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电子发烧友网>移动通信>三星电子推出30纳米级低功率1.25V服务器

三星电子推出30纳米级低功率1.25V服务器

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三星于去年4月向全球客户提供7纳米产品,自开始大规模生产7纳米产品以来,三星仅在八个月内就推出了6纳米产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短,特别是向6纳米EUV工艺的过渡有望缩小与全球第一大晶圆代工厂台积电(TSMC)的差距。
2020-01-06 11:40:033622

三星正式推出Exynos 2100芯片

全球半导体产业格局在2020年发生巨变,这也给三星自家的Exynos系列芯片带来了前所未有的机遇。今日,三星正式发布全新一代旗舰手机芯片Exynos 2100,这是三星最新的基于5纳米制程的旗舰移动处理,必将成为三星Galaxy S21多个地区的主打芯片。
2021-01-13 10:43:052874

英特尔10纳米级Ice Lake服务器处理即将放量

受到14纳米产能供需失衡及10纳米制程延宕冲击,英特尔(Intel)尽管业绩未见明显衰落,但半导体、PC龙头地位双双面临动摇危机。英特尔近日宣布继NB后,10纳米级Ice Lake服务器处理即将
2021-01-14 12:00:323113

ADR1581:1.25V微功耗、精密并联电压参考数据表

ADR1581:1.25V微功耗、精密并联电压参考数据表
2021-05-13 10:51:333

三星电子正研发更薄的MLCC电容,使用纳米级粉末

三星电子于今年宣布,成功生产出超小型 MLCC 多层陶瓷电容,长度 0.4mm,宽度0.2mm,但是其容量可达 1μF,耐压 6.3V。 据韩国媒体 The Elec 消息,三星电子在 Nano
2021-09-11 17:50:422050

三星宣布已开发出用于企业服务器的PM1743固态硬盘

官方发布 今日,三星宣布已开发出用于企业服务器的PM1743固态硬盘。PM1743固态硬盘拥有最新的PCIe 5.0接口和三星先进的第6代V-NAND闪存技术。
2021-12-30 11:57:363958

三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

-三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布    2022年12月21日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:291206

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人
2022-12-21 21:19:541342

SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

* 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储认证  * 以DDR5积极应对服务器市场,提早克服存储半导体低迷期  * 第二代10纳米级也一同认证,以多种产品群应对
2023-01-12 21:32:261496

三星3纳米良率不超过20% 将重新拟定制程工艺时间节点

三星最新公布的制程工艺技术路线图显示,该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺,以满足客户对高性能处理的需求。此前,三星已于今年公布,其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。
2023-06-29 16:26:332318

单芯片超过 100Gb,三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片

三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241721

浅谈三星SF1.4(1.4 纳米级)工艺技术

2025 年,三星预计将推出 SF2(2nm 级)制造工艺,该工艺不仅依赖 GAA 晶体管,还将采用背面功率传输,这在晶体管密度和功率传输方面带来了巨大的好处,
2023-11-01 12:34:141856

10ppm/°C、1μA、1.25V 分流电压基准REF1112数据表

电子发烧友网站提供《10ppm/°C、1μA、1.25V 分流电压基准REF1112数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-01 15:23:110

三星AI推理芯片Mach-1下半年量产,4nm工艺服务器级算力加持

三星已制定了Mach-1的生产计划:预计今年下半年实现量产,年底完成芯片交付,明年第一季度推出基于此芯片的推理服务器。此外,三星已获得Naver高达1万亿韩元(约合52.8亿元人民币)的预订订单。
2024-05-10 10:45:071441

三星电子实现低功耗LPDDR5X DRAM的量产

三星电子于6日正式宣布,其已成功实现业内领先的12纳米级低功耗双倍数据速率动态随机存储(LPDDR5X DRAM)的量产,这款存储以惊人的0.65毫米封装厚度引领行业,同时提供12GB及16GB的存储容量选项。
2024-08-06 15:30:421414

航天级 100krad 1.25V 低噪声电压基准电路应用说明

电子发烧友网站提供《航天级 100krad 1.25V 低噪声电压基准电路应用说明.pdf》资料免费下载
2024-09-12 09:33:152

航天级50krad 1.25V低噪声电压基准电路

电子发烧友网站提供《航天级50krad 1.25V低噪声电压基准电路.pdf》资料免费下载
2024-09-20 09:17:540

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