IGBT单管与IGBT模块的区别是什么

　　IGBT单管是一种N沟道增强绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源极区，连接到其上的电极称为源极区。P+区域称为漏极区。器件的控制区域是栅极区域，连接到其上的电极称为栅极。通道紧邻围栏边界形成。漏极和源极（形成沟道的地方）之间的P形区域（包括P+和P区域）被称为子沟道区域。漏极区另一侧的P+区称为漏极注入区，这是IGBT的一个独特功能区，漏极区和子沟道区一起形成PNP双极晶体管，它起发射极的作用，向漏极注入空穴，导电调制，并降低器件的导通电压。连接到漏极注入区域的电极被称为漏极。

　　IGBT功率模块采用IC驱动、各种驱动器保护电路、高性能IGBT芯片、新型封装技术，从复合功率模块PIM到智能功率模块IPM、电力电子构建模块PEBB、功率模块IPEM。

　　IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级。它们的应用领域基本相同。然而，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装大大方便了用户。随着新封装技术的采用，IGBT的性能也得到了极大的提高，拓展了IGBT的应用领域。

　　IGBT最常见的形式实际上是模块，而不是单管。

　　模块的3个基本功能：

　　1、多个芯片与金属衬底绝缘；

　　2、中空塑料外壳包装，与空气隔离的材料是高压硅脂或硅脂，以及其他可能的柔性绝缘材料；

　　3、同一制造商，同一技术系列产品，IGBT模块的技术特点与相同规格的IGBT单管基本相同。

　　该模块的主要优点如下。

　　1、多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。

　　2、多个IGBT芯片根据特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以降低外部电路连接的复杂性。

　　3、多个IGBT芯片位于同一金属基板上，相当于在独立散热片和IGBT芯片之间增加了一个蒸汽室，更可靠。

　　4、模块内的多个IGBT芯片由模块制造商进行筛选，与商用分立元件相比具有更好的参数一致性。

　　5、模块中多个IGBT芯片之间的连接优于多个分立单管的外部连接，电路布局更好，引线电感更小。

　　6、模块的外部引线端子更适合于高电压和高电流连接。同一制造商的同一系列产品，模块的最高电压等级通常会比IGBT单管高1-2级，如果单管产品的最高电压规格为1700V，则模块具有2500V、3300V甚至更高电压规格的产品。

　　IGBT的核心技术是单管而不是模块，而模块实际上更像是组装产品和模具的组合和组装。换言之，IGBT单管是IGBT制造商的核心技术。

　　综合henlito和百度问答整合

　　审核编辑：郭婷