台积电重返内存市场 瞄准MRAM和RRAM | 老邢点评

晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。 台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。

台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取内存）和eRRAM（嵌入式电阻式内存）分别订明后年进行风险性试产，主要采用22奈米制程，这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算计算机和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。

台积电次世代内存布局 图／经济日报提供

这也是台积电共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型内存，不会角逐东芝分割成立半导体公司股权后，台积电再次说明内存的战策布局，将瞄准效能比一般DRAM和储存型闪存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。

稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代内存产品的内存厂，产品技术时程大幅领先台积电，三星的MRAM并获恩智浦导入。

据了解，台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代内存研发，多年来因难度高，商业化和竞争力远不如DRAM，导致多家厂商都都仅限于研发。

内存业者表示，次世代内存中，投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化内存（PRAM）等三大次世代内存，其中以MRAM的处理速度最快，但也是最难量产的内存类型。

不过，在DRAM和NAND Flash制程已逼近极限，包括无人车、AI人工智能、高阶智能型手机和物联网等要求快速演算等功能，是台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供相关嵌入及整合其他异质芯片技术，进行商业化量产。

电子发烧友网点评：

1．存储器占整个半导体市场规模超20%，地位十分重要。由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩工艺已逼近极限，许多半导体巨头如三星电子、英特尔、台积电等都在大举发展下一代新型存储器。

2．全球半导体巨擘正在下一代新型存储器市场展开强力竞争，这很可能全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。目前三星电子正大力发展MRAM记忆体，欧洲最大半导体厂商-恩智浦半导体已经决定采用三星电子的MRAM记忆体，以应用在相关的物联网装置之上；而另一半导体巨擘英特尔则是强攻含3D XPoint技术的PRAM型记忆体。

台积电研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取内存）和eRRAM（嵌入式电阻式内存）计划分别于明后年进行风险性试产，主要采用22纳米制程。这将是台积电为因应物联网、行动装置、高速运算计算机和智能汽车等四个领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。

3．下一代新型存储器包括MRAM、PRAM、RRAM等，其中MRAM 速度最快，应用前景也被看好，但由于采用了大量的新材料、新结构，量产难度极大。短期内，像MRAM等下一代技术存储器，其商业化和竞争力远不如DRAM、NAND Flash，不太可能取代现有的内存。