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电子发烧友网>通信网络>通信新闻>自主研发第二代产品,M2会议平板将呈现出五大改变

自主研发第二代产品,M2会议平板将呈现出五大改变

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新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器

TO-263-7封装的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作为三相逆变器板的功率开关。驱动电路采用了具有米勒钳位功能的EiceDRI
2024-09-05 08:03:27987

第二代AMD Versal Prime系列自适应SoC的亮点

第二代 Versal Prime 系列自适应 SoC 是备受期待的 Zynq UltraScale+ MPSoC 产品线的继任产品,该产品线已广泛应用于广播与专业音视频行业的设备中。第二代
2024-09-14 15:32:191474

AMD推出第二代Versal Premium系列

近日,AMD(超威,纳斯达克股票代码:AMD )今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列,这款自适应 SoC 平台旨在面向各种工作负载提供最高水平系统加速。第二代 Versal
2024-11-13 09:27:161423

新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装

新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一技术的优势为
2024-11-29 01:03:07830

第二代AMD Versal Premium系列产品亮点

、测试和与测量数据密集型应用的需求。第二代 AMD Versal Premium 系列能够加快数据流程1,2并减少存储器瓶颈3,令数据密集型应用可以得到加速、洞察得以解锁。
2025-01-08 11:50:231298

新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离

新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬电距离采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
2025-02-08 08:34:44973

英飞凌第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离

英飞凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬电距离 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321137

方正微电子推出第二代车规主驱SiC MOS产品

2025年4月16日,在上海举行的三电关键技术高峰论坛上,方正微电子副总裁彭建华先生正式发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品,性能达到国际头部领先水平。
2025-04-17 17:06:401386

AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量产 为嵌入式系统实现单芯片智能

我们推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,这两款产品是对 Versal 产品组合的扩展,可为嵌入式系统实现单芯片智能。
2025-06-11 09:59:401651

新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件

新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱
2025-07-28 17:06:08842

新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三电平模块、EasyPACK2C1200V8mΩ四单元模块以及
2025-11-24 17:05:151204

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