中国半导体存储器开始生产 NAND之后DRAM大规模生产计划揭晓

中美贸易争端下的中国半导体趋势成为一个热门话题。随着福建晋华，华为等事件的发生，我国开始更加坚定发展自己的半导体产业，DRAM制造商合肥长鑫，福建晋华，紫光集团旗下长江存储，江波龙已经开始自行设计生产DRAM。

JHICC在美国禁运下自行开始准备生产DRAM

去年11月，美国司法部对联电和福建晋华（JHICC）的员工进行了起诉。在此之前，10月29日，又以国家安全为由，美国商务部将JHICC列入了出口限制清单，并禁止美国公司与JHICC公司打交道。这使得美国设备制造商（如Applied Materials，Lam Research，KLA等）无法正常为JHICC提供生产设备，导致后者最后被迫停止运营。

但是，JHICC似乎最近已经开始准备复兴。在韩国，它招募了为三星和SK海力士工作的DRAM工程师，在中国和中国***地区，它招募了从电路设计到设备维护的数十人。

由于美国的制造设备提供商无法提供现场工程支持，JHICC将尽力招募尽可能多的工程人员来优化生产线设备设置和参数设置。可以猜测的是，他们的目标是使已进入休眠状态的DRAM生产线复苏。据***市场趋势研究公司TrendForce称，JHICC将于明年年底开始生产，但最初的生产规模预计不到每月10,000个。

在突然到来的日韩出口争端中，韩国半导体公司受到日本相关材料禁运的影响，有传言称韩国的半导体存储产品线将会受到冲击。该事件似乎对中国的DRAM制造商来说是个利好信息。

DDR4 DRAM经过两轮终于开始生产

另一家DRAM制造商，合肥市长鑫存储技术有限公司（CXMT）已开始小规模生产DDR4 8G位DRAM，并准备批量生产用于智能手机的LPDDR4 DRAM。据说到2021年以后，月产量将达到100,000或更多。

尽管该公司担心被美国困住，但并未采用***华亚（现在的美光内存***）开发的技术，更改了技术引进政策，并更换了管理团队。该公司最终收购了奇梦达的46nm堆栈结构DRAM（已开发但尚未发布）。

公开资料显示，CXMT与兆易创新达成了合作协议，共同开发19nm工艺的DRAM内存，去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品，今年Q3季度推出8Gb LPDDR4内存样品，年底正式量产，月产能将达到2万片晶圆。

长江存储将于年底启动DRAM大规模生产工厂建设

紫光集团旗下长江存储YMTC一直在开发和制造DRAM，除了今年年底开始量产的3D NAND业务外，该公司已经开始行动，重新进入DRAM业务。6月30日，成立了一个新的DRAM事业部，***原DRAM制造商Inotera Memories（现为美光技术***公司）的首席执行官Charles Kao担任了CEO。8月27日，DRAM事业部的总部在重庆两江新区成立，并与重庆市人民政府合作设立了DRAM研发中心和DRAM批量生产工厂。

据了解，紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂主要专注于12英寸DRAM存储芯片的制造，该工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。在芯片工厂建成前，紫光集团先期在现有芯片工厂内设立产品中试生产线，进行产品生产工艺技术研发，待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。

江波龙（FORESEE）微存储新品DDR3L正式量产！

11月13日，江波龙电子（FORESEE）宣布面向智能电子终端设备应用的微型嵌入式DRAM存储新品DDR3L开始投产，读写速率满足主流应用1866Mbps需求，最高可达2133Mbps。同时DDR4产品已开始纳入研发进程。

据悉，目前FORESEE微存储DDR3L产品已在海思、中兴微、瑞芯微、全志、Amlogic、国科微、国芯等平台主控端完善认证，为不同应用场景提供芯片级支持。

预计2020年国产DRAM全球占比不到3％

在中国，韩国SK Hynix正在无锡开始大规模生产DRAM，但明年国产DRAM产品的生产仍然非常有限。根据TrendForce的最新预测，中国存储器制造商在2020年的DRAM产量仅不到全球产业投入的3％。

但有必要强调一点，继NAND之后，DRAM大规模生产计划的轮廓变得清晰起来，中国很可能最终将成为存储大国。但是，可能需要花更多时间确定国产存储器制造商何时会对DRAM市场的全球供需平衡产生显着影响。