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电子发烧友网>电源/新能源>纳微半导体下一代GaNFast技术,10分钟内实现100%充电

纳微半导体下一代GaNFast技术,10分钟内实现100%充电

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从三星S22到S23,下一代GaNFast技术持续在超便携、超快充的手机市场中取代传统硅功率芯片 加利福尼亚托伦斯2023年10月31日讯 — 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布再度
2023-11-03 14:06:31609

意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片

2023年12月15日,中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。
2023-12-15 16:44:11462

纳微半导体下一代GaNFast™氮化镓技术为三星打造超快“加速充电

加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:04307

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