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电子发烧友网 > 设计技术 > 应用案例

32款emc设计标准电路设计方案

01 AC24V接口EMC设计标准电路 02 AC110V-220VEMC设计标准电路 03 AC380V接口EMC设计标准电路 04 AV接口EMC设计标准电路

2023-08-02 关键字: 以太网usb无源晶振CANemc

稳压二极管的工作原理和稳压二极管经典电路

稳压管正常工作时处于反向击穿状态,该区间是可恢复的。不要误以为看到击穿两个字就认为是器件损坏了。稳压管也属于二极管的一种,二极管相当一个PN结,就是利用PN结的特性而制作的。

电烙铁焊锡有毒吗?电烙铁焊PCB真的有毒?

有网友吐槽称,他在PCB工厂用电烙铁焊锡一年整了,都感觉到身体开始不舒服了,腹部有点胀,焊锡有毒吗?是不是会铅中毒。

2023-08-01 关键字: pcb电烙铁神经系统PCB焊接

如何使用全波矩量法(MoM)技术分析天线步骤

以RFID标签为例,本文介绍利用 Camera Calibrator (Computer Vision System Toolbox) 和 Image Segmenter (Image Processing Toolbox) 进行照片构建和分析天线的工作流程(图1),包括分割图像、找到几何边界、校准天线尺寸以及使用全波矩量法(MoM)技术分析天线等步骤。

2023-08-01 关键字: RFID天线射频识别RF系统

便携电源如何向上突破?向上突破后的优势有哪些?

目前的便携电源单体,普遍在2kWh以下,而目前户用储能主流配置在10kWh及以上。

我们离不开的电源管理IC芯片基础知识科普

谈到芯片,出现在脑海里的是“高精尖”,是一条条电路,是一个个信号,是“0”和“1”……如今芯片已经参与到了我们生活的方方面面,凡是有电的地方,就离不开芯片。

电源缓启动电路作用 MOS管为什么需要电源缓启动

R2/R1和C1:实现防抖动延时功能,R1给C1提供快速放电通道;R1/R2分压值大于D3的稳压值;R2选20K欧姆,R1选10K,C1选4.7uF左右(具体根据滤波时长要求)。

浪涌与雪崩高鲁棒性氧化镓功率二极管

反向雪崩击穿和正向浪涌鲁棒性是半导体功率器件在高电场和大电流密度等极端条件下非平衡载流子动力学的基本特征,也是所有元器件在电动汽车、轨道交通、电网和新能源等实际应用场景中承受瞬态过压(Overvoltage)、过流(Overcurrent)等应力冲击的先决条件。

用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolS...

增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块,采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC,并有使用预涂的热界面材料(TIM)版本。

深度解析雷电浪涌和过压保护电路设计(应用实例)

这两种类型的雷电电流波用于定义SPD的测试(IEC标准61643-11)和设备对雷电电流的抗扰性。电流波的峰值表征雷击的强度。

关于连接器的使用要求错误的有

线对板连接器产品主要应用领域包括电子设备、电器和军工领域。

2023-07-28 关键字: PCB板印刷电路板连接器接触器

开发出绝对零膨胀电池材料,10C循环17000圈容量保持91...

超长寿命(至少 10 000 次循环)锂离子电池对于固定储能应用非常有效。然而,由于晶内应变/应力会逐渐累积,即使是单位电池体积变化小于 1% 的 "零应变 "材料也无法维持超长循环。

日志结构存储下数据放置的方法浅析

日志结构存储在当今存储系统中被广泛使用,然而其中的垃圾回收会将有效数据重新写入导致写放大现象。

2023-07-28 关键字: 存储器

双石墨烯:一种有前途的超高比容量锂离子电池负极材料

 锂离子电池长期以来一直是储能的重点。本文,西安建筑大学Shuli Gao、陈长城 副教授等在《J. Phys. Chem. C》期刊发表名为“Twin-Graphene: A Promising Anode Material for Lithium-Ion Batteries with Ultrahigh Specific Capacity”的论文,研究采用第一性原理密度泛函理论方法研究了碳衍生结构作为锂离子电池负极的潜在应用。

2023-07-28 关键字: 锂离子电池电池充电开路电压

USB PD快充接口浪涌静电保护选用什么型号的TVS二极管呢...

USB Power Delivery ,简称USB PD,是由USB-IF组织制定的一种快速充电规范,目前主流的快充协议之一。

设计医疗PCB面临着一些挑战 医疗PCB技术的新兴趋势

随着医疗行业对高质量医疗PCB的需求不断增长,制造医疗PCB面临着一系列挑战。

氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究

超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势, 在功率电子和微波射 频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

浅谈雷达技术的几个发展趋势

氮化镓(GaN)被认为是自硅以来影响最大的半导体创新产品,该材料能够在比传统半导体材料高得多的电压下工作。更高的电压意味着更高的效率,因此基于GaN的RF功率放大器和衰减器具有更低的功耗,且产生热量更少。随着越来越多使用GaN的RF元件供应商为市场提供适用于生产的可靠产品,基于GaN的放大器日益普及。

直流有刷电机EMC抑制措施

S和N为永磁体,此时线圈在磁场中受力的作用沿顺时针方向转动,由于换向器的存在,在线圈转动180°后线圈的电流依旧是左边流入右边流出,线圈保持沿顺时针方向转动。

高灵敏度数字双极霍尔效应传感器-SC2402介绍

SC2402 是一种采用混合信号 BiCMOS技术设计的霍尔效应锁存器。

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