苹果将推出新款Macbook Pro，16英寸将取代15英寸版本
（文章来源：牛科技网）
外媒彭博社近日在最新的报道中提到，苹果将在本月15日发布新的Macbook Pro产品，用来替代目前15英寸版本的Macbook Pro，新款Macbook Pro将会在12月正式上市。
之所以区别于15英寸的Macbook Pro，是因为这次Macbook Pro将搭载一块16英寸的显示屏，除了屏幕尺寸的提高，新款Macbook Pro还将采用重新设计的键盘，这应该是Macbook Pro产品近三年来最重要的一次更新了。虽然屏幕尺寸提升为16英寸，加上了重新设计的键盘，但苹果并没有打算对Macbook Pro的价格进行升级，仍然维持在15英寸Macbook Pro的水平，起售价为2399美元，而未来16英寸版本也将会取代15英寸版本。
即使苹果对Macbook Pro进行了尺寸的升级，但Macbook Pro可能还将是采用单热管设计，而网友吐槽的散热也许不会因为尺寸的增大而有所好转。
（责任编辑：fqj）
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
笔记本
+关注
关注
15文章
2731浏览量
77107 -
苹果
+关注
关注
61文章
24586浏览量
207476
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
DLP472NE：0.47英寸全高清数字微镜器件的深度解析
DLP472NE：0.47英寸全高清数字微镜器件的深度解析 在电子科技飞速发展的今天，数字微镜器件（DMD）在显示技术领域扮演着越来越重要的角色。TI的DLP472NE 0.47英寸全高清数字微镜
AR光波导+先进封装双驱动，12英寸碳化硅静待爆发
电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅在近期产业内迎来两大新需求：AI眼镜市场爆发，推动碳化硅AR光波导镜片量产节奏；为了进一步提高散热效率，英伟达决定在下一代Rubin GPU中，将用碳化硅中介层
12英寸碳化硅衬底，会颠覆AR眼镜行业？
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年以来，各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品，包括晶锭和衬底，加速推进12英寸SiC的产业化。最近，天成半导体宣布成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料；晶越半导体也
12英寸SiC，再添新玩家
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在SiC行业逐步进入8英寸时代后，业界并没有停下脚步，开始投入到12英寸衬底的开发中。 去年11月，天岳先进率先出手，发布了行业首款12英寸碳化硅衬底；一个月后，烁
微软推出全新Surface Windows11 AI+ PC Surface Laptop 13 英寸和Surface Pro 12英寸
和 Surface Pro，12 英寸。这两款设备将以更低的价格把超薄、轻便且强大的 Windows 11 AI+ PC 带给更多用户，开启 Surface 创新的新篇章。 去年 5 月，我们推出了一
12英寸碳化硅衬底，又有新进展
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日，由西湖大学孵化的西湖仪器成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业的降本增效。 碳化硅产业当前主流的晶圆
环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定
近日，环球晶董事长徐秀兰表示，主流6英寸碳化硅（SiC）衬底的价格已经稳定，但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8英寸SiC衬底，尽管2025年对SiC的市场预期仍较为保守，但2026年
8.0英寸串口屏800*480分辨率基本型TFT真彩色触摸液晶屏
8.0英寸串口屏带系统定制UI界面，真正Modbus串口通信协议 8.0英寸串口屏800*480分辨率基本型TFT真彩色触摸液晶屏
苹果新款MacBook Pro或将于今秋搭载M5芯片
近日，苹果公司计划在2025年秋季推出搭载全新M5芯片的新款MacBook Pro。这一消息引起了广泛关注，预示着
镓仁半导体成功实现VB法4英寸氧化镓单晶导电掺杂
VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶
丰田合成开发出8英寸GaN单晶晶圆
近日，日本丰田合成株式会社宣布了一项重大技术突破：成功开发出用于垂直晶体管的200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。
苹果着手开发新款MacBook Air，将采用氧化物TFT LCD
紧密合作，共同推进这一创新项目。 预计新款MacBook Air将在2027年正式推出，这将是苹果首次在其备受瞩目的MacBook Air产
晶驰机电8英寸碳化硅电阻式长晶炉顺利通过客户验证
近日，晶驰机电开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉顺利通过客户验证，设备稳定性和工艺稳定性均满足客户需求。 8英寸碳化硅晶验收晶锭 技术创新，引领未来 此次推出的8英寸碳化硅电
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。
结构概述
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构主要由以下几个部分组
工商网监
评论