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上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。
FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性，其中擦写寿命大于400万次、数据保持时间大于200年，产品性能及可靠性达到业界领先水平，应用于CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等相关领域。其中FM24C/FM25系列车规产品已通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证。
FM25/FM29系列SLC NAND存储器
发布会现场，复旦微电产品经理肖磊介绍，FM25/FM29系列是目前国内外首款单芯片同时支持双接口（SPI/PPI）双电源（1.8/3.3）的 SLC NAND Flash，产品开发团队针对28nm先进工艺平台特性，优化编擦、擦除、回读算法，采用内部8bit BCH ECC设计，兼顾成本、性能和可靠性，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求。SPI系列（FM25）容量覆盖512Mb~4Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。PPI系列为（FM29）容量覆盖2Gb~8Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。
FM25S系列产品特点：
存储器容量：512Mb~4Gbit
工作电压范围1.8V/3.3V；
工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；
SPI高速单/双/四口：104MHz(3.3V) / 85MHz(1.8V)
支持内置8 bit ECC，满足客户Error-Free 需求
高可靠性：
Endurance：6万擦写次数
封装支持TDFN5X6/TDFN6X8等多种封装形式。
FM29F系列产品特点：
存储器容量：2Gb~8G bit
工作电压范围1.8V/3.3V；
工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；
兼容ONFI 1.0标准：50MHz(3.3V) / 33MHz(1.8V)
支持内置8 bit ECC，满足客户Error-Free 需求
高可靠性：
Endurance：6万擦写次数
Data Retention：10年
封装支持BGA63/TSOP48等多种封装形式。
下一阶段，复旦微电SLC NAND Flash存储器全系列产品将覆盖512Mbit~16Gbit容量， 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作频率将扩展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式，16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口，可满足客户更快读写访问速度需求。同时，全系产品会继续提升耐写性指标，满足客户高工规的应用。
FM24/FM25系列串行EEPROM存储器
本次复旦微电推出国内首款低功耗超宽电压FM24LN系列I2C串行EEPROM存储器、FM24N/25N宽电压高可靠I2C/SPI串行EEPROM，以及FM24C/FM25车规EEPROM三个系列的新产品。复旦微电产品经理周泉介绍道，产品开发团队针对流片工艺平台的特性，以及对存储器产品工作原理的深刻理解，对EEPROM存储器读写电路进行了特别的优化设计，大幅度提升了产品的性能及可靠性，为客户提供了更多的产品选择，可以满足CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等各种应用领域需求。FM24C/FM25系列车规产品已通过权威第三方测试认证机构——工业和信息化部电子第五研究所AEC-Q100 Grade 1车规级验证，产品工作温度扩展至-40℃~+125℃。
FM24LN系列首发包含32K/64K/128Kbit三种容量的I2C串行EEPROM，产品支持1.1V~5.5V超宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃，全电压范围内均支持400KHz/1MHz工作频率，5.5V下典型待机电流小于1uA，读写电流不超过0.8mA，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥100年的高可靠性要求，支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。
FM24N系列首发包含64K/128K/256K/512Kbit四种容量的I2C串行EEPROM，产品支持1.7V~5.5V宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃，支持400KHz/1MHz/3.4MHz工作频率，写电流≤2mA，读电流≤0.6mA，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。
FM25N系列首发包含64K/128K/256K/512Kbit四款容量，产品支持1.7V~5.5V宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃，支持5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V)工作频率，写电流≤2mA，读电流≤5mA@5.5V/20MHz，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。
FM24CXXX系列车规产品首发包含128K/256K/512Kbit三款容量产品，产品通过了严苛的AEC-Q100 Grade1认证，产品支持1.7V~5.5V超宽工作电压范围，工作温度范围-40℃~+125℃，支持400KHz/1MHz工作频率，写电流≤3mA，读电流≤1mA，产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式，产品湿敏等级为MSL1。
FM25XXX系列车规产品首发包含64K/512Kbit两款容量产品，产品通过了严苛的AEC-Q100 Grade1认证，产品支持1.8V~5.5V超宽工作电压范围，工作温度范围-40℃~+125℃，最高支持20MHz工作频率，写电流≤3mA，读电流≤5mA，产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式，产品湿敏等级为MSL1。
FM24LN32/64/128产品特点：
存储器容量：32K/64K/128Kbit；
工作电压范围1.1V~5.5V；
工作温度范围-40℃~+85℃；
全电压范围内兼容400KHz/1MHz时钟；
串行接口符合I2C规范；
IO电压与芯片VCC相同，同时兼容1.2V/1.8V/3.3V/5V等主流电压应用。
具有软件保护功能（SWP）；
具备器件地址可配置功能，支持I2C总线上最多挂8颗EEPROM；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页Security Sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：400万擦写次数
Data Retention：100年
封装支持SOP8/TDFN/TSSOP/WLCSP等封装，其中WLCSP封装支持400um*400um及400um*500um Ball Pitch两种规格。
FM24N64/128/256/512产品特点：
存储器容量：64K/128K/256K/512Kbit；
工作电压范围1.7V~5.5V；
工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)；
支持400KHz/1MHz/3.4MHz时钟频率；
串行接口符合I2C规范；
内置ECC纠错逻辑；
支持硬件保护功能；
总线上最多支持8颗EEPROM寻址；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页Security Sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：400万擦写次数
Data Retention：200年
封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装。
FM25N64/128/256/512产品特点：
存储器容量：64K/128K/256K/512Kbit；
工作电压范围1.7V~5.5V；
工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)；
工作频率5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V)；
支持SPI Mode 0 (0,0)及Mode 3 (1,1)；
内置ECC纠错逻辑；
支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护；
支持软、硬件写保护功能；
支持字节页及页写模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页Security Sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：400万擦写次数
Data Retention：200年
封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装。
FM24C128EA1/FM24C256EA1/FM24C512DA1车规产品特点：
存储器容量：128K/256K/512Kbit；
符合AEC-Q100 Grade1；
工作电压范围1.7V~5.5V；
工作温度范围-40℃~+125℃；
支持400KHz/1MHz时钟频率；
串行接口符合I2C规范；
支持硬件保护功能；
总线上最多支持8颗EEPROM寻址；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页Security Sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：100万擦写次数
Data Retention：40年
封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装，湿敏等级：MSL1。
FM25640A1/FM25512A1产品特点：
存储器容量：64K/512Kbit；
符合AEC-Q100 Grade1；
工作电压范围1.8V~5.5V；
工作温度范围-40℃~+125℃；
工作频率最高支持20MHz(FM25640A1)、16MHz(FM25512A1)；
支持SPI Mode 0 (0,0)及Mode 3 (1,1)；
支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护；
支持软、硬件写保护功能；
支持字节页及页写模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页Security Sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：100万擦写次数
Data Retention：40年
封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装。
下一阶段，复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量，FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。其中FM24N全系列新品最高工作频率将扩展到I2C总线规范的3.4MHz的High speed（HS Mode）模式，可满足客户更快读写访问速度需求。I2C、SPI接口EEPROM的全系列容量产品计划于年内完成AEC-Q100 Grade1车规级验证，本次发布EEPROM新品将陆续启动量产。
发布会最后，工业和信息化部电子第五研究所汽车电子行业经理王健分享了题为《车规“芯”形式下的质量保障》的主题演讲。王健表示，近几年来车规芯片快速发展，五所与客户开发并应用“5A+CA关键分析评价”质量工程体系，在研制转批量生产前有效识别、定位、改善解决潜在的设计、材料、结构、工艺等缺陷，提升成品率、可靠性、稳定性和一致性，提升企业品牌和竞争力。五所在与复旦微电的合作中，对存储芯片、MCU、安全与识别等一系列产品开展车规测试认证服务合作。未来，五所将持续和复旦微携手并进，砥砺前行。
基于本次发布的系列新品，复旦微电子还推出全系列车规级NAND/Nor Flash及EEPROM存储器，产品符合AEC-Q100 Grade1/Grade2需求。公司将持续在非易失存储器领域以新工艺节点、低压或宽压、高速、高可靠性（拓展工规、车规等）为发展方向，进一步尝试并拓展系统级存储器产品防线，不断获得突破和领先优势。
编辑：黄飞
工商网监
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