存储器的分类及其区别

存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM则是非易失性存储器， ROM可分为EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory等。

RAM: 即Random Access Memory随机存储内存。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。SRAM静态存储器（Static Random Access Memory,SRAM）利用双稳态触发器来保存信息的，DRAM动态存储器（Dynamic Random Access Memory）利用MOS电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。我们常说手机的运行内存指的就是DDR-DRAM.

SRAM: SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级cache，二级cache。 SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。

DDR SDRAM; (Double Data Rate synchronous dynamic random-access memory)：双倍速率同步动态随机存储器,DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。现在使用较多的是DDR3,DDR4,LPDDR4,DDR5,LPDDR5等。

ROM: （Read-Only Memory）即只读内存，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

EEPROM：最典型的电可改写非挥发性存储器，它具有电可编程、可擦/写、使用灵活等优点。Flash memory和EEPROM都是电可擦写可编程的存储器，EEPROM在很多STM32单片机中得到使用，一般是128KB，16KB这种容量比较小，一般用来保存用户数据（在运行中可改变的数据）

FLASH(NAND FLASH ,NOR FLASH) : 它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势）, 用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）.

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。一般小容量的用NOR Flash（常见为16M,64M,128M等等），因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息。而大容量的用NAND FLASH（常见为4Gb,8Gb等等）常用来存放数据。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

NOR FLASH&NAND FLASH: NOR flash占据了容量小的闪存市场，而NAND flash只是用在Gb等大容量产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。

以下是NOR/NAND FLASH的区别：

对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别如下：

总的来说，对与用户来说，EEPROM和FLASH没有大的区别，只是EEPROM是低端产品，容量低，价格便宜，但是稳定性较FLASH要好一些，但FLASH设计工艺以及在原理使用上教复杂。

EMMC： (Embedded Multi Media Card）即嵌入式多媒体卡。EMMC相当于NAND FLASH+FLASH CONTROLLER.EMMC容量8Gb，16Gb比较多，容量比较大,在嵌入式硬件设计和现在的手机中使用较多。和我们日常生产生活中使用的TF/SD卡比较类似。

一个典型的系统配置是：采用ddr3的内存，配置若干容量的nor flash用于存储bootloader，一定容量的nand flash用于存储内核、文件系统等大容量数据。具体容量和使用场合、成本控制相关，若不记成本全用nor flash做存储也没关系。