新唐科技N9H30F51I简介
N9H30F51I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin和216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H30F51符合 -40℃至85℃工业温度规格，主要应用为工业自动化控制、人机介面(HMI)
关键特性:
|
|
规格数据
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
新唐科技
+关注
关注
16文章
1091浏览量
43376 -
嵌入式主板
+关注
关注
7文章
6107浏览量
37159
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
onsemi FDP51N25与FDPF51N25 MOSFET深度解析
onsemi FDP51N25与FDPF51N25 MOSFET深度解析 在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们将深入探讨安森美（onsemi）的两款N沟道
探索onsemi NTLJS4D9N03H：高性能N通道MOSFET的应用与特性
，我们将深入探讨onsemi的NTLJS4D9N03H，一款30V、6.1mΩ、15.9A的单N通道MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。 文件下载
探索 NTMFSC2D9N08H：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选
探索 NTMFSC2D9N08H：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选 在电子设计领域，MOSFET 作为关键元件，其性能直接影响着整个电路的表现。本次我们将深入探讨安森美（onsemi
探究NTP095N65S3H MOSFET：特性、性能与应用
）的NTP095N65S3H MOSFET，看看它有何独特之处，能为我们的设计带来怎样的优势。 文件下载： NTP095N65S3H-D.PDF 产品简介 NTP095N65S3H是一
STMicroelectronics EV-VN9E30F评估板技术解析与应用指南
STMicroelectronics EV-VN9E30F评估板简化了ST VIPower M0-9 SPI技术与现有系统的集成。STMicroelectronics EV-VN9E30F预装
n9h30f61iec的 ADC 功能无法正常工作，怎么解决？
我正在使用 n9h30f61iec，其中您的 ADC 功能无法正常工作
0,1,2,3 ADC通道示例代码不好
发表于 09-04 08:12
【RA4M2-SENSOR】—— 9.电总协议
\\\\r\\\\n\",index);
}
static void SerialSend41h(void)
{
uint16_t checksum = 0;
uint8_t i = 0
发表于 09-01 06:39
评论