FLASH存储器怎样写入数据

　　MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段，其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节，其他段有512字节。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同，从0xFFFFh开始，每512字节为一段进行分配。

　　FLASH存储器写入数据时，每一位只能由“1”变成“0”，不能由“0”变成“1“，因此，当我们有数据要保存到FLASH存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址写入数据，及擦除一段。

　　void flash_clr（int *ptr）

　　{

　　_DINT（）; //关中断

　　FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁

　　FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除

　　*（（int *） ptr） = 0; //* 擦除段

　　}

　　FLASH存储器可以按字节写入，也可以按字写入。

　　// 字节写入

　　void flash_write_int8（int8_t *ptr， int8_t value）

　　{

　　_DINT（）;

　　FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁

　　FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入

　　*（（int8_t *） ptr） = value; // 写入数据

　　}

　　// 字写入

　　void flash_write_int16（int16_t *ptr， int16_t value）

　　{

　　_DINT（）;

　　FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

　　FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

　　*（（int16_t *） ptr） = value; /* Program the flash */

　　}

　　FLASH存储器可以连续写入

　　// 按字节写入指定的数量的数据

　　void flash_memcpy（char *ptr， char *from， int len）

　　{

　　_DINT（）;

　　FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

　　FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

　　while （len）

　　{

　　*ptr++ = *from++;

　　len--;

　　}

　　}

　　在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中，例如：

　　typedef struct Setup

　　{

　　float gain_ch0; // 0通道增益

　　float gain_ch1; // 1通道增益

　　float gain_ch2; // 2通道增益

　　…

　　char init_flag; //初始化标记，恒为0xAA;

　　}SETUP;

　　我们定义了一个SETUP结构，存放三个AD通道的增益，以及其他要掉电保存的信息，init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化，当我们设置了FLASH参数后，将init_flag置一个固定值，例如设为0xAAh，在程序开始运行时，检查init_flag，当init_flag的值为0xAAh时，表明参数已被初始化。

　　使用FLASH参数：在程序中定义一个SETUP类型的指针变量，通过这个指针访问FLASH中的参数。例如：

　　#define SegmentA 0x1080

　　float temp;

　　SETUP *p_setup_flash = （SETUP *） SegmentA

　　if（p_setup_flash-》 init_flag == 0xAA）

　　{

　　temp = p_setup_flash-》gain_ch0;

　　}

　　修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一样直接修改，可以将FLASH信息拷贝到RAM中，修改相应参数后，重新保存到FLASH存储器中，之前要先擦除FLASH存储区。例如：

　　SETUP *p_setup;

　　SETUP buf; // 临时变量

　　p_setup = （SETUP *） SegmentA // 指向FLASH

　　memcpy（（char *） buf， （char *） p_setup_flash， sizeof（SETUP））; // 拷贝到RAM

　　p_setup = &buf; // 指向RAM

　　p_setup-》 gain_ch0 = 1.02; // 修改参数

　　flash_memcpy（（char *） p_setup_flash， （char *） buf， sizeof（SETUP））; // 拷贝到FLASH