对于无处不在的存储器产业 任何动静都会引发国内厂商猜想

存储器在连续两年走高之际，开始掉头释放出下探信号。虽然强周期波动的存储器价格起伏是正常，但对于仍在计划量产的国内三大厂商而言，若产能都如期释放，而届时市场供过于求之势不减，那么价格战将一触即发。国内厂商如何耐得住亏损，不断加强后续的资金投入？

对于无处不在的存储器产业，任何“风吹草动”都会引发敏感猜想。而存储器在连续两年走高之际，开始掉头释放出下探信号，有分析宣称DRAM需求逐渐趋缓，库存、定价压力与日俱增，而NAND闪存供过于求，价格将进一步走低，主导厂商三星、SK海力士亦推迟扩产来抑制价格下跌之势。作为存储器市场的两大主力，DRAM、NAND为何同时来到下降基点？这对于国内如火如荼大举压境的厂商而言究竟是福是祸？

持续两年上涨之后首次下探

作为名副其实的电子行业“原材料”，存储器行业有着强周期特点，在经历了几十年的起伏之后，已基本形成了寡头垄断格局。在过去两年，这些寡头尝到了不少的甜头。

Gartner统计显示，2017年存储市场营收增加将近500亿美元，市场规模达1300亿美元，较2016年大增61.8％。与之相对应的是价格上涨之势惊人，DRAMeXchange指出，2017年DRAM价格上涨超过四成，同期NAND的价格涨幅也近四成。NAND的主要市场为PC机内存（如DDR）和手机内存（如LPDDR）。

由此，存储器王者三星得偿夙愿，凭借存储价格的高涨，取代霸占半导体营收排名榜首20多年的英特尔，成为新的半导体霸主。要知道，2017年光是三星的存储营收就增加近200亿美元。

今年第一和第二季度，DRAM依然持上涨之势，三星、SK海力士和美光等厂商也都先后宣布了扩产计划。但最近局面似乎有所转变：相关分析师指出，存储器价格走低，一方面是PC、移动设备和数据中心这三大应用产品的需求动能在过去几周明显趋缓，这恐怕会让第三季度报价一路走低。另一方面，由于需求降温的关系，三星电子、SK 海力士的库存也在增加。

表现在DRAM层面，RBC分析师Amit Daryanani认为由于三星、SK海力士增产的影响，预估2018年、2019年的DRAM供给量将分别上扬20%、20-25%。这将为市场带来压力，而需求也将相对收缩，外资相继调降美光目标价，并预计美光2019会计年度的毛利率，将因NAND、DRAM均价受挫而萎缩约200个基点。

NAND遭遇了同样困境。Baird分析师Tristan Gerra指出，下半年智能手机市场出货表现将相对疲弱，NAND闪存的供给过剩情况将日益恶化。因而有分析师说2019年上半年NAND价格将重挫11~13%，而且这位分析师认为目前的存储定价周期与2014年末到2015年初情况相似，当时也出现存储器需求大跌的状况。

这也引发产业链相关企业股市应声下跌，不止是美光，相应的设备股、封测股也均受到波及，显示市场对一波行情的一致看衰。

以延后扩产应对

虽然有关厂商以及相关协会仍强调存储器的需求会持续强劲，但此时的价格松动究竟是市场一时“兴起”，还是整体下滑开始的一个发端？从全球来看，存储器行业总体呈向上趋势却始终处于周期性波动中，甚至出现远高于半导体产业平均值的巨幅波动，宏观经济、应用走势、供给策略等都在影响存储器的波形。

对于这一走向，知名半导体专家莫大康分析说，存储器价格起伏是正常，不可能持续像2017年那样疯涨，所以价格下降是正常。

与之相呼应的是，头部厂商不约而同的对策。DRAM经过几十年的周期循环后，玩家从80年代的40~50家，已巨变成为三星、SK海力士和美光三强。而在NAND闪存阵列中，也已是三星、东芝/闪迪、西部数据、美光和SK海力士的天下。

据悉，三星与SK海力士已在延后扩产。在上月中，三星宣布，将原订本季完成每月增产3万片DRAM计划延至今年底。这一举措有需求放缓要为DRAM价格形成支撑的因素，但或亦有技术难度提升需要时间解决良率问题的原因。

同时，消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划，新产能难以在2019年上半年上线。

由于三星和SK海力士对全球的存储市场拥有很高的市场份额，他们的这些决定释放出很强的信号。这对正在紧锣密鼓量产的国内厂商而言，究竟有何波及效应？

国内厂商加紧备战

由于国内在存储器领域基本没有话语权，因而存储器的大幅度涨价让中国着实 “很受伤”。记者查阅资料发现，2016年7月，一个DDR4-2133 DRAM芯片的平均合同价格为1.31美元；而到现在，行情已上涨至7.56美元，这样的“飞跃”实在难以承受。

因而，一方面，在国家政策和资金扶持下的中国存储企业正在快马加鞭加快量产；另一方面，则在加强进行反垄断调查。由于三星、SK海力士与美光在DRAM市场囊括约96%的市场占有率，继去年年底三星遭发改委约谈之后，中国反垄断机构前几个月前又约谈了美光。未来反垄断调查的事件可能将持续发生，并或从侧面抑制存储器涨幅。

今年对于中国存储产业而言是关键节点，在NAND闪存为主的长江存储、专注于手机内存的合肥长鑫以及利基型内存的福建晋华三大阵营中，量产正开足马力加快进行。

从进度来看，长江存储将在2018年底量产32层64G的NAND 闪存，2019年量产64层128G，并同步研发128层256G。在DRAM方面，合肥长鑫计划于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年第三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片/月。而福建晋华正使用12英寸晶圆制造DRAM，最快9月试产。

如果这些产能都如期释放，而届时市场供过于求之势不减，那么价格战将一触即发，这意味着对存储器行业的高额投入在短期内并不能带来可观回报，国内厂商能否耐得住亏损，不断加强后续的资金投入？毕竟这种挑战当是常态。更何况，诚如莫大康所言，实现量产只是第一步，关键要看年销售额是否能接近10亿美元，产能达4万片/月。这才能表明生产线能立足，而何时能实现亦是一大问题。

短时间内，中国存储企业并不会对三星、美光等构成威胁，但随着中国存储产业的快速推进，这些厂商将举起价格战、专利诉讼战甚至反周期战的大棒不断夹击，在这一拉锯战中，国内三大厂商要冲锋“技术自主研发”与“稳定量产规模”两大“高地”仍需时间的磨练，真正逆袭依然面临诸多挑战。但目前存储器已到了历史转移的节点上，把握这一机遇，由逆向设计到创新，由低端到高端，已是国内存储器业的必然之路，唯有义无反顾。