雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压,但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy],流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 80路串口(230400波特率)同时采集,同时解析,怎么将采集到的字符串解析,目前的思路是一个线程专门读串口采集将读取的用连接字符串连接起来存在全局变量里,另一个线程专门解析全局变量。请问大神有没有
2018-04-30 08:58:45
设计在欠驱动状态。一般而言,对于功率型MOSFET,10V的驱动电压是比较推荐的。另外Rds(on)也是Tj的函数,一般可用如下公式进行计算:a是依赖于沟道技术参数,工艺和使用技术定下来,a是常量
2018-07-12 11:34:11
MOSFET及MOSFET驱动电路基础
2021-02-25 06:05:27
MOSFET的新一代MOSFET,在给定的硅面积中具有更低电阻率(R DS(on)),以实现更高的电流容量。我们的PowerStack™封装技术将集成电路(IC)和MOSFET相互堆叠(见图1),以提供能够供应
2019-07-31 04:45:11
演进,今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系,没有BJT的一些致命缺点,如热破坏(thermalrunaway)。另外,MOSFET在线性区的压控电阻
2020-07-06 11:28:15
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些应用?
2021-07-09 07:45:34
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43:10
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间:Td(on)、上升时间:tr
2018-11-28 14:29:57
继上一篇MOSFET的开关特性之后,本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压MOSFET的VGS(th):栅极
2018-11-28 14:28:20
` MOSFET作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析
2011-08-17 16:08:07
2个系列相关的技术信息链接。要想更深入了解产品,需要确认技术规格的规格值和特性图表,这一点是很重要的。关键要点:・PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻、低栅极总电荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
我看mosfet的技术手册,有两个转移特性曲线,但是不知道这两个的区别在哪,为什么不一样?
2015-10-23 20:51:09
mosfet没有上电时,mosfet驱动电压很正常,mosfet上电后,mosfet的驱动电压却变成了这个样子,请问这是为什么?
2019-03-05 09:53:17
以及 x86 和 x86-64 上运行。 ASan 的 CPU 开销约为 2 倍,代码大小开销在一半到 2 倍之间,并且内存开销很大(具体取决于您的分配模式,但约为 2 倍。没有银弹?软件实现
2022-08-18 11:20:01
(和理想化的Fuzz驱动开发流程)可以处理下一层的bug. 有些内存bug可以通过静态分析发现。基于软件代码加固技术使攻击者发现内存安全问题越来越难。Stack cookies, 不可执行代码的内存
2022-08-18 11:24:47
,serial.h 和 serial.cpp可以直接移植到产品开发中使用,serial.cpp中open函数是核心,片段代码如下:zb_msgzb_msg主要是把串口协议进行解析,串口协议设计如下:start
2022-09-27 16:08:06
细说电流隔离低压差分信号传输 (LVDS)接口,涉及到串行数据传输的既有接口标准 (TIA/EIA-644)
2020-12-18 06:01:32
好的传感器的设计是经验加技术的结晶。一般理解传感器是将一种物理量经过电路转换成一种能以另外一种直观的可表达的物理量的描述。而下文我们将对传感器的概念、原理特性进行逐一介绍,进而解析传感器的设计的要点。
2020-08-28 08:04:04
的峰值电压等于输入电压,降低了开关所承受的电压应力。这种技术需要额外的MOSFET (Q2)和高端驱动器,且需要2个高压低功率二极管(D3和D4),参见图2。双开关正激技术的每个开关周期包含3步:第1步
2022-01-06 06:30:00
也会出现一个与SWITCH同频率的纹波,一般所说的纹波就是指这个。它与输出电容的容量和ESR有关系。这个纹波的频率与开关电源相同,为几十到几百KHz。另外,SWITCH一般选用双极性晶体管或者MOSFET,不管是哪种,在其导通和截止的时候,都会有一个上升时间和下降时间。这时候在电路中就会出现一个与SW
2021-12-30 08:31:11
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到
2019-03-06 06:30:00
1、rtthread运行libcsv 库的使用最近做一个,需要做数据存储化的。一开始是,使用数据生成的目标文件格式为项目名称,保存数据文件来为格式存储,使用 cJSON库进行数据解析,每个
2022-08-25 15:40:05
NFC的起源NFC技术的工作原理NFC与RFID区别NFC的技术特征NFC的工作应用模式NFC技术主要应用NFC技术在手机上的主要应用
2020-12-18 06:29:05
一文读懂什么是NEC协议?
2021-10-15 09:22:14
` 本帖最后由 讯飞开放平台 于 2018-7-2 08:55 编辑
语音识别是十年来发展最快的技术之一,随着AI的不断发展,深度学习让语音识别技术得到了质的飞跃,开始从实验室走向市场,并逐步
2018-06-28 11:27:08
清晰度或者解决各种各样的音视频问题。电子发烧友特意举办了这次音视频技术博客大赛,给大家提供一个分享的平台。所有涉及音视频技术的博文,都可以在这里投稿,谢谢参与。本活动旨在建立一个技术交流平台,鼓励广大
2013-11-12 19:50:40
)文章小结(5%) 2.参赛博文格式要求 (1)字数在1500-3000字之内,内容完整,有条理,能提供2到3张清晰的技术图表, (2)对文、图、表中的专业英文缩略词作中文注解 (3)提供100字左右
2013-10-22 00:10:25
了门极信号;如同直通电流一样,它会影响到该开关电源。这会产生很大的反向恢复dv/dt,有时会击穿MOSFET Q2。这样就会导致MOSFET失效,并且当采用的MOSFET体二极管的反向恢复特性较差
2019-09-17 09:05:04
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
一样,商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中,并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是
2017-04-15 15:48:51
电子发烧友总结了以“ MOSFET”为主题的精选干货,今后每天一个主题为一期,希望对各位有所帮助!(点击标题即可进入页面下载相关资料)如何读懂并理解MOSFET的Datasheet ? (中英双
2019-04-19 17:45:32
的。那么下管导通瞬间,是发生在下管的Rdson从无穷大到很小的过程中的。那么下管突然导通,M点的电压肯定会被拉低,既然被拉低,必然有一个回路存在。如下图所示:上期回顾:从无到有,彻底搞懂MOSFET讲解(八)
2021-07-09 09:55:28
MOSFET来说,GS内部有一个电容存在的。充满电后,维持住这个电压,那么就持续导通了。在充电过程中,是消耗电流和产生功耗的;当充电完成后,电容上是没有电流的,没有电流,则没有损耗。那么,这个时候功耗很低
2021-04-30 09:47:07
个管子的时候,我们也不知道这个管子GS有没有电,这个管子有可能是导通的,放到电路上去焊接的时候,可能会出现问题。为了考虑到安全性,我们必须在电路设计的时候,在MOSFET的G和S之间要加一个电阻,这样
2021-05-10 09:52:22
功率并不小,因为电压高啊。低压MOSFET,Rdson小,一般几mΩ,比如3mΩ,可以做到几十,甚至100A。下篇文章我们来讲一下MOSFET的开通和关断上期回顾:从无到有,彻底搞懂MOSFET讲解(一)
2021-05-07 10:11:03
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-9-1 17:15 编辑
接下来接着看12N50数据手册。上面这个参数是MOSFET的热阻,RBJC 表示MOS管结温到表面的热阻,这里我们知道
2021-09-01 17:10:32
稳定一些。这也就是为什么过了平台区之后,管子不怎么震荡了,这也和上面这幅图表达的含义有关系的。上面这幅图相对来说比较关键。它是MOSFET工作的一个安全区域。MOSFET选型的合适与否,就要看上面这幅图
2021-09-07 15:27:38
MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析!纯手工画图解析,这资料还是可以的回帖直接下载原文档 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
新手求教,串口通讯接收内容能收到,但是不能实时被解析,运行时,解析程序没反应。如果将接收的内容复制到字符串常量中,解析程序有结果,怎么做能实时解析呢?谁能给解答一下.
2019-04-08 20:06:54
。设计挑战然而,SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑,在带来改进的同时,也带来了设计挑战。在诸多挑战中,工程师必须确保:以最优方式驱动 SiC MOSFET,最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
什么是MOSFET驱动器?MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
从IPv4到IPv6组播过渡技术解析
2021-05-27 06:37:15
就小了。假设MOSFET的导通阈值是1V 或者2V,那么一个3.3V的单片机就可以搞定了。那么,我们也知道,高阈值的管子开通的上升沿是很长的,从关断到完全开通需要t0-t4这个时间。那么低阈值
2021-08-11 16:34:04
结温到表面的热阻,这里我们知道RBJC=0.75。热阻的计算公式:,其中,Tj表示MOSFET的结温,最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面温度。通过上面公式可以计算一下,表面温度在25
2021-08-16 11:07:10
光耦PC817中文解析
2012-08-20 14:32:28
扔掉电源线,给自己的智能手机进行无线充电。这对于许多人来说可能有点天方夜谭。但事实上,无线充电技术很快就要进入大规模的商用化,这项此前不为大众所熟悉的技术,正悄然来到我们的面前。全面解析无线充电技术
2016-07-28 11:13:33
六大汽车安全技术全解析
2012-08-20 13:15:06
Google 击败了甲骨文(Oracle),关于 Android 是否属于 Java API 的技术抄袭的版权纠纷告一段落。Google 与甲骨文在 Android 智能手机系统软件应用方面
2016-06-07 11:36:18
语句对GPS信号进行解析,最后再将解析后的语句通过串口1传送给上位机。但是,经多次调试和仿真后发现程序会卡在解析函数nmea_decode_test()函数中,或者说是只要执行到该函数程序就会跑飞,但是一直找不到原因是为什么?急~求大佬指导:((PS:此处附上整个工程的代码)
2019-06-03 15:57:28
关于TFT-LCD的三种广视角技术解析,不看肯定后悔
2021-06-04 06:09:29
关于汽车电子功率MOSFET技术,总结的太棒了
2021-05-14 06:13:01
,工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念,是DC-DC转换器的理想选择;相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET数据表都包括一组热电阻数字,以便为客户提供器件热性能的参考点。功率MOSFET数据表中提供的最常见的两种热电阻是结到环境和结到管壳的热阻抗。结到管壳的热电阻定义为“从半导体器件的工作部分到封装外部
2018-10-18 09:13:03
样的。(3)由于我们是410c 的平台我们cd 到device/qcom/msm8916_64下新建一个文件夹叫Tem/ 接着我们把我们需要内置的文佳复制到Tem/中 (4)在device/qcom
2018-09-25 16:51:36
基于嵌入式的远程测试控制技术解析,不看肯定后悔
2021-05-27 07:02:58
基于泰克MSO64的全新时频域信号分析技术解析,看完你就懂了
2021-06-17 08:04:35
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
【追踪嫌犯的利器】定位技术原理解析(4)
2020-05-04 12:20:20
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
工业互联网的核心是数据的价值发现问题,但由于历史原因,“信息孤岛”现象在企业内部、企业之间大量存在。标识解析技术是目前可见解决“信息孤岛”、完成工业大数据汇聚以及在此基础上形成信息融合理解的关键技术。分析了标识解析在工业互联网领域应用要解决的几个关键环节,并且给出了进行工业互联网数据理解的研究思路。
2023-09-19 06:07:17
新型低功耗无线标准ZigBee技术解析,不看肯定后悔
2021-06-04 06:28:11
金鉴出品】新能源汽车SiC MOSFET芯片漏电红外热点定位+FIB解析碳化硅器件的高压高频和高效率的优势,可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制,这是目前国内外电动汽车电机领域研发
2018-11-02 16:25:31
步进电机重要的相关技术解析,步进电机已经渗透入我们生活的方方面面,本文介绍了一些重要的步进电机相关技术,为开发人员基本了解步进电机的工作原理提供了足够的信息,同时也介绍了用微控制器或数字信号处理器
2021-07-09 06:46:23
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
最近我们在弄一个TTL解析程序我用51做了一个PWM的电机控制,再通过传感器测速的出来的TTL电平数据读到51单片机里面。再显示到12864上面。现在是这个TTL的解析程序没有坛子里面有没有同学有这方面的程序呀能不能共享一下,或者在这方面指点一下。谢谢了
2013-08-02 13:01:19
应用看,未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到,一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术,那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一
2012-12-06 14:32:55
`本书介绍了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管,它是继MOSFET之后新展开起来的高效、功率开关器件。本书深入解读了MOSFET的关键特性和指标,通过图表让读者
2019-03-06 16:20:14
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
`蓝牙模块详细解析物联网在智能家居、电子产品等领域全面发展,使近距离通信的无线连接技术越来越多的应用在物联网新兴产品中,为设备提供稳定和低功耗的数据传输服务的蓝牙模块更是成为物联网市场的宠儿,被
2018-06-13 17:24:08
运放正负12伏供电,运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压,mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地,20欧姆电阻连接运放反馈端,我想把运放个mosfet进行隔离,求方案。求器件。整个原理其实就是运放控制mosfet实现电流源。
2018-08-02 08:55:51
`·随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将
2011-08-17 14:18:59
嗨喽,各位工程师们我们今天说点啥呢?无意间发现发现一块集成MOSFET的Buck电源的Demo板,虽然电路很简单,但是布局颇有教科书的意味。我们换个思考方向,看看是不是很容易去理解呢?废话不说,切入正题!在电路设计的时候,这个2A~10A这个范围内的DCDC一般都采用这种电源解决方案。
2020-11-02 07:40:06
美国ALLEGRO文丘里风机,气动风机,气动通风机,文丘里风机应用于:炼油厂、发电厂、造船厂、造纸和纸浆厂、海洋舰船、钢铁工业以及人孔(沙井)的通风换气。文丘里风机特别适用于有毒烟雾
2022-10-18 16:30:36
泛亚电池技术解析
2009-10-30 10:24:45492 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:135530 《mosfet的应用_mosfet品牌-精华汇总》技术专题包括mosfet品牌、mosfet的应用、mosfet基础知识(含mosfet工作原理和mosfet参数)、mosfet驱动(含驱动电路
2012-08-10 14:30:46
全面解析多点触控技术
2017-01-14 12:30:4115 功率MOSFET在上世纪80年代开始兴起,在如今电力电子功率器件中,无疑成为了最重要的主角器件。
2021-04-12 17:03:153756 MOSFET作为功率开关管,已经是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析MOSFET的驱动技术,以及在不同的应用,应该采用什么样的驱动电路。
2023-04-18 09:19:31604 MOSFET数据手册常见参数解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss
2023-06-19 09:53:14759 功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 锁相环技术解析(下)
2023-11-29 16:39:56216 锁相环技术解析(上)
2023-11-29 16:51:25327 电子装联技术解析
2023-11-23 16:18:10322
评论
查看更多