反向恢复过程： 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程 。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 试想一下，如果二极管的反向恢复时间长，那就
2022-12-10 17:06:38
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Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22:14
二极管是单向导通，那么反向恢复时间是什么，需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
? 通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压
2012-07-15 15:28:24
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。二极管规格书下载：
2021-03-22 17:25:26
反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。二极管和一般开关的不同在于,"开"与"关"由所加电压的极性决定, 而且"开"态有微小的压降Vf
2019-12-03 10:16:05
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
小型化。然而，必须首先解决一个问题：SiC MOSFET反向操作期间，体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET，使体二极管失活的器件结构，但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
）结构示意图，其结构大致可分为四部分，上表面阳极金属、外延层（漂移区+缓冲区）、衬底层和背面阴极金属。 作为单极型器件，碳化硅肖特基二极管优点尤为突出，其“反向恢复为零”的特点让其反向特性相比硅基快恢复
2023-02-28 16:55:45
5A、10A和15A对应的反向恢复电流分别是9.3A、13.0A和15.8A； 碳化硅肖特基二极管在5A、10A和15A对应的反向恢复电流分别是2.5A、3.1A和3.6A；从测试数据来看，在5A
2023-02-28 16:34:16
自身的温度，还会影响其对电源电路的效率。不同反向电压下的漏电流是不同的。关系如下图所示：反向电压越大漏电流越大，肖特基管常温下的漏电流可以忽略不计。 3、快恢复二极管型号大全之快恢复二极管的反向恢复
2021-07-30 14:33:17
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，极低反向电流 ，无反向恢复电流 ，低电容电荷， 提高效率，降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
想请教大家一下LLC输出二极管是零电流开通和关断，不存在反向恢复的问题，是否可以采用普通二极管？求解答谢谢
2016-01-07 17:07:05
设定反向恢复时间的trr。我右键edit model仔细看过了确实也没有反向恢复时间这个参数，我也调出来本来库里有的快恢复二极管MUR系列，右键edit model也没有看到设定反向恢复时间的参数。请大神指点，怎么修改反向恢复时间，很重要，多谢多谢，回帖有加分。
2018-04-04 09:08:27
首先，看一下PiN二极管在什么情况下会产生反向恢复？二极管发生反向恢复的条件是它正在导通的时候，突然承受反向电压被迫关断。在这里我们还是以经典的双脉冲测试电路为例进行说明，如图1所示。 图
2020-12-08 15:44:26
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
碳化硅为半导体材料设计的肖特基二极管，由于碳化硅的优点，它的应用范围可以扩展到200V以上场合。对于不同的应用，碳化硅肖特基二极管具有以下优势： ·由等效电容造成的反向恢复电荷很少，所以硅二极管中常
2019-01-02 13:57:40
恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能
2019-03-11 11:24:39
反向恢复的几种方法为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。一种思路是从器件本身出发，寻找新的材料力图从根本上解决这一问题，比如碳化硅二极管的出现带来了器件革命的曙光，它几乎不存在反向恢复
2017-08-17 18:13:40
在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般选用反向恢复时闷较短的整流二极管，常用的主要有快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管。 快恢复二极管和超快恢复二极管广泛用于PWM脉宽调制器、开关电源
2020-10-29 08:50:49
为什么普通整流二极管都没标反向恢复时间？
2023-04-20 16:43:24
的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降
2017-05-22 14:07:53
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我们详细讨论了二极管的结电容：势垒电容和扩散电容。我们也知道了数据手册中所给出的结电容参数，它的大小和反向恢复时间没有关系。如下表所示：序号种类型号结电容反向恢复时间封装品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌电流Ifsm：300A漏电流(Ir)：10uA工作温度：-50~+150℃恢复时间(Trr)：35nS引线数量：3 二极管SFF3006反向恢复过程，现代脉冲电路中大
2021-11-30 16:28:50
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不
2023-02-15 14:24:47
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压
2014-04-26 13:42:10
：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受冲击电流
2016-11-14 20:04:40
，理论上没有反向恢复时间，而快恢复二极管本质上和PIN二极管-一样，是少子器件的反向恢复时间通常在几十到几百ns。3.额定反向耐压下，快恢复二极管的反向漏电流较小，通常在几uA到几十uA;肖特基二极管的反向漏电流则通常达到几百uA到几+mA，且随温度升高急剧增大。`
2018-11-01 15:26:11
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
)功率二极管反向恢复特性(b)二极管关断原理电路(c)关断过程中非平衡载流子浓度分布变化图反向恢复过程从时间T=0开始，施加反向电压V，可以看见，正向电流Ifm开始减小，知道T0时正向电流将为0。从T
2023-02-14 15:46:54
对于二极管来说，加在其两端的电压由正向变到反向时，响应时间一般很短，而相反的由反向变正向时其时间相对较长，此即为反向恢复时间，当二极管用做高频整流等时，要求反向恢复时间很短，此时就需要快恢复二极管
2021-06-30 13:51:20
一步提升电源效率。针对上述情况，解决方案有以下两种。 方案一：将IGBT单管上反并联的快速恢复二极管换成基本半导体的“零反向恢复”的碳化硅肖特基二极管（碳化硅 SBD），这种组合起来封装的器件，称之为
2023-02-28 16:48:24
二极管反向恢复时间测试仪 长春艾克思科技有限责任公司满足国家标准：GB/T8024-2010，使用矩形波法测试反向恢复时间。一：主要特点A：测量多种二极管B：二极管反向电流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
得到更低栅极开关驱动损耗（图1）.碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
、反向恢复时间短的半导体二极管）主要用于各种功率转换器的开关功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到续流效果。碳化硅肖特基二极管4.1 碳化硅肖特基二极管基本型肖特基二极管，也称为热载流二极管，通过
2023-02-07 15:59:32
如何选择开关电源次级输出的整流二极管的反向恢复时间？
2023-04-20 16:41:42
如何选择开关电源次级输出的整流二极管的反向恢复时间？
2023-05-15 17:47:45
中减小损耗和电磁干扰，可靠性高。可应用于低电压整流，高频转换开关，开关电源、高频直流转换器、续流和极性保护等。 二极管反向恢复过程以及注意点 反向恢复时间限制了二极管的开关速度，这一点尤其需要
2020-09-24 16:10:01
快恢复二极管反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr
2021-05-14 14:12:50
P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几
2020-09-24 16:04:45
快恢复二极管与普通整流二级管最大的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢复二极管的反向恢复时间是如何定义的呢？下面来给大家普及一下基础知识：快恢复二极管反向恢复时间（trr）的定义：电流
2017-02-10 17:51:37
快恢复二极管与普通整流二级管最大的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢复二极管的反向恢复时间是如何定义的呢？下面来给大家普及一下基础知识：快恢复二极管反向恢复时间（trr）的定义：电流
2021-08-13 17:15:07
快恢复二极管快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能
2023-02-17 14:08:01
一、快恢复二极管恢复二极管，简称FRD，它是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，与普通二极管一样具有单向导电性，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，主要作为高频
2023-02-16 14:56:38
客户简单讲解一下。肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流
2015-10-19 11:26:11
快恢复二极管，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电
2022-03-31 10:04:12
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复
2021-09-09 06:52:46
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复
2015-11-27 17:55:42
减少，反向恢复时间trr可低至几十纳秒。 肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称，它的构造原理与普通PN结二极管有着很大区别：其内部是由阳极金属(用金、银、钼、铝等)、二氧化硅电场消除材料、N外延层材料
2021-05-14 08:11:44
高压二极管反向恢复时间测试仪满足国家标准：GB/T 4023-1997，使用矩形波法测试反向恢复时间。一：主要特点A：测量多种高速高压二极管 B：二极管反向电流峰值50mA（定制）C：二极管正向
2015-03-11 14:02:20
和高速关断能力，即具有短的反向恢复时间trr，较小的反向恢复电流IRRM和软恢复特性。 在高压、大电流的电路中，传统的PIN二极管具有较好的反向耐压性能，且正向时它可以在很低的电压下就会导通较大的电流
2019-10-10 13:38:53
`<div> 揭秘肖特基二极管的反向恢复时间 肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复时间，也就是肖特基二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间
2018-11-02 11:54:12
整流二极管的反向恢复过程
2021-01-08 06:22:44
；肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
) 碳化硅MOSFET具有极低的体二极管反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷(Qrr)从而降低二极管开关损耗及操声,便于实现LLC谐振宽范围工作。同一额定电流器件，碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷
2016-08-25 14:39:53
` 肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
` 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V
2019-01-08 13:56:57
肖特基二极管是什么？ 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒（2-10ns纳秒），正向压降
2016-04-19 14:29:35
肖特基二极管和快恢复二极管区别：恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！ 复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺
2015-11-27 18:02:58
）和发射极可关断晶闸管（ETO）等。1、SiC 肖特基二极管肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间短，但是就传统的肖特基二极管它的耐压一般不超过200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践
2023-02-20 15:15:50
一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。 设VD为二极管正向压降（硅管为
2020-02-25 07:00:00
请教一下大佬二极管的反向恢复时间是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
编辑-Z超快恢复二极管如何选？我们在选用超快恢复二极管时要注意什么呢？下面给大家介绍一下ASEMI超快恢复二极管资料。 当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从指定
2021-10-25 17:34:10
超高速二极管反向恢复时间测试仪一：主要特点A：测量多种二极管B：二极管反向电流2.5~10mAC：二极管正向电流2.5~50mA D：测量精度1nSE：二极管接反、短路开路保护F：示波器图形显示G
2015-03-11 13:56:18
：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与 硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受
2020-09-18 17:00:12
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关速度；零正反向恢复；和高频操作。针对开关模式电源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 11:50:51
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关速度；零正反向恢复；和高频操作。针对开关模式电源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 17:20:01
碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基MOSFET
2019-04-28 15:11:499743 碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:056028 碳化硅二极管具有较短的恢复時间、溫度针对电源开关个人行为的危害较小、规范操作温度范畴为-55℃到175℃，那样更平稳，还大幅度降低热管散热器的要求。碳化硅二极管的关键优点取决于它具有极快的电源开关速率且无反向恢复电流量，与硅元器件对比，它可以大幅度降低开关损耗并完成非凡的能耗等级。
2023-02-09 10:05:52691 
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在智能
2023-02-10 17:45:171732 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 的通断状态切换速度非常快，也用普通双极二极管技术切换时的反向恢复电流。清除反向恢复电流效应后，碳化硅二极管的能耗降低了70%，可在较宽的温度范围内保持较高的能效，提
2022-12-14 11:36:05843 
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