOS 超大规模集成电路制造工艺流程的基础知识,重点将放在工艺流程的概要和不同工艺
    的头像 发表于 06-04 15:01 3224次阅读
    <b class='flag-5'>CMOS</b>超大规模集成<b class='flag-5'>电路</b><b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>工艺</b>流程的基础知识