近红外硅光电二极管灵敏度更高，误差率不超过1%

盖世汽车讯 据外媒报道，韩国浦项工科大学（Pohang University of Science and Technology）的一组研究人员已经研发出近红外（NIR）硅光电二极管，比现有的光电二极管灵敏度高出三分之一。

现有的近红外光电二极管通常由化学材料制成，需要单独的冷却装置，很难集成。而浦项工科大学Chang-Ki Baek教授领导的一组研究人员采用沙漏型的硅纳米线，增加了硅对红外光的吸收。

位于纳米线上方，倒转的纳米锥通过产生回音壁式共振，延长了近红外-短波红外（SWIR）光子的停留时间，而下方的纳米锥由于反射率低，能够重新吸收附近纳米线的入射光。

与现有的平板硅光电子二极管相比，该纳米线在1000纳米波长下，对近红外光的反应增加了29%。研究人员将新研发的光电二极管用于移动心率测量系统中，结果发现，与现有的光电二极管相比，新型光电二极管的灵敏度更高，而且误差率不到1%。

用于制造光电二极管的硅能够以低成本量产，潜在的应用包括用于自动驾驶车辆的激光雷达、医疗激光器、夜视、图像传感器等。