基于CMOS平台提供PMUT制造工艺

据麦姆斯咨询报道，总部位于马来西亚的全球半导体和MEMS代工厂SilTerra近日宣布，可以基于CMOS平台提供PMUT（压电式MEMS超声波换能器）制造工艺。客户现在即可使用SilTerra的单片集成PMUT工艺设计指南进行换能器芯片设计，以满足新兴的超声波传感应用需求。作为大规模生产PMUT器件计划的一部分，SilTerra以类似于其它CMOS工艺（例如SRAM，MIM和HRPoly）的模块化概念，开发并验证了PMUT器件。因此，MEMS设计人员和ASIC设计人员都可以灵活地使用这些CMOS和MEMS工艺设计指南来开发其产品原型，并加快批量生产的时间。

SilTerra新工艺平台打造的PMUT器件

SilTerra在PMUT器件制造工艺中引入了新选项，客户现在可以选择使用纯氮化铝（AlN）或掺钪氮化铝（ScAlN）薄膜作为超声波换能器的压电层来制造其PMUT产品原型。SilTerra还为超声波换能器设计提供建模和仿真服务，从而使客户能够快速验证和优化他们的设计。

为了实现具有成本效益和设计灵活的产品原型制造服务，SilTerra向其客户提供多层掩膜（MLM）方法，该方法可减少产品原型制造所需的掩模数量以及相关成本。

“汽车、消费和医学成像应用的最新发展有望推动市场对超声波传感器的需求。我们正在世界一流的代工厂中提供具有成本效益的PMUT产品原型制造服务，以使我们的客户能够在短时间内将其产品推向上述市场。” SilTerra科学业务部MEMS和Sensor资深副总裁Arjun Kumar Kantimahanti说道。

SilTerra是一家半导体和MEMS晶圆代工厂，于2001年开始商业化生产，其代工厂位于马来西亚的Kulim高科技园区，并在美国加州圣何塞和台湾新竹设有销售和营销办事处。SilTerra提供CMOS逻辑、高压、混合信号和射频器件制造和设计支持服务。

通过将其核心CMOS工艺扩展到硅光子、MEMS、BCD、电源和氮化镓（GaN）等先进的“超越摩尔”技术中，SilTerra为消费电子、生命科学、数据通信、汽车和工业等领域开发未来的“希望之星”产品。作为一家纯晶圆代工，SilTerra在IC Insights全球排名中位列第17位，其设计产能为每月46,000片8英寸晶圆，能够支持尺寸小于90nm的技术。