台积电5nm量产顺利，3nm工艺4月揭秘

台积电在芯片工艺制成方面的进展相当不错，不仅率先实现了7nm的量产，而且5nm也马上实现大规模量产，并进行商用。关于台积电5nm进度情况，台积电CEO魏哲家在财报分析师电话会议上透漏了进度。

魏哲家表示，台积电目前话没有大规模量产5nm芯片，但已经研发多年，并且早已进行了试产。目前5nm工艺进展非常顺利，将会于今年上半年实现大规模量产，下半年产能会有比较显著的提升。

相比7nm工艺，5nm在晶体管密度方面提升了80%，速度提升20%，当然这些数据都是理论值。今年5nm将会为台积电带来10%的营收，如果不出意外，第一款采用台积电5nm的芯片将会是苹果的A14。

3nm具体情况4月公布，将决战三星

上周台积电宣布2020年的资本开支是150到160亿美元，其中80%将投向先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm。这次说法会上台积电没有公布3nm工艺的情况，因为他们4月份会有专门的发布会，会公开3nm工艺的详情。

台积电的3nm工艺技术最终选择什么路线，对半导体行业来说很重要，因为目前能够深入到3nm节点的就剩下台积电和三星了，其中三星去年就抢先宣布了3nm工艺，明确会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管技术。

具体来说，三星的3nm工艺分为3GAE、3GAP，后者的性能更好，不过首发的是第一代GAA晶体管工艺3GAE。根据官方说法，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

在2019年的日本SFF会议上，三星还公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

三星计划在2030年前投资1160亿美元打造半导体王国，由于在7nm、5nm节点上都要落后于台积电，所以三星押注3nm节点，希望在这个节点上超越台积电成为第一大晶圆代工厂，因此三星对3GAE工艺寄予厚望，最快会在2021年就要量产。

至于台积电，在3nm节点他们也大举投资，去年宣布斥资195亿美元建设3nm工厂，2020年会正式开工，不过技术细节一直没有透露，尤其是台积电是否会像是三星那样选择GAA晶体管或是会继续改进FinFET晶体管，这两种技术路线会影响未来很多高端芯片的选择。