我国三大存储力量渐成 未来发展引人瞩目

　　近日，东南大学网站的一则《北京兆易创新-合肥共建项目招聘简章》受到行业内关注，尽管事后兆易创新发布澄清说明，称其与合肥长鑫及其相关方的合作项目目前仅处于初期接触阶段，却仍然说明了兆易创新有意扩大在存储器产业发展力度的事实，再加上紫光集团+武汉新芯成立的长江存储，以及联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华，中国大陆已经存在三股致力于存储器产业发展的力量。这些力量未来的发展演变将持续引人瞩目。

　　三大存储力量逐渐建成

　　近来，中国大陆在存储器领域的发展再次火热起来，其中最引人关注的是合肥方面的动作。据称，合肥相关方面投资的合肥长鑫公司将投入约500亿元，在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂晶圆生产线。另有消息称，北京兆易创新也将加入该项计划。尽管事后兆易创新发布澄清说明，称目前仅处于初期接触阶段。但这些信息也说明了合肥正在尽力形成一个存储器产业的发展聚集地。

　　另外，中国其他两个存储力量的动作也不小。紫光集团/长江存储董事长赵伟国日前透露，由紫光参与投资总额达240亿美元的武汉存储器芯片基地不久即将开工，预计2018年建设完成，月产能约20万片，到2020年基地总产能将达30万片/月、2030年达到100万片/月，成为世界级存储器生产基地。

　　福建晋华集成则与联电签订技术合作协定，由联电协助其生产利基型DRAM。目前新建的12英寸厂房已经动工，初步产能规划每月6万片，估计2017年年底完成技术开发，2018年9月试产。

　　由此，中国大陆有关存储器产业已经逐渐形成三股力量，并正在发展之中。

　　专利与人才是重要挑战

　　尽管中国大陆在发展存储器产业的道路上已经迈出第一步，然而未来的前景尚不好预测。首先，在市场方面，根据最新的DRAMeXchange数据，受到智能手机加载内存容量需不断增长的影响，第三季度移动式内存总产值达45.88亿美元，季增16.8%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷预计今年第四季度移动式内存在DRAM总营收占比中仍将持续扩大。

　　在NAND闪存方面，同样受到智能手机需求影响，第三季度NAND闪存开始涨价，使得NAND厂商营收季度增长19.6%，营业利润率环比大幅增加。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季度各类电子终端设备的出货量将进入年度高峰期，预估整体NAND闪存将呈供不应求的状况，NAND闪存的合约价格涨幅将会更高。也就是说，受移动市场的带动，内存市场有望在较长时间内保持旺盛需求。而未来在云计算大数据的驱动下，数据中心建设发展方兴未艾，对存储器的需求将会持续增加。这对中国存储产业的发展是一个利好。

　　然而，从产业方面讲，无论是DRAM还是NAND Flash都处于高度垄断，即便是有可能带来产业变革机会的3D NAND产品，目前国际存储大厂也在不断垒高技术壁垒。目前，三星在3D NAND方面处于领先地位，主流技术已经是64层的3D NAND，且其3D NAND产出己经占到其NAND总出货量的40%。东芝公司的追赶也很快。东芝计划在2017年3D NAND占NAND产出的50%，2018年达80%。国际企业给中国大陆发展存储产业的机会窗口期将不长。

　　技术人才的缺乏也是中国大陆发展存储产业的短板之一。记者在与DRAMeXchange分析师交流时，其多次表示，人才将是中国大陆发展存储业的一个瓶颈。几乎在相同时间，有三家大型存储厂建设，未来对半导体工程师的需求是庞大的。所以，未雨绸缪，建立存储器的人才培养机制，方是长久之计。

　　另外，自行开发存储器的技术难度很高，取得合法的存储器专利技术授权十分关键。近期业内时有关于中国大陆厂商与国际大厂洽谈技术授权的传闻，尽管这些消息很快便被公告否认，但从侧面也可证明，存储器专利技术授权问题的重要性与敏感性。

　　坚持与合力是成功的先决条件

　　“这是一条最为艰难之路，因为仔细思考，目前的中国大陆除了有决心积极投资外，在技术与人才等关键要素上都不具备，再加上全球存储产业的垄断性，中国发展存储的挑战是巨大的，只有狠下一条心，丢掉一切幻想，加强自主研发。”半导体专家莫大康表示。

　　但是，莫大康亦指出，想做好存储器，首先要认识到这将是一场坚持战。他表示，存储产业的特征就是起伏大，价格进入下降周期，不是处于全球领先地位的企业，面临巨损的几率非常大。

　　当企业出现亏损时，而且是连续数年之后，还要能够说服自己以及股东继续投资发展。“所以中国存储器产业要取得成功，必须踏踏实实地进行研发，以及遇到亏损时要坚持，再坚持。”莫大康说道。

　　其次，就是要做好几家企业的协调发展。目前中国大陆已经逐渐形成三大力量投入存储产业。所有人都知道发展存储需要高投入，这是一个资金、技术、人才高度密集的行业。只有做好几家企业间的协调工作，国内企业间要先形成合力，才能有成功的希望。至少要避免内部之间严重的内耗情况发生。