双脉冲测试 精确的能量损耗测量是双脉冲测试的关键目标之一。消除电压探头和电流探头之间的时序偏差是在示波器上进行精确功率和能量测量的关键步骤。 适用于4B系列、5B系列和6B系列MSO（混合信号示波器
2025-06-25 17:17:02
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过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性 某些情况下，即使使用高速MOSFET也无法降低导通损耗”。本文就其中一个原因即误启动现象进行说明。 什么是误启动现象 误启动是因MOSFET的各栅极电容
2020-12-16 15:03:332795 
双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。
2020-12-21 14:58:079335 
文章的内容来阅读本文。 通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性 为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。 先来看具有快速恢复
2020-12-21 14:25:4510373 
通常情况下，为了测试器件的动态特性，我们都会搭建一个通用的双脉冲测试平台。测试平台的功率回路部分包含了叠层母排、母线电容、待测功率器件和驱动电路。双脉冲测试电路的原理为半桥电路，如图1所示。
2022-04-17 09:16:307931 双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时，这项测试发生在器件研发、器件生产、系统
2022-10-12 15:31:133901 通过双脉冲测试，可以得到IGBT的各项开关参数。
2023-11-24 16:36:4216069 
利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量探头的位置，即可对IGBT并联的续流二极管（下文简称FRD）的相关参数进行测量与评估。
2023-11-24 16:52:102667 
在当今快速发展的电力电子技术领域，功率半导体器件的性能优化至关重要。双脉冲测试（DPT）作为一种关键的测试方法，为功率器件的动态行为评估提供了精准的手段。本文将深入解析双脉冲测试的原理、应用及泰克科技在这一领域的先进解决方案，并介绍泰克专家高远新书的相关内容。
2025-06-05 11:37:571161 
的关注。这是由于在开关过程中，得益于SiC MOS的高电子饱和漂移速度，载流子能迅速在导通与截止状态间切换，从而显著减少开关时间。与此同时，SiC MOS这一单极型器件在续流过程中没有p型衬底的电荷存储，使得反向恢复损耗低于Si IGBT这一双极性器件，SiC MOS的反向恢复电荷仅为同规
2025-12-02 09:36:222300 
双脉冲测试就是给被测器件两个脉冲作为驱动控制信号，如图1所示。第一个脉冲相对较宽，以获得一定的电流。
2021-09-23 14:43:319641 
利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量探头的位置，即可对IGBT并联的续流二极管（下文简称FRD）的相关参数进行测量与评估。一、FRD工作时的风险评估IGBT模块中的并联FRD，是一个
2019-09-27 14:04:00
过程是否有电压尖峰，评估实际应用是否需要吸收电路；5、评估二极管的反向恢复行为和安全裕量；6、测量母排的杂散电感；双脉冲测试原理图1 双脉冲测试平台的电路及理想波形IGBT双脉冲测试的实测电路及电路拓扑
2019-09-11 09:49:33
各位好，想请教下双脉冲测试的几个参数问题。项目所用IGBT是1200V 75A的单管，开关频率4kHz。初次接触双脉冲测试，有几个疑问：（1）测试时的最大电流是按额定75A来，还是150A
2019-11-06 20:47:30
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述视频包含以下三方面内容：— IGBT并联均流的影响因素— 六并联测试双脉冲测试步骤— 六并联短路测试讲师PPT见附件。
2020-06-28 11:21:33
https://mp.weixin.qq.com/s/C2PfLBXd7n2YDJ0ht9loow上述视频讲述了以下四方面内容。- NPC I型三电平2种应用方式- NPC I型三电平拓扑运行状态- NPC I型三电平双脉冲测试方法- NPC I型三电平短路测试方法讲师PPT见附件
2020-06-28 10:40:04
满足了发生反向恢复的条件。D1的反向电流iD1叠加上负载电流iload就会在S2的集电极电流上表现为电流尖峰，如图2所示。 图2. 双脉冲测试波形 关于二极管反向恢复特性更为详细的测试说明，大家
2020-12-08 15:44:26
需要谈到在半导体中移动的电子和空穴。先通过波形图来了解SiC-SBD和Si-PND反向恢复特性的不同。右侧波形图为SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢复时的电流和时间。从波形图可见红色
2018-11-29 14:34:32
图：
对D时段工况进行DPT，具体配置如下表：
图9与图10是模拟D时段工况进行测试的示例波形：
图9 T2关断，VDC=425V，Ic=600A
图10 T2开通，D4反向恢复
2024-05-08 23:11:59
https://mp.weixin.qq.com/s/iYQy1ayfMAz7JKcHgS3kgQ上述为视频链接，主要讲一下四个问题。讲师PPT见附件。— T型三电平拓扑的四种结构— T型三电平拓扑运行状态— T型三电平双脉冲测试方法— T型三电平短路测试
2020-06-28 10:28:23
pspice中怎么得到双脉冲测试信号？可否通过软件自带的信号源得到？
2015-05-27 23:02:05
次数为2次，示波器采用单次触发。 采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN™的动态参数。左下的测试提示Ic off是因为英飞凌的CoolGaN™完全没有反向恢复电流，从测试数据中可以看到
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 编辑
`在学习评估板的user guide之后，了解其基本功能和组成电路组成，首先对SiC管做双脉冲测试考察其开关特性。对于双脉冲测试
2020-06-18 17:57:15
单片机 定时器PWM输出。HS端口 MOSFET 的双脉冲测试原理图测试上电顺序负载电感自己绕制空心电感，多个电容串并联。测试波SCT3040KRElectrical characteristics```
2020-07-26 23:24:05
二极管是单向导通，那么反向恢复时间是什么，需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌电流Ifsm：300A漏电流(Ir)：10uA工作温度：-50~+150℃恢复时间(Trr)：35nS引线数量：3 二极管SFF3006反向恢复过程，现代脉冲电路中大
2021-11-30 16:28:50
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者说过程，我们称之为反向恢复过程。只要是双极型器件，就会有非平衡载流子的注入，那么就存在所谓的反向恢复过程。这种特性严重限制了器件在高频需求下的性能，我们要做的就是研究并减小反向恢复这个过程的时间。(a
2023-02-14 15:46:54
二极管反向恢复时间测试仪 长春艾克思科技有限责任公司满足国家标准：GB/T8024-2010，使用矩形波法测试反向恢复时间。一：主要特点A：测量多种二极管B：二极管反向电流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试，调门极电阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
)是一种用于评估电力电子器件如IGBT(绝缘栅双极晶体管)或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)等功率器件的开关性能的实验方法。该测试通过向器件施加两个短时间的电压脉冲，模拟器件在实际电路中
2024-06-12 17:00:55
的IGBT 的性能。（2）获取IGBT 在开关过程的主要参数，以评估Rgon及Rgoff 的数值是否合适，评估是否需要配吸收电路等。（3） 考量IGBT在变换器中工作时的实际表现。例如二极管的反向恢复
2021-02-25 10:43:27
着电能转换和功率控制的任务。为了保证电机控制器的性能和可靠性，需要对这些功率器件进行严格的测试，其中就包括双脉冲测试。
案例简介 双脉冲测试可以帮助工程师评估电机控制器中功率器件的开关速度
2025-01-09 16:58:30
+TCP0030A+IGBT town软件五、方案优势：1.可靠、可重复地测试IGBT及MOSFET (包括第三代半导体器件SiC、GaN )功率半导体动态特征2.测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极
2021-05-20 11:17:57
连线的电源短路。图2显示的是经修改的评估模块 (EVM) 电路原理图。图2：用于反向恢复测量的经修改的硅桥图3显示了插入分流电阻器后的TPS40170 EVM。图3：EVM探测技术图4显示的是开关
2018-09-03 15:17:37
超高速二极管反向恢复时间测试仪一：主要特点A：测量多种二极管B：二极管反向电流2.5~10mAC：二极管正向电流2.5~50mA D：测量精度1nSE：二极管接反、短路开路保护F：示波器图形显示G
2015-03-11 13:56:18
测量电路如下图。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二极管反向恢复时间及简易测试在开关电路中应用的二极管，反向恢复时间是一个主要参数。用图示仪器直接观察特性曲钱是理想的测试方法，但需要专用测试设备。本文阐述了二
2008-11-19 18:09:16
116 恒流工作模式和脉冲恒流工作模式， 测试二极管反向恢复时间稳定可靠。 二 应用范围 高速信号二极管 三 测量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
IGBT的双脉冲测试(Double Pulse Test)-Micro_Grid，欢迎加入技术交流QQ群：电力电子技术与新能源 905724684，关注微信公众号：电力电子技术与新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357599 
通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性我们开设了 Si 功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估 MOSFET 体二极管的反向恢复特性，并确认 MOSFET 损耗情况。
2020-12-28 06:00:0024 大家好，前段时间在知乎上看到有个网友问：“在大功率变频器应用中，我们常用双脉冲测试评估器件的动态特征，在实际中有可比性吗？”感觉这个问题提的比较好，也是作者想和大家讨论的一个话题，那我们这期就来聊聊双脉冲测试是否能够反映器件在真实换流中的各种电应力。
2022-04-15 09:15:025559 对双脉冲测试的原理、参数解析、注意事项、测试意义等进行详细介绍分析
2022-05-05 16:34:0936 一般，我们是通过阅读器件厂商提供的datasheet来了解一个器件的参数特性，但是datasheet中所描述的参数是在特定的外部参数条件测试得来的，因此这些参数不能都可以直接拿来使用的。因此可以通过双脉冲测试，通过给定两个脉冲来测试IGBT的开关特性，进而对器件性能进行更准确的评估。
2022-06-17 17:33:0135778 双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法，贯穿器件的研发，应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台，你可以在系统设计中从容的调试驱动电路，优化动态过程，验证短路保护。
双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用，对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114800 
双脉冲测试(Double Pulse Test)是分析功率开关器件动态特性的常用测试，通过双脉冲测试可以便捷的评估功率器件的性能，获得稳态和动态过程中的主要参数，更好的评估器件性能，优化驱动设计等等。
2022-11-04 14:06:275433 本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。
2023-02-10 09:41:081904 
上一篇文章中通过标准型且具有快恢复特性的SJ MOSFET的双脉冲测试，介绍了“在桥式电路中，恢复特性可通过使用高速MOSFET来降低损耗，但是在某些情况下，即使使用高速MOSFET也无法降低导通损耗”。
2023-02-10 09:41:081630 
在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现象。
2023-02-13 09:30:043939 
（一）IGBT双脉冲测试的意义 对比不同IGBT的参数及性能； 获取IGBT开通和关断过程的参数； 评估驱动电阻是否合适； 开通和关断过程是否有不合适的震荡； 评估二极管的反向恢复行为和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出漏极电压VDD值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGS到测试要求值，计算机控制接通开关S1,并控制输出被
测双
2023-02-22 14:43:331 用的，只能当做参考使用。
描述IGBT主要参数包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二极管的di/dt等。
要观测这些参数，最有效的方法就是‘双脉冲测试法’。
2023-02-22 14:25:005 功率开关器件的规格书上有着多种多样的数据，如静态特性参数，动态特性参数，开关特性参数等等。其中静态特性参数大多数可以通过静态参数一体化测试机或者源表等设备直接测出，动态特性参数则可以通过电容测试平台描绘出，最后开关特性参数则需要用到双脉冲测试才能准确测得。
2023-02-22 14:40:208815 在LTspice中没有双脉冲波形发生器，要做一个双脉冲的波形只能用电压源来进行特殊设置，不是很方便，为此我写了一个双脉冲波形发生器，有需要的可以下载。 双脉冲波形发生器。 如下，该元器件可以
2023-02-23 15:47:208 反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力，直到反向恢复电流衰减为零。
2023-02-23 15:50:308887 
IGBT双脉冲测试matlab仿真模型，电机控制器驱动测试验证，学习验证igbt开关特性.附赠大厂资深工程师总结的双脉冲测试验证资料，全部是实际项目总结。 链接：提取码：fbif
2023-02-24 10:40:5731 双脉冲试验的主要目的是获得功率半导体的开关特性，可以说是伴随着从R&D到应用功率器件的整个生命周期。基于双脉冲试验获得的设备开关波形可以做很多事情，包括:通过分析验证开关过程的设计方案，提出
2023-03-28 14:05:002630 
当我们对于用实际组件来实现转换器有更加深入的了解时，这个波形变得复杂了很多。不断困扰开关转换器的一个特别明显的非理想状态就是同步降压或升压转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓
2023-04-15 09:15:125736 
双脉冲测试是一种用于测量电子设备的重要方法，其通过发送两个相互独立且短暂的脉冲信号来分析设备的性能和可靠性。在进行双脉冲测试时，我们需要注意一些重要事项，以确保测试的准确性和可重复性。 首先，进行双
2023-07-03 11:45:271807 
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
进行双脉冲测试的主要目的是获得功率半导体的开关特性，可以说它伴随着功率器件从研发制造到应用的整个生命周期。
2023-07-12 16:09:105853 
根据用户在宽禁带、双脉冲测试遇到的种种问题，安泰配置齐全的仪器、软件、探头和服务，加快有关 SiC 和 GaN 功率器件与系统的验证。 通过以下方式帮助您提高系统性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
，不同的IGBT技术也造就了不同性能的IGBT产品。为了优化和验证元器件的性能，验证不同IGBT的性能，我们引入了双脉冲测试方法。通过这个工具，我们可以实现以下具体功能： 详细了解IGBT参数，如Eon、Eoff、Tdon、Tdoff、Tr、Tf、贴片开关特性等。本次测试的意义在于
2023-10-13 10:34:334422 
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ ■ 双脉冲测试 双脉冲测试中一个重要目标是，准确测量能量损耗。在示波器中进行准确的功率、能量测试，关键的一步是在电压探头和电流探头之间进行校准，消除时序偏差
2023-11-02 12:15:011316 
驱动器源极引脚的效果：双脉冲测试比较
2023-12-05 16:20:07896 
【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性
2023-12-13 14:42:082109 
领域。本文将详细介绍信号发生器如何设置双窄脉冲同步输出，包括步骤、原理和注意事项。 第一部分：背景介绍 在电子设备的测试和测量中，通过设置双窄脉冲同步输出可以模拟各种特定的输入信号，进行性能评估和功能测试。信号
2023-12-21 14:13:312544 信号发生器如何发出双脉冲？ 信号发生器是一种用于产生各种信号波形的仪器。双脉冲信号是一种特殊的信号波形，由两个脉冲组成，通常用于测试和测量系统的响应和性能。在本文中，将详细介绍信号发生器如何发出双
2023-12-21 15:03:354289 双脉冲测试是一种用于测量材料电学性能的非破坏性测试方法。它通过在被测材料上施加两个不同频率、相位和幅度的脉冲电压，来检测材料的介电常数、损耗因子等参数。双脉冲测试原理广泛应用于材料科学、物理学
2023-12-30 11:47:005602 
双脉冲试验及注意事项介绍 双脉冲试验是一种常用的电力系统测试方法，用于测量电力系统中的传输线路和设备的参数。这种试验方法通过施加两个脉冲波形信号，从而可以精确地测量电力系统的传输线路的特性参数，包括
2024-01-05 15:08:031592 双脉冲测试(DPT)是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例，如下图，通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间，可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到
2024-01-18 08:13:437633 
什么是单脉冲点焊和双脉冲点焊？ 单脉冲点焊和双脉冲点焊是常用于金属焊接的两种焊接方法。单脉冲点焊和双脉冲点焊主要区别在于其工作原理和应用领域。 一、单脉冲点焊 单脉冲点焊是一种常见的焊接方法，主要
2024-02-18 09:29:199283 双脉冲测试的基本原理是什么？双脉冲测试可以获得器件哪些真实参数？ 双脉冲测试是一种常用的测试方法，用于测量和评估各种器件的性能和特性。它基于一种简单而有效的原理，通过发送两个脉冲信号并分析其响应来
2024-02-18 09:29:233717 ），并测量其响应来工作。 双脉冲测试是一种专门用于评估功率开关元件，如MOSFET和IGBT的开关特性及与之并联的体二极管或快速恢复二极管（FRD）的反向恢复特性的测试方法。这种测试特别适用于分析在导通过程中由于反向恢复现象而产生损耗的电路。 通过施加两连
2024-02-23 15:56:2710453 
上一篇我们分析了《I-NPC三电平电路的双脉冲与短路测试方法》，对于T-NPC拓扑来说也是类似的，我们接着来看。1T-NPC三电平电路的换流方式与双脉冲测试方法由于技术的发展和应用的需要，T型三电平
2024-02-26 08:13:164233 对于经验丰富的专业人士来说，不言而喻的事情有时可能会给经验不足的人带来误解。作为测试设备制造商，我们意识到用户对双脉冲测试有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
双脉冲测试是电力变压器和互感器的一种常见测试方法，其主要目的是评估设备的性能和准确性，确保其符合设计要求和运行标准。
2024-03-11 16:01:555996 
双脉冲测试系统：该系统用于产生所需的双脉冲信号，以模拟实际工作中的开关动作。它能够精确地控制脉冲的宽度、幅度和频率，以满足测试需求。
2024-03-11 16:09:215204 
实施双脉冲测试，不仅能精确测量功率设备的开关特性和损耗，而且能进一步优化电力转换过程。通过Tektronix 4B/5B/6B 系列 MSO 上的WBG-DPT应用软件，可以通过自动化测试流程，显著
2024-07-03 11:02:332156 
宽禁带半导体作为第三代半导体功率器件，在电源处理器中充当了越来越重要的角色。其具有能量密度高、工作频率高、操作温度高等先天优势，成为各种电源或电源模块的首选。而其中功率半导体上下管双脉冲测试，成为动态参数测试的最经典评估项目。
2024-08-06 17:30:502038 
围绕 SiC 和 GaN MOSFET 构建的新型电源转换器设计需要精心设计和测试以优化性能。 双脉冲测试 (DPT) 可有效测量开启、关闭和反向恢复期间的一系列重要参数。设置和执行这些测量可以手动
2024-09-30 08:57:34951 
在电子工程领域，脉冲测试仪器是不可或缺的工具，它们帮助工程师评估和验证电子系统在各种脉冲条件下的性能。 1. 了解脉冲测试仪器的基本原理 在开始使用脉冲测试仪器之前，了解其工作原理是至关重要的。脉冲
2024-11-26 10:01:031737 现代集成电路中MOSFET的体二极管的反向恢复特性对系统安全具有重要影响，本文探讨了Diode的反向恢复特性的机理和模型原理。 半桥、全桥和 LLC 的电源系统以及电机控制系统的主功率
2025-01-03 10:36:292015 
、复合母排等部件的特性； 3、通过实验取得数据确定组件的开通和关断电阻、死区时间等参数。 1.2 实验原理 图 1 为双脉冲测试平台的电路原理图，上管T1 处于关断状态，只有续流二极管工作，通过控制下管T2 的开关动作进行实验。实验平台搭建完成之后，给T2 管门极
2025-01-27 18:10:002623 
是否过关，双脉冲测试（Double Pulse Test）成为了一项重要的测试手段。本文将详细介绍IGBT双脉冲测试的原理、意义、实验设备、测试步骤以及数据分析，以期为相关技术人员提供参考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT双脉冲测试方法的意义和原理 IGBT双脉冲测试方法的意义： 1.对比不同的IGBT的参数； 2.评估IGBT驱动板的功能和性能； 3.获取IGBT在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
碳化硅革新电力电子，以下是关于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍，结合其技术原理、关键步骤与应用价值，助力电力电子领域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
引言 半导体电流脉冲测试是一种评估功率半导体器件动态特性的测试方法，通过施加两个短暂的脉冲信号模拟器件在实际应用中的开关过程，第一个脉冲用于将器件从关闭状态切换到开启状态，以获得一定电流
2025-02-10 09:42:181460 
，成为了众多电源及电源模块的首选材料。特别是在功率半导体中，上下管双脉冲测试已经成为评估动态参数的经典方法，对于推动相关技术的发展具有重要意义。那么，何为双脉冲测试
2025-04-11 15:00:14797 
1. 产品概述 产品简介 本同轴分流器SC-CS10是一种用于射频/微波信号功率分配的无源器件，常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)动态双脉冲测试，可将输入信号按特定比例分流至多个输出端口
2025-04-30 12:00:12762 
的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESSPFC，直流-直流变换器和太阳能等。这是一个用于测试半桥配置的2kVCoolSiC
2025-06-12 17:33:231062 倾佳电子旨在全面剖析双脉冲测试（DPT）作为功率半导体动态性能评估黄金标准的核心价值。
2025-09-17 16:57:341114 
至关重要。特别是在双脉冲测试中，光隔离探头不仅确保了测试的安全性，还提高了测试测量的准确性和可靠性。本文将深入探讨光隔离探头在双脉冲测试中不可或缺的原因。 双脉冲测试的作用 双脉冲测试（DPT）是一种用于评估电力电子器件如IGBT（绝缘栅
2025-11-14 16:46:063489 
本文导读SiC/GaN将开关速度推向纳秒级，800V高压下的损耗怎么测？ZUS示波器自带双脉冲测试功能，通过“两次脉冲”精准量化开关损耗与反向恢复数据。告别模糊的波形观察，用精确数据支撑电路优化
2025-12-24 11:41:34159 
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