三星发力!提振FD-SOI产业信心

三星在发现FD-SOI工艺的优势后迅速进入FD-SOI代工领域（这跟我们本土某些代工厂游移不定，瞻前顾后形成鲜明对比），在获得了ST Micro的28纳米FD-SOI工艺许可后，利用它创建了三星的28纳米FDS工艺，28 FDS于2015年投入生产，目前正在大批量生产17种产品。在上届论坛上，三星没有公布未来蓝图计划，让业界怀疑它在FD-SOI工艺上处于观望， 不过，今年的论坛上，三星高级副总裁Gitae Jeong公布了三星18FDS更多细节，让业界信心大振，我看到很多业者都露出了会心的微笑。

Gitae Jeong表示，现在产业界正在向第四次革命迈进，在第四次产业革命中，FD-SOI可以扮演着至关重要的作用。首先对于IoT系统来说，年复合增长率将达20%以上，包括处理器、传感及连接都有对低功耗和低价格的需求。他表示未来IoT芯片将是多IP组成的单芯片，包括eMRAM、逻辑以及射频等组成存储、处理及连接等系统，以实现最低功耗和最小封装尺寸。

基于这样的发展趋势，三星电子制定了长期的FD-SOI工艺发展计划，这是三星电子在FD-SOI工艺的规划！

在工艺发展上，三星采取的是稳扎稳打的节奏，目前第一阶段是针对物联网应用，主打28LPP+eFlash+RF，第二阶段是28FDS+eMRAM+RF，它将是28nm最具竞争力的产品，相比较28LPP，速度提升25%。到明年初，三星18FDS将会正式问世，相比28FDS，速度进一步提升20%，同时面积减少35%。到了2020年，RF/eMRAM结合的产品将会大规模问世。

Gitae Jeong特别强调了28FDS目前已经实现了95%的良率！在射频方面优势明显，28FDS可以覆盖毫米波28GHZ，38GHZ 到70-85GHZ范围产品，而且第一代5G毫米波蜂窝射频产品（28GHZ收发器）就是在28FDS上验证的，他举例说某客户前一代 产品采用40nm工艺，改用28FDS后，射频功耗下降了76%，处理器功耗下降了65%！

他特别强调了三星代工厂的SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）生态系统，这是一个多方协作的，用于友好的生态系统，通过和不同的IP、EDA、设计服务公司合作，提供基础库，目前已拥有众多经过验证的IP平台。

Gitae Jeong公布了三星18 FDS更多技术细节，利用三星28FD-SOI的量产经验结合14nm的后道工艺联合实现，突出的特点是低功耗低成本，更小的逻辑单元以及针对IOT优化的工艺，所以未来它可为MCU/IoT产品提供集成RF和eMRAM的能力，使其具有更小尺寸、更低功耗和更低价格。

他透露相比28FDS，18FDS可以实现50%以下功耗，65%的面积以及22%的性能提升。他表示与体硅工艺相比，FD-SOI工艺有更高的本征增益，而且有更低的闪烁噪声（1/f噪声）和晶体管失配，堪称是模拟设计方面最佳工艺。这些在实际中都已经得到了验证。

老张认为三星18FDS的推出可能真会改写MCU未来发展历史了，目前MCU多采用130nm，65nm，55nm工艺，很多厂商对于提升MCU工艺兴趣不大，认为高级工艺让MCU面积更小，更便宜更不容易赚钱，而FD-SOI通过强大的集成能力降低了芯片成本并大大降低了功耗，估计很多MCU厂商会考虑跟进，如果MCU器件倒向FD-SOI工艺，则FD-SOI真的会迎来大爆发！本土MCU厂商中谁会是第一个采用FD-SOI工艺的呢？