海康威视被曝使用回收的NAND闪存颗粒；红魔风冷+液冷降温幅度达18度…

1、海康威视被曝使用西部数据回收NAND闪存颗粒

知名数码博主 @Blood旌旗 在微博中爆料，固态硬盘厂商海康威视使用西部数据回收的NAND闪存颗粒。这已经不是海康威视第一次出现这样的问题，在黑猫投诉上发现，有用户投诉海康威视c2000固态就涉嫌虚假宣传，宣传颗粒为东芝颗粒，实际颗粒为镁光颗粒。

此前海康威视C2000 Pro还因为“换芯”引来争议，海康威视发布了广告，表示自家的主力产品C2000 Pro产品线做了更新，从颗粒到主控芯片变化都非常大，但新的方案却被网上一些人解读为降级。

有用户进行投诉，海康威视暂未对此事进行回复。

2、合肥首个第三代半导体产业项目落地

近日，产投资本管理的语音基金与北京世纪金光半导体有限公司（简称“世纪金光”）签署投资协议并完成首期出资，标志着合肥首个第三代半导体产业项目正式落地。随着碳化硅产业化日趋成熟，产投资本紧抓第三代半导体发展机会，抢先布局。本次，产投资本作为领投方参与世纪金光C轮融资，对合肥市半导体产业升级和技术创新有重要意义。世纪金光是国内第三代半导体领军企业，成立于2010年，总部位于北京经济技术开发区，是国家大基金在第三代半导体领域投资的重点企业之一。

3、行业唯一风冷+液冷主动散热系统，红魔5G降温幅度达18度

红魔5G游戏手机配备ICE 3.0立体多维散热系统，是行业唯一风冷+液冷主动散热系统。全新升级的高效能离心风扇，转速达15000转/分。超静音散热风扇采用1克超轻纳米材料，风扇流量达0.21CFM，采用无刷电机，风扇静压达5.610mmH2O。

红魔5G液冷散热采用行业领先的L型液冷管，综合下来，最高降温幅度达18度，远超友商。

4、一周两次熔断创历史，美股暴跌，苹果挫10%、

3月13日消息，据外媒报道，美国时间周四，美国股市再次暴跌。科技股是市场抛售中受打击最严重的股票之一，投资者对其对需求和供应链的影响感到不安。在美国股市周四交易中，苹果股价收于248.23美元，下跌了9.88%；谷歌母公司Alphabet股价收于1114.91美元，下跌了8.27%；亚马逊收于1676.61美元，下跌了7.92%。

美国芯片龙头股普遍大跌10%以上，英特尔收于45.54美元，下跌了11.85%；高通（Qualcomm）收于67.02美元，下跌了10.81%；博通收于218.78美元，下跌了11.05%；德州仪器收于97.53美元，下跌了8.42%；美光科技收于38.81美元，下跌了11.23%；英伟达收于216.31美元，下跌了12.24%；AMD收于39.01美元，下跌了14.64%。

5、一加手机将投资3000万美元用于5G研发
3月13日消息，据国外媒体报道，周四公布的一份报告称，为了在5G到来时代给自己做好技术储备，智能手机制造商一加手机(OnePlus)将投资近3000万美元，用以提升和改进其5G研发实验室。
这份报告表示，这些资金将用于射频电路、天线和多媒体等领域技术的开发。

6、Strategy Analytics：2020年AirPods有望出货9000万套

研究机构Strategy Analytics发布预测称：2020年AirPods出货量有望增长50%，达到9000万套。然而这个预测数据基于2019年销量6000万部的事实，业内分析师认为2019年实际并没有达到这个水平。

7、阿里云：向全球免费开放病毒检测服务，最快60秒内完成基因对比

3月13日消息阿里云今日对外宣布，将向全球医疗科研机构、疾控中心等一线病毒研究机构免费开放云上病毒比对服务。

阿里云表示，该服务可大幅提升病毒基因检测效率，最快只需60秒即可完成包括新冠病毒在内的任意病毒基因对比工作，对进一步了解病毒变异提供有效依据。

8、欧洲旅行禁令将出台，特斯拉撤回柏林超级工厂所有美国员工

3月13日消息，据外媒报道，由于担心新型冠状病毒在德国蔓延，以及美国总统唐纳德·特朗普（Donald Trump）即将出台欧洲旅行禁令，电动汽车制造商特斯拉正撤离在德国柏林建设4号超级工厂（Gigafactory 4）的美国员工。

9、泰格豪雅推出Connected 2020系列运动追踪智能手表

TAG Heuer 刚刚发布了该公司的第三代 Wear OS 设备，其中 Connected 系列着重于超值的运动追踪和可穿戴体验。继去年的 Connected Modular 高尔夫版之后，新款 Connected 智能手表的外形看起来很像是一块传统的 45mm 产品，但其实在 OLED 触屏后隐藏了一组新的传感器。

10、顺义第三代半导体材料及应用联合创新基地项目复工

据北京日报报道，日前，顺义区第三代半导体材料及应用联合创新基地项目复工，预计今年六月底竣工，目前正在进行的是小市政施工作业。

第三代半导体材料及应用联合创新基地项目总建筑面积71570平方米。其中，其中地上55370平方米，地下16200平方米。一期工程为2号生产实验车间及其地下，总建筑面积为32597平方米。二期工程为1号、3号生产实验车间、地下车库及气瓶储存间。