电子芯闻早报：西安爆炸影响三星 iPhone6或遭禁售

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　　昨日三星表示受爆炸影响的三星半导体工厂将在“几天内”全面恢复生产。半导体行业大咖对下半年行业趋势做出了自己的判断。最近iPhone6系列手机因设计侵犯了中国一家公司持有的专利被北京知识产权局下令禁止苹果在北京销售这两款手机。

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　　1、 西安变电站爆炸致多家半导体厂商生产受影响

　　6月18 日凌晨，位于西安市南郊一处的变电站疑似因为故障而引起爆炸起火，火光冲天照亮夜空，幸没有人受伤。但逾8 万用户一度停电，附近商店窗户玻璃被震碎，汽车也有损坏。官方初步勘察后没有发现人为破坏迹像，目前正调查事故原因。而由于该变电站供应附近多处半导体厂 的供电，使得设置于该区的三星、美光、力成等半导体厂也都受到不同程度的影响。

　　爆炸起火的中国国家电网陕西公司西安南郊变电站，位于长安区韦曲西部大道和长兴路交界。18 日凌晨12 点25 分，一个变压器因故障突然爆炸起火，火场面积约100 平方公尺，火势一度猛烈，当地消防单位出动21 辆车超过90 人到场扑救，于凌晨1 点30 分左右将火势扑灭，随后工人进行电力抢修工作。

　　三星西安厂位于西安市南郊，离爆炸事故点很近， 三星电子19日表示，在西安的半导体厂电力一度中断，但仅对不到1万片晶圆生产造成影响，而该厂房将在“几天内”全面恢复生产。

　　2、半导体产业形势下半年将优于上半年

　　据台媒报道，半导体厂股东会旺季即将步入尾声，对于下半年产业景气展望，各家厂商普遍持乐观看法，预期下半年将优于上半年。

　　晶圆代工龙头厂台积电董事长张忠谋虽然认为，今年世界经济环境与半导体业都将与去年相似，仍将相当低迷，不过，他还是看好，台积电将会有很不错的成长，将可达成营收成长5%至10%的目标。

　　台积电今年前5月合并营收新台币3439亿元，较去年同期减少6.42%，若要达成营运成长目标，台积电下半年业绩表现势将优于上半年。

　　动态随机存取存储器（DRAM）厂华亚科董事长暨南亚科总经理李培瑛指出，下半年包括手机、电视及机顶盒等消费市场需求可望比上半年好，网通市场下半年也看到不错需求。

　　服务器市场及标准型市场需求也有机会比上半年好，此外，还有欧美感恩节、圣诞节传统季节性需求，及奥运、欧洲杯等国际运动赛事，将可刺激需求，李培瑛看好，下半年整体市场需求将可比上半年好。

　　供需方面，李培瑛表示，各家供应商制程转换顺利，不过，储存型快闪存储器（NAND Flash）后市看俏，DRAM新产能扩充应可理性控制，下半年市场供需将可较健康。

　　存储器制造厂华邦电董事长焦佑钧虽说，英国脱欧公投、美国升息及总统选举是下半年经济的三大变数；不过，总经理詹东义却表示，就目前接单情况看，下半年市场需求有升温迹象，希望能在稳定温和中成长。

　　触控芯片厂义隆董事长叶仪皓也预期，最坏情况应已过去，今年业绩可望逐季攀高；指纹识别将是义隆业绩成长的最主要动力，其次为主动触控笔与360度全景照相机。

　　IP厂力旺总经理沈士杰表示，下半年在苹果及非苹阵营纷纷推出新机带动下，营运表现应不悲观，维持审慎乐观看法。

　　沈士杰指出，力旺在手机IC渗透率提高，加上先进制程效益显现，除面板驱动IC与电源管理芯片持续成长，并顺利扩展数位电视、机顶盒、影像传感器及指纹识别等领域，都将是力旺今年营运成长动能。

　　3、东芝将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工

　　东芝（Toshiba）2015日本会计年度（2015年4月至2016年3月，以下简称年度）半导体事业营收不仅较2014年度衰退6.9%，为 1.11兆日圆（约100亿美元），且营业利益由盈转亏，营损率为6.4%。DIGITIMES Research观察，东芝为求2016年度转亏为盈，在2016年3月开始量产48层堆叠3D NAND Flash，更计划供应价格低于15纳米平面型的64层堆叠产品，同时成立系统LSI新公司Japan Semiconductor Corp.（JSC），寻求承接以类比IC为主的晶圆代工机会，但短期仍以制造东芝系统LSI产品为主。

　　2015年度东芝以NAND Flash为主的记忆体营收较2014年度衰退1.8%，为8，456亿日圆，已连续2年呈现下滑，对照2013~2015年全球NAND Flash龙头厂三星电子（Samsung Electronics）营收持续成长，东芝在三星进驻大陆西安设厂、且三星于3D NAND Flash发展脚步较快的情况下，面临相当大的竞争压力。

　　展望2016年度，东芝预测其来自记忆体营收将年减11%，仅7，466亿日 圆，记忆体营益率亦将自13%下滑至3.3%。为改善营运，东芝将加速发展垂直堆叠架构BiCS（Bit Cost Scalable） NAND Flash，不仅已量产的48层堆叠3D NAND Flash成本将接近15纳米平面型产品，更计划以低于15纳米平面型的价格，量产64层堆叠3D NAND Flash。

　　东芝2009~2016年度半导体事业营收变化及预测

　　注：东芝以西元年第2季至隔年第1季为其会计年度。

　　资料来源：东芝，DIGITIMES整理，2016/6DIGITIMES