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电子发烧友网>EDA/IC设计>用于相变存储器的GeSbTe MOCVD共形淀积

用于相变存储器的GeSbTe MOCVD共形淀积

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相变随机存取存储器具有低电压操作、编程速度快、功耗小和成本低等特点。
2023-02-01 10:16:15699

IEDM 2022上的新型存储器简介

在笔者看来,市场对新兴存储器并不友善,尽管人们仍然希望存内计算(copute in memory)能够重振基于电阻、相变和其他特性的新型存储器
2023-02-14 11:33:401484

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