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公平竞争，中国半导体人没有怕过谁。
半导体存储芯片分类浅述
提到存储器，我们不会陌生，最早我们听的CD，看的DVD就属于光学存储器。以前老式电脑用的方形磁盘，软盘就属于磁性存储器。但也有可能现在很多年轻人对这些老古董没有概念，特别是CD和软盘，现在已经很难在市场上看到。因为无论是光学存储器还是磁性存储器都干不过半导体存储器。半导体存储器以其稳定的质量，高速的存储速度，相同存储容量下更小的体积，可选择性更广的存储容量和存储应用种类等优点逐步发展成为目前应用领域最广，市场规模最大的存储器件。
NAND Flash
半导体存储芯片属于通用型集成电路，是集成电路中规模占比最大的细分产品之一。根据WSTS 的统计数据，2021年全球集成电路规模约为4608亿美元，其中存储芯片就占到了超过3成，达到了1538亿美元。其中DRAM和NAND FLASH两大类存储芯片合计占到了其中的97%，余下的NOR FLASH占了2%,其它存储芯片合计占比仅1%。 存储芯片按断电后是否能保留住存储的数据，分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。 易失性存储芯片，顾名思义就是容易丢失数据的存储芯片。但不要误解，这并不是说这类存储芯片的质量有任何的问题，而是因为其存储技术特点造成的。主要的易失性存储芯片有DRAM和SRAM两种。DRAM因为是通过电容冲放电来读取数据，所以需要不断充放电刷新，一旦断电，保存的数据就会消失。SRAM虽然不需要反复刷新，主要通过更为复杂的设计来读取和保持数据，但一旦断电，也会导致信号不断衰减到不可读取。虽然SRAM速度更快，能耗更低，但因为其设计复杂导致容量小，价格贵，所以只用在高带宽，低功耗的场景。比如CPU内部的一级缓存和内置的二级缓存。应用最广泛就是DRAM，其高速，低成本，高容量的特点给予了产品高性价比，广泛用于计算机，手机，服务器的运行数据保存应用领域。通俗来说就是电脑和手机里的内存条和内存模组就是DRAM存储器。
海力士韩国新FAB厂
和易失性存储芯片对应的就是非易失性存储芯片，很容易理解就是在断电后一样可以持续保存数据信息的存储芯片。比如我们日常生活中普遍使用的U盘和移动硬盘，就是典型的非易失性存储芯片产品。非易失性存储芯片可以分为闪存，就是FLASH 和只读存储器两大类。Flash是市场主流，其又可以按存储单元结构和原理的不同分为NAND FLASH和 NOR FLASH。NAND是NOTAND的缩写，代表是与非， NOR是NOTNOR的缩写，代表是或非。两相比较，NAND FLASH 的存储单元尺寸更小，密度更高，单位容量成本更低，读写速度快，具有更长的寿命，被大量应用在电脑，手机，固态硬盘，服务器等领域。这种属于非易失性存储芯片的NAND FLASH和前面提到的属于易失性存储芯片的DRAM，这两种存储芯片就占了全球半导体存储芯片市场规模的97%。
时任美国司法部长Jeff Sessions在新闻发布会上宣布对盗取美光商业机密的一家中国公司采取刑事执法行动
而这1538亿美元的全球半导体存储芯片市场，基本被几家外资半导体大厂瓜分，全球存储芯片市场进一步集中。同时我国作为半导体集成电路消费大国，2021年全年进口半导体集成电路4326亿美元，位居单一商品进口额第一。其中存储芯片进口总额1196亿美元，占全年半导体芯片进口总额的27.6%。可以说中国每年买了全世界生产的存储芯片一半的量。中国政府和企业为了扭转这一局面，近二十年投入了大量的资金和人力，也受到了以美国为首的西方国家和头部存储厂商的打压，从早年的福建晋华案，到最近的对长江存储和长鑫存储被制裁，想要从存储芯片打开突破口还有长期的硬仗要打。
中国是全球最大的半导体单一市场
福建晋华案（上）
前面我们提到，全球每年的存储芯片的市场规模在1600亿美元左右，而且随着高性能计算机，服务器，边缘计算，智能穿戴市场，物联网和车联网全球市场规模的不断做大，存储器市场将迎来爆发式的增长。 存储芯片作为通用型集成电路，产品自主性强，需求量大适合规模化生产，产品价格和市场行情具有周期性特点，因此全球存储芯片市场长期以来就是各国政府和企业的必争之地。 在我们之前提到日本半导体产业紧急强化法案的时候我们就谈到之前日本半导体产业的崛起，在八十年代日本半导体出口一度占据全球半导体市场一半的量，培养出日立，NEC，富士通，三菱和东芝一系列半导体大厂。最风光的时期，日本企业占领全球DRAM市场90%以上的份额，规模效益帮助日本企业直接把DRAM的价格打到地板价，也直接打的英特尔和AMD宣布退出DRAM市场竞争。在日本企业高歌猛进之时，美国政府直接出手，逼迫日本政府先后签订广场协议和美日半导体协议，又通过扶持韩国三星和半导体反倾销调查直接干废了日本半导体产业。替代的是韩国半导体企业的崛起。这些在前面谈韩国半导体政策和日本半导体产业法案的时候都详细提到过，有兴趣的小伙伴可以在喜马拉雅搜索大国阳谋-半导体芯片说去收听下。
全球存储芯片市场规模
目前的存储芯片主要是被美韩两国的企业瓜分。前面提到的NAND FLASH和DRAM两大类存储芯片市场呈现出高度集中化的特点。根据OMDIA的数据，2020年NAND FLASH 98%的全球市场由韩国三星，日本铠侠，美国美光，韩国SK海力士，美国英特尔六家公司瓜分。其中海力士收购了英特尔的NAND FLASH业务，占比达到20%，仅次于三星的34%。而DRAM市场因为极高的资金，技术和专利壁垒，更呈现出高度垄断形势，全球近95%的市场份额被三星，海力士和美光三家企业占据。
韩国半导体巨头擅长反周期投资，进一步打击对竞争对手
中国作为存储芯片消费大国，每年花费在在进口存储芯片的资金超千亿美元。面对被外资垄断的存储芯片市场，尝尽大厂动不动就以停电，设备检修，火灾等借口进行断供和要求涨价行为的国内各行业，可以说天下苦三星尔等久矣！加上存储芯片特别是DRAM的制程技术相对成熟，理所当然的被中国政府和企业定为重点国产替代目标。 2016年2月，泉州，晋江两级政府拉上福建省电子信息集团，晋江能源投资集团有限公司共同出资近60亿美元，通过成立福建晋华在福建省晋江市计划建设12英寸DRAM产线，规划目标产能每月六万片。并与台湾联电签订合作协议，晋华提供3亿美元委托联电采购专用设备，再提供4亿美元主要依靠联电研发32纳米DRAM制程技术，不但设备都放置在联电的南科12A厂，而且研发成功的技术也将由联电和晋华共同所有。简单来说就是晋华出钱，联电提供技术，如果成功，将彻底改变存储芯片市场格局，因此合作双方都极为重视这次合作。联电为了协助晋华12英寸DRAM工厂的建设，更是派出了资深副总裁陈正坤担任晋华总经理。
福建晋华案（下
正当双方撸起袖子准备大干一场的时候，始终在背后关注的美光开始率先发难。2017年9月，美光指控其前雇员跳槽到联电时，窃取带走了美光的DRAM机密资料，并用于晋华32纳米DRAM的芯片开发。紧接着在当年12月，美光马上向美国加州联邦法院提交控告，指控晋华和联电窃取商业机密。作为反击，晋华马上在2018年1月向福州市人民法院对美光提出控诉，指控美光在华销售产品涉嫌侵犯其专利权。
2018年7月3号，福州中级法院针对美光半导体西安和上海工厂发布初步禁令，禁止美光在中国销售包含固态硬盘和记忆卡产品在内的26款DRAM和闪存产品。联电也发布相关声明自证清白，强调联电过去投入了大量资金研发半导体逻辑和存储器芯片技术，并取得了大量的专利，联电将持续启动专利侵权诉讼，维护专利权。如果说这种相互起诉还只是商务竞争层面的斗争。之后美国政府的强势介入，彻底让这场竞争丧失了悬念。 2018年10月29日，美国以莫须有的罪名将福建晋华列入实体清单，声称晋华一直使用怀疑是从美国进口的DRAM技术，可能威胁美国芯片供应商向美国政府提供用于高科技系统产品的能力，因此将晋华列入出口限制名单，并在第二天立即生效。发布消息的当天，各大半导体设备厂商的驻场技术人员就撤出了晋华，所有产线设备进入停机状态。直到今天这些设备依旧静静的躺在晋华的厂房内，而当时产线距离研发成功投产大概也就差三个月的时间。
紧接着，美国商务部对联电，晋华，以及包括晋华总经理陈正坤在内的数人提起司法诉讼，其中的经济间谍罪一旦成立，陈正坤等人将面临最高15年的有期徒刑和500万美元的罚款，而对联电和晋华的罚款更将高达200亿美元。 随着美国商务部下场干预，原本还只是商务竞争的互相诉讼迅速变成了刑事犯罪的指控，更上升到大国博弈的层面。联电马上开始和晋华进行切割，开始向美光妥协，并向美国司法部提交量刑建议函，希望通过承认侵害一项营业机密，加上支付6000万美元以换取和美国司法部达成和解，并承诺在3年主管管理缓刑期间与美国司法部合作。紧接着联电又与美光达成全球谅解协议，联电一次性支付和解金给美光，双方各自撤回所有在各国针对对方的诉讼。联电通过认罪赔钱，迅速从这场纷争中脱身，这使晋华处境更加艰难。即使在联电提交法院的600多万份文件中找不到一项证据，但依旧被美国定义为恶劣企业，固定在限制出口的实体清单内。基本没有翻盘的希望，近60亿美元投资的12英寸DRAM产线也再无重启的可能。 经此一役，台湾半导体企业对大陆半导体企业的合作评估更加小心谨慎。近年来更是对大陆半导体企业和资本拒而远之。也让我们认识到技术不是无根之水，必须掌握在自己手里才能确保将来不会再被釜底抽薪。时不我待，长江存储和长鑫存储分头发力，再次举起存储芯片国产化的大旗。
长鑫存储专攻DRAM
2016年，当福建晋华如火如荼的筹备12英寸产线的时候，已经在NORFLASH细分领域杀出一条血路的兆易创新，也决定向被国际巨头高度垄断的DRAM存储领域进军，在合肥政府的大力加持下，长鑫存储在安徽合肥成立。当年急于加强自身存在感的合肥政府，为了能让自己的经济发展配得上省会城市的身份，决定把合肥打造成一个IC之都。在听到兆易创新打算建设DRAM代工厂时，马上和兆易创新签下合约共同创立合肥长鑫，并提供率先提供75%的项目资金，兆易创新只需出剩下的25%。并且合肥政府不干预长鑫营运，完全由兆易创新负责营运。
2016年5月，合肥长鑫正式诞生，和同年成立的福建晋华，长江存储组成存储器三驾马车，一同踏上了存储芯片国产化的征程。因为长鑫诞生在5月6号，所以也被称为506项目，多年之后506项目也成为存储器国产三驾马车中第一个宣布投片的项目。 和福建晋华一样，合肥长鑫把目标定在了市场需求最大的DRAM市场。但与福建晋华完全依赖台湾联华电子开发DRAM技术不同，合肥长鑫在芯片大佬朱一明的领导下，一开始就决定把技术捏在自己手里。合肥长鑫在用两年时间陆续完成厂房建设，设备安装和验机的同时，也马不停蹄的在一边满世界收罗DRAM先进技术，一边大力投入资金自己吸收研发相关技术。
作为技术落后的追赶者，最简单有效的方法要么收购拥有先进技术的企业，或者退一步收购其先进的技术，但在技术是核心竞争力的今天，没有一家公司会愿意把核心技术对外出售，更不会把拥有先进技术的公司这样下金蛋的母鸡拱手让人。当今存储器市场霸主三星，海力士和美光，每一家都在巨资推进存储颗粒制造技术和提升制程能力的同时，对自己的技术进行着人盯人式的严密的监控，每年大量的资金投入到技术封锁和专利诉讼，不予余力的加固和推高技术壁垒。 但中国的半导体人并没有绝望，巨大的技术差距，反而给我们带来机会。
上世纪八九十年代半导体市场的日美争霸，到后面的韩国半导体企业的崛起，欧洲半导体企业加入后的四国大战，基本都是在存储器市场的绞杀，那一段时间城头大王旗此起彼伏，不但美国政府下场干预，韩国更是倾举国之力几乎赌上国运，期间出现了许多优秀的公司，最终湮灭在这修罗场，硝烟散去后，让我们看到了机会。 2019年5月在上海举办的GSA存储器峰会上，合肥长鑫首次公布了DRAM技术来源，是已经破产十余年，曾经的世界存储器巨人奇梦达。合肥长鑫共获得约2.8TB的技术数据，约一千多万份与DRAM相关的技术文件。更同时宣布，长鑫烧掉超25亿美元的研发资金，一举将奇梦达46纳米的工艺突破推进到10纳米，和世界第一梯队的差距只剩一个身位。之后更是在2019年上市LPDDR4存储产品，并在2020年2月开始大规模销售。这是第一个真正意义上的国产化内存芯片。自此世界DRAM市场被我们撕开了一道口子。
按以往的剧情发展，这个时候就应该准备应对马上到来的专利诉讼了，长鑫通过收购奇梦达的专利真能避开专利讹诈吗？让我们来看看奇梦达的专利纯洁度有多高？
悲剧英雄奇梦达
1999年英飞凌从西门子独立并逐步成长为一家著名的半导体公司，近些年来在碳化硅领域英飞凌长线布局，成为市场的领导者和技术的领先者。但在存储芯片领域，当年的英飞凌却患得患失，最终在与有举国之力支持的韩国半导体企业的竞争中全线溃败。 2005年，英飞凌将存储业务独立出来成立了奇梦达公司，当时的奇梦达可谓风光无限，第一家拥有12英寸/300毫米晶圆产线的内存厂家，并在全球拥有5个300毫米的晶圆生产基地，是当年300毫米晶圆使用率最高的企业。
与台湾南亚科合资成立华亚科，将90纳米的工艺率先推进到75纳米，推出DRAm两大分支技术之一的DRAM沟槽式技术，同时在全球拥有5个全球研发中心。更是在2008年宣布突破30纳米工艺，计划跳过GDDR4，直接上GDDR5内存。 可以说奇梦达通过在技术和设备工艺上激进的投入，在当年处于绝对领先的地位。但这也导致其在2008年上半年EBIT从2007上半年盈利3.35亿欧元，直接到亏损10.58亿欧元。这简直可以用触目惊心来形容，放在平时也许能勉强支撑，但这却是发生在2008年。2008年下半年开始全球性的金融危机率先从美国爆发，并蔓延至全球。这给本来就已经疲软的DRAm颗粒市场带来了沉重一击，价格一路下跌，在跌破现金成本价后，更是在三星为代表的韩国企业的反周期投资的推波助澜下，价格直接雪崩跌破材料价，暴跌至0.31美元。而同一时期DRAM生产厂商的材料成本就要0.7美元，现金成本更是高达1.4美元，作为欧洲企业的奇梦达本身人力成本就高，导致产品定价本就略高于亚洲企业，韩国企业的落井下石直接把奇梦达推到了破产的边缘。
奇梦达员工抗议福利下降
关于韩国企业的反周期投资策略，感兴趣的可以去听一下前几期的关于韩国半导体企业的相关节目-K计划-韩国超级半导体战略解读。与韩国政府举全国之力支持韩国半导体企业恰恰相反，德国政府在最后时刻出乎意料的放弃了救助奇梦达，因此奇梦达彻底跌入破产深渊，开启了各种资产甩卖。 2009年，德国政府明确放弃救助奇梦达，母公司英飞凌也拒绝伸出援手。奇梦达正式宣布破产。
期间，奇梦达并非没有做出过自救的努力，2008年10月将其在华亚科的全部股份作价4亿美元出售给美光。10月更是宣布数千人的裁员计划。但这一切在天量的财务亏损前面几乎就是杯水车薪。谁也不会想到母公司英飞凌和德国政府会放弃当时技术领先，单月12寸晶圆产量位居世界第五的奇梦达。
破产后的奇梦达在破产管理人的主持下，从土地到厂房，从股权到技术专利，开始全球甩卖。正所谓一鲸落万物生。奇梦达在全球的工厂成为了各家争抢的目标。德州仪器通过收购其在美国的12寸晶圆厂成为全球第一家12寸晶圆模拟芯片厂家。 中国企业也没有闲着，奇梦达在西安的研发中心和在欧洲的高端封测生产线被中方合作伙伴收购，并在一系列的分立合并后成为组建紫光半导体产业集团的重要部分。奇梦达在苏州的模组厂和封测厂被国资苏州创投收购，之后又被晶方科技收入囊中。这可谓是当时中国最为成功的抄底。 除了工厂和产线，最吸引人们目光的是其大量的专利技术的去向。2012年，其破产管理人宣布开始抛售近7500份的专利技术。
曾经的合作伙伴华邦选择和日企尔必达合作，买断了奇梦达的GDDR产品的技术授权，从此拿到GDDR市场入场券，并获得当时最先进的46纳米制程工艺技术。同一时期，华亚科也获得了一部分的GDDR技术授权，用以抵偿奇梦达欠下的货款。这时已经是华亚科股东的美光更是在不久的将来收购了尔必达，奇梦达的技术授权转到了美光手中，这也使美光在将来对长鑫进行专利讹诈埋下了种子。这在后面会再展开。
奇梦达梦回长鑫
也许是想重返存储器市场，从金融危机中缓过来的奇梦达母公司英飞凌出人意料的在2014年通过支付近2.6亿欧元，将奇梦达的所有专利打包收购。其中1.35亿用于破产争议的庭外和解，1.25亿用于打包收购专利。正当市场都等着看英飞凌将以何种方式重返存储器市场时，英飞凌却又在一年后再一次让所有人大跌眼镜，其出乎意料的将所有奇梦达专利以不到当年收购价两成的价格贱卖给了北极星公司。一家专门以倒卖专利的国际专利贩子。 这让长鑫存储看到了机会，通过不断在市场上的搜寻，长鑫从北极星和其母公司Wi-Lan公司手中买下了奇梦达的内存专利。具体金额没有在公开市场披露，但考虑到目前中国半导体企业对技术的渴望和在世界半导体供应链中到处被封锁和制裁的现状，这必定是一笔让Wi-Lan无法拒绝的报价。但对于财大气粗的长鑫来说获得奇梦达的技术遗产，这只是DRAM突围战中的第一步。长鑫通过进一步25亿美元的研发投入，将制程工艺从46纳米推进到了10纳米，一举进入DRAM第一梯队，死死咬住了三星，海力士和美光。
这一度让我们看到了芯片自给率大幅提高的可能，作为存储芯片消费大国，如果能在DRAM存储芯片领域实现国产化，那将颠覆整个存储器行业格局。 但福建晋华的教训依然在眼前，考虑到奇梦达的专利当年一样授权给了华邦，华亚科，尔必达，而美光又收购了华亚科和尔必达，这就给美光进行专利诉讼纠缠留下了机会。并且美光也曾对长鑫露出獠牙，在2020年，美光就在公开场合声称长鑫的DRAm芯片技术侵犯其专利，并表示将对长鑫提起专利诉讼。 但之后又没有了下文，有分析指出美光是在等待一个合适的时机，在利益可以最大化的时候对长鑫提起专利诉讼和索赔。熟悉西方公司专利讼棍惯常伎俩的人都对这种手法不会陌生。西方公司都会等到目标公司业务扩大到一定规模的时候才提起专利诉讼，俗称“养案”。越高的涉案标的意味着更高额的专利赔偿，不但自己可以轻松的赚的盆满钵满，更能使目标公司赔的万劫不复，永世不得翻身。 因此美光极有可能在长鑫的DDR4大批量出货，并发布DDR5产品时对长鑫提起专利诉讼，提出天量索赔的同时，进一步阻止长鑫DDR5 产品的上市。也有可能是因为美国已经通过对源于美国半导体技术出口限制进一步针对长鑫存储进行了制裁，不但将长鑫和长存一起列入实体清单，同时撤走了全部美国专家和美籍工作人员，这直接使长鑫原本计划在今年启动的第二工厂扩建计划推迟到了2024到2025年，并不得不进行裁员，鉴于目前的国际形势和半导体市场现状，明年能否顺利开工不容乐观。因此美光并不急于对长鑫动手。可见即使有了专利技术和海量资金，长鑫存储的DRAm国产化之路依旧困难重重。
峰回路转的长江存储
2022年底，长江存储宣布推出232层3D NAND Flash产品，同时也宣告经过近八年的不断追赶，排除外界阻碍和干扰，长江存储终于挤入NAND Flash世界第一技术阵营。
3D NAND架构
谁又能想到，今天的存储芯片龙头企业，当年差点被外资收购，如果不是一根筋的湖北省政府，换了其他地方政府，也许就是不一样的结果。 长江存储的历史可以追溯到十几年前的武汉新芯。也就是长江存储的前身，成立于2006年。不得不说现在看来2006年绝对是中国半导体的耻辱之年，当年爆出了震惊世界的交大汉芯造假事件，2006年农历新年到来之际，清华大学水木清华BBS上，爆出猛料，公开指责上海交大微电子学院院长陈进教授通过汉芯造假，申报数十个科研项目，骗取国家数亿元的科研经费。 这成为戳破皇帝的新装的有力一击，不到一个月事件调查组就得出结论，汉芯一号造假基本属实，现在我们都知道了，当年陈教授所谓的国产突破的汉芯一号，就是请农民工打磨掉了摩托罗拉的芯片logo后，再印上了汉芯一号，科技含量不高于农民工半天工时。一个给国人带来无比自豪的科技突破，变成了一起让人瞠目结舌的重大科研造假事件，时至今日相关方面都没有公布相关责任人员的处理结果，这在当年成了中国半导体人的奇耻大辱，因为这起事件，让本就不受待见的半导体产业处境更是艰难，在当年地方政府本来就对投资吞金兽，回报周期长，风险高的半导体产业避之不及。除了这个科技丑闻后，更是不愿意谈这个浑水，可以说交大汉芯事件给了中国半导体国产化沉重一击，其负面影响一直到现在都没有完全消除。
而长江存储的前身武汉新芯就成立在这个半导体产业的多事之秋，就注定了武汉新芯的命运多舛。可以说当年湖北省政府上马这个投资规模百亿的项目的时候，既无人才又无技术，有的只有湖北佬的一股狠劲。新芯的运气也差点，最初瞄准的是DRAm市场，之后又决定转身去做NANDFlash闪存，但2006年开始建厂，到2008年正式量产65纳米闪存，正好碰上金融危机和半导体下行周期，这是奇梦达都爬不出来的大坑。 随着最后的大客户飞索半导体濒临破产，武汉新芯的最后一根救命稻草也没了。有着12寸现成晶圆线的武汉新芯很快成为国际大厂的收购目标。关键时期，又是中芯国际出手，与新芯成立合资公司。虽然，合资后的日子大家都不好过，武汉新芯又在2013年从中芯国际独立，也曾经一度依靠给飞索和豪威做代工维持工厂运转，但至少保住了国产存储的血脉。在艰难挣扎前行了近十年后，终于等到了中国半导体产业国家层面战略支持的到来。
2015年，中国发布中国制造2025白皮书，宣布力争到2025年，国家半导体产品自给率从不到30%提高到70%。同时国家宣布成立芯片大基金，开启了万亿级别的烧钱竞争，武汉新芯依靠多年来在代工时期积累的经验和技术，在国家级存储基地的竞争中脱颖而出，2016年随着大基金的注入和紫光集团入主，武汉新芯一夜逆袭，重组后成了注册资金数百亿，背靠国家级大基金的存储一哥长江存储。
此时手里的NANDFlash的制程技术已经推进到了32纳米，但和国际一流玩家的差距巨大。 在以前的文章中我们就提到过，半导体技术代差对于企业来说是难于逾越的鸿沟，一旦落后，追赶者与领先者的差距只会越拉越大，因为技术的追赶需要海量的资金，这些资金一般是通过产品在市场上的高额毛利来回血，但市场只会追逐最先进的制程和技术产品，领先者依靠技术优势和成本优势不但在先进产品市场赚钱，更可以在成熟技术产品市场上进行低价倾销，让追赶者即使研发出产品也无利润可图，追赶者往往连研发成本都收不回来。这也是为什么最后只有两三家头部企业可以有资本和动力继续研发先进技术，因为追赶者无力承担巨额的研发费用，而头部玩家谁也不敢在先进技术的竞赛中落后。
这个时候，单单依靠市场经济和企业行为是永远赶不上国际领先水平的，更不用说超越了。经过曲折漫长的发展，有了国家大基金支持的长江存储开启了其逆袭之路。长江存储成立后的第二年，2017年长江存储推出32层闪存，当时市场主流产品是64层闪存。两年后的2019年，长江存储推出64层闪存并量产，当年主流产品达到了128层，三星继续领先并主导国际闪存市场。
如果一直这样按部就班的追赶，将长时间慢人一步，虽然现在钱不是问题，但数年来的卧薪尝胆，等待是能扬眉吐气的一天。 长江存储继续努力研发自产自研的晶栈Xtacking架构，终于在2020年直接跳过96层，实现128层的技术突破。同年三星，海力士和美光的技术水平一样是128层，另一家国际大厂铠侠也只有112层的闪存产品。历经五年，终于赶上了世界第一梯队的技术水平。在2021年实现128层闪存产品量产的同时，232层闪存的研发也在紧张的推进中，终于在2022年几乎与美光同时宣布实现232层闪存产品的量产，处于行业领先地位。公平竞争，中国半导体人没有怕过谁。
长江存储的光速进步很难低调，自然吸引了美国商务部的阴冷的目光。没有意外，2022年长江存储被列入美国贸易黑名单，同时美国对中国实施设备和技术出口管制，美国设备商科磊，泛林集团和应用材料公司相继撤走了设备调试和维护工程师，也停止对长江存储提供生产设备。荷兰ASML公司也拒绝提供EUV***，而EUV***是将闪存技术推向300层以上的必须设备。考虑到近期德国和日本对中国企业半导体原材料管制的跟进，在长江存储面前的是一条更为艰难的国产存储芯片突围之路。
编辑：黄飞
工商网监
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