通过双脉冲测试，可以得到IGBT的各项开关参数。
2023-11-24 16:36:42
1613 
区，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT的开关作用
2012-07-25 09:49:08
各位高手，查看资料贴的时候，看到逆变器有一重要参数---电压转换系数，对于IGBT是需要计算还是在IGBT的说明书中有此参数说明，请高手给予帮助，谢谢了！！！
2018-07-03 15:21:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，IGBT模块
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，IGBT模块
2012-07-09 10:12:52
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向
2012-07-09 10:01:42
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑
请哪位高手指点一下，如何测量IGBT单管的好坏，谢谢
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
这里以单个IGBT管为例（内含阻尼二极管），IGBT管的好坏可用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，使IGBT的CE脚在关闭状态下，避免
2012-04-18 16:15:53
大家好，我是新手，想做一个PWM卸荷装置，请问一下，这个IGBT管怎么接线？谢谢
2012-12-17 13:48:41
如图1所示。用高压隔离探头测量Vce及Vge的电压大小，用罗氏线圈测量电流Ic的大小，测试结果通过示波器进行监控；上管IGBT的Vge加负压或直接短路，因此它是关断的，只有其并联的二极管起续流作用，在
2019-09-11 09:49:33
各位好，想请教下双脉冲测试的几个参数问题。项目所用IGBT是1200V 75A的单管，开关频率4kHz。初次接触双脉冲测试，有几个疑问：（1）测试时的最大电流是按额定75A来，还是150A
2019-11-06 20:47:30
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
低压小功率场合IGBT没有优势。比如H20R1203这款芯片，在电磁炉当中应用当中很常见，如下图为其中一款电磁炉电路板，贴在散热器上，其中上方为整流桥，下方为IGBT。 如果是想使用场效应管
2021-03-15 15:33:54
大的器件将损坏，这是半导体器件并联中老大难的问题，为此，要提高斩波包括其它电力电子设备的可靠性，应该尽量避免器件并联，而采用单管大电流器件。从理论上讲，IGBT在大电流状态具有正温度系数，可以改善均流
2018-10-17 10:05:39
等级，从而提升变流器的功率等级。考虑到前者功率密度相对较低，从性价比出发，IGBT并联技术是最好的选择。1IGBT并联运行分析1.1 影响并联IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并联二极管静态参数
2015-03-11 13:18:21
dv/dt限制，过小的栅极电阻可能会导致震荡甚至造成IGBT或二极管的损坏。 栅极电阻的大小影响开关速度，即后边介绍的开通关断时间，进而影响IGBT的开关损耗，datasheet上驱动电阻对开
2021-02-23 16:33:11
串接在主电路中，通过电阻两端的电压来反映电流 的大小;对于大中容量变频器，因电流大，需用电流互感器TA。电流互感器所接位置：一是像串电阻那样串接在主回路中，二是串接在每个IGBT模块上，。前 者只用一
2012-06-19 11:26:00
本人在IGBT代理和原厂做了7年，跑了全国上百家igbt用户， 对IGBT市场比较了解，非常清楚哪家的价格和货源情况， 并了解哪些型号，哪家价格有优势，哪家供货好， 如希望了解IGBT优质采购渠道，请QQ:1874501009
2012-06-30 17:26:05
=0或者负电压时（负电压作用：可靠关断），IGBT断开。 常见的有IGBT单管和IGBT模块两种结构。 2.IGBT主要参数 ①集电极—射极电压（VCE）：截止状态下集电极与发射极之间
2021-01-20 16:16:27
什么是IGBT模块？IGBT是一种功率半导体芯片，是绝缘栅双极晶体管的简称。IGBT功率模块是在一个封装中组装和物理封装多个IGBT功率半导体芯片。。..IGBT功率模块用作电子开关器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
在600V±20%范围内损耗可以认为为线性的”。 特性三：在一个50Hz的周期内，上管IGBT进行不断的调制，每次开通的电压为Vbus，下管一直处于截止状态；流过IGBT的电流可以初步认为是一个正弦波
2023-02-24 16:47:34
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT过流保护的保护时间一般设定成多少合适？根据IGBT哪些参数得出来的那？
2017-02-24 11:01:51
`如图请问英飞凌IGBT参数频率参数里最大最小值分别是什么意义`
2017-08-30 13:05:50
片发热厉害，分析一下，这个时候只有剩下导通损耗了呀。多次怀疑自己的开通时序问题，但是都没有发现问题，经过长时间的折腾，测试IGBT的特性，发现问题是IGBT的管压降比官方参数高，官方2.0V，实测
2015-03-11 13:15:10
耦反馈给输入侧，以便于采取相应的解决措施。在IGBT关断时，其C～E极两端的电压必定是超过7V的，但此时，过流检测电路失效，HCPL-316J芯片不会报故障信号。实际上，由于二极管的管压降，在IGBT
2012-09-09 12:22:07
请帮忙看下这个IGBT驱动电路是否可行；如果可行，栅极电压将会是多少，以及三极管Q1，Q2在IGBT导通时的工作状态
2013-08-18 19:56:22
电流能力，匹配IGBT驱动要求。 当HCPL-316J输出端VOUT输出为高电平时，推挽电路上管(T1)导通，下管(T2)截止， 三端稳压块LM7915输出端加在IGBT门极(VG1)上，IGBT
2008-10-21 09:38:53
单WiFi功能双频WiFi模块解析
2021-05-18 06:40:57
ASEMI的IGBT管FGL40N120AN适用于什么场合？-Z
2021-05-25 14:02:00
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下
2022-04-01 11:10:45
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下
2020-07-19 07:33:42
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28:40
的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。 IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和
2020-07-07 08:40:25
和二极管，再将两者封装在一起，做成IGBT模块。这样的做法使IGBT模块寄生电感较高、集成度较低。为降低成本、提高芯片的功率密度，IGBT与二极管同时在集成同一个硅片上的逆导型IGBT(Reverse
2019-09-26 13:57:29
出同类的几个型号，把他们详细参数分享给大家，希望能在选型上帮到大家。 IGBT驱动光耦使用注意事项：1） 由 于 流 过IGBT的 电 流 是 通 过 其 它 电 路 检 测 来 完 成 的 ， 而 且
2012-12-12 11:20:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 编辑
逆变焊机，分MOS管，IGBT单管，IGBT模块。mos管，看着就像三极管，很小，一般都是电磁炉什么的在用。一般160的TIG
2012-07-09 14:09:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
逆变焊机，分MOS管，IGBT单管，IGBT模块。mos管，看着就像三极管，很小，一般都是电磁炉什么的在用。一般160的TIG
2012-07-09 10:17:05
毕设做IGBT驱动电路相关，希望有大神能解释一下这个电路上半部分、下半部分光耦6N136、LM319所连接的电路解析以及下半部分所连接的电阻电容参数如何计算取值？非常感谢大家
2018-04-19 11:35:55
为什么同一个单管在IC617和dynamic link 的ADS2016中参数不同那？同一个单管，在IC617中仿S参数仿真，和dynamic link出去在ADS2016中仿真，得到的S参数有0.2dB的误差哪？
2021-06-24 06:43:31
区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给
2012-06-19 11:36:58
EN-3020C IGBT静态参数测试系统是什么？EN-3020C IGBT静态参数测试系统测试原理是什么？
2021-09-27 08:22:51
计算出实际电流大约为：100K/500/0.4/2=250A，一般加倍选则，所以应该选500A/1200V的IGBT模块”单管0.4，上下臂加起来就是0.8，再大也可以，不过就不安全了，占空比1就是直通
2012-07-10 09:58:03
。电磁感应加热IGBT单管散热问题电磁感应加热IGBT有单管和模块两种，在用单管时，单管IGBT的外壳与铝接一起作为散热用，而外壳刚好与接到线圈的输出端为同一极，这样散热铝片也就带电转载自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:03:42
。电磁感应加热IGBT单管散热问题电磁感应加热IGBT有单管和模块两种，在用单管时，单管IGBT的外壳与铝接一起作为散热用，而外壳刚好与接到线圈的输出端为同一极，这样散热铝片也就带电转载自http://cxtke.com/
2012-07-09 11:57:40
次品。本仪器用于大功率IGBT、mos管。采用国际上比较流行的测试条件，仪器小巧轻便，读数直观，外配电脑显示屏幕清晰分析功率器件的实际特性。一：主要特点A：测量多种IGBT、MOS管 B：集电极脉冲恒流源
2015-03-11 13:51:32
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT和MOS管的区别是什么？IGBT和可控硅的区别有哪些？如何实现IGBT驱动电路的设计？
2021-11-02 08:30:41
电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清
2019-05-02 22:43:32
)。但由于CE端产生了电压尖峰， 故使集电极电流iC有了一个负向的尖峰。 另外， 开通过程中， 由于二极管D1的反向恢复电流IRM将叠加在集电极电流iC上， 这也会使IGBT实际流过的电流存在一个尖峰
2011-09-08 10:12:26
` 本帖最后由 比亚迪微电子 于 2016-1-12 21:31 编辑
1、 引言绝缘栅双极晶体管（Integrated Gate Bipolar Transistor：IGBT）是一种由金属
2015-12-24 18:13:54
`模电前辈们，求 IGBT 高频电源 ADC采集电压 滤掉开关管的尖峰 办法`
2016-01-21 21:19:49
模电前辈们，求 IGBT 高频电源 ADC采集电压 滤掉开关管的尖峰办法
2019-07-15 02:57:42
即可； 04.IGBT功率管的型号找相近的型号即可，通过修改参数来改变效果； 05.IGBT功率管正在在使用中需要添加正反电压保护（双向二极管限制）； 四。 电路板PCB设计 01.本设计选用
2023-03-27 14:57:37
在电磁炉上的应用 电磁炉是一种家用电器，它原理是利用交变磁场产生涡电流来给食物加热，而控制电磁炉交变磁场的产生与消失就是通过开关器件IGBT来实现，对于家用电磁炉来说，一般是使用单管，也就是一个
2023-02-28 13:51:19
电磁炉常用IGBT管型号及主要参数 目前，用于电磁炉的IGBT管主要由：AIRCHILD(美国仙童)、INFINEON(德国英飞凌)、TOSHIBA(日本东芝)等几家国外公司生产，各公司对IGBT管
2012-03-22 19:09:22
电磁炉怕IGBT烧管的维修经验不要看它比电视机小，烧起IGBT来还真愁。在交流220V上，串接一个60-100W的灯泡，加锅，接通电源：1. 若灯泡暗红，开启电磁炉电源，灯泡一亮一暗地闪烁，表明
2009-07-21 19:02:06
，大电流规格的IGBT需要将多个管芯装配到一块金属基板上。单管模块外部标签上的等效电路如图1所示，副发射极（第二发射极）连接到栅极驱动电路，主发射极连接到主电路中。 图1 单管，模块的内部等效电路
2019-03-05 06:00:00
; P沟道图1-8：IGBT的图形符号注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。图1-9：IGBT的等效电路图。上面给出了该器件的等效电路图。实际上，它相当于把MOS管和达林顿晶体管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
英飞凌IGBT参数中文版搞电源变频器电焊机 必备资料
2019-02-09 21:33:19
IGBT单管样品怎么测试合格呢？过载能力怎么测试呢？
2018-07-30 16:05:23
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29:03
：在 IGBT 的 CE 极上并联“续流二极管”。有了这个续流二极管，电机的电流就是连续的。具体怎么工作的呢？如下图，负载上换成了一个电感 L。当 1/4 开通时，电感上会有电流流过。然后 PWM 波
2020-03-13 07:00:00
°C/W IGBT裸片的峰值温度就会是： 二极管裸片峰值温度就是： 结论 评估多裸片封装内的半导体裸片温度，在单裸片组件适用技术基础上，要求更多的分析技术。有必要获得两个裸片提供的直流及瞬时热信息
2018-10-08 14:45:41
转自《电力电子网》大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上去，可能
2017-03-24 11:53:14
供应SGTP5T60SD1S igbt驱动电机5A、600V-igbt管型号参数，提供SGTP5T60SD1S关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域， 更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:57:21
供应igbt单管逆变焊机SGTP5T60SD1F 5A、600V 型号及参数，提供SGTP5T60SD1F关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:05:15
供应SGT20T60SD1F 20A、600V igbt单管开关逆变器，提供SGT20T60SD1F关键参数 ，是士兰微IGBT代理商，更多产品手册、应用料资请向骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:40:25
供应士兰微焊机IGBT单管 驱动SGT20T60SDM1P7 20A、600V参数，提供SGT20T60SDM1P7 关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:01:10
在任何装置中使用IGBT 都会遇到IGBT 的选择及热设计问题。当电压应力和电流应力这2 个直观参数确定之后， 最终需要根据IGBT 在应用条件下的损耗及热循环能力来选定IGBT。通常由于使用条件
2017-09-22 19:19:37
30 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 门极参数Rge Cge和Lg对IGBT开关波形的影响说明。
2021-04-18 10:22:4913 关于IGBT的内部寄生参数，产品设计时对IGBT的选型所关注的参数涉及到的寄生参数考虑的不是很多，对于其标称的电压、电流和损耗等关注的比较多。当然针对不同的应用场合，所关注的方面都不不尽相同，比如
2021-06-12 10:29:009667 
IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢？IGBT模组静态参数测试需要的仪器是一系列的
2021-11-16 17:17:301968 IGBT短路测试方法详解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。
2022-08-01 09:56:102079 
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:285337 
英飞凌igbt型号及参数大全 英飞凌(Infineon)是德国西门子半导体集体(Siemens)的独立上市公司。前身也叫欧派克(EUPEC:欧洲电力电子公司)。 一.拓扑图与型号的关系:型号开头
2023-02-08 14:17:295593 
简单描述了一些IGBT的主要参数和注意事项
2023-03-16 14:52:3638 而形成的器件。它具有低开关损耗、高输入阻抗、低噪声和高速开关等优点，因此在各个领域都得到广泛应用，如电力、轨道交通、电动汽车等。本文将详细介绍IGBT如何选型以及选型时要考虑的参数。
2023-07-20 16:39:514493 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
IGBT是如今被广泛应用的一款新型复合电子器件，而IGBT测试也变的尤为重要，其中动态测试参数是IGBT模块测试一项重要内容，IGBT动态测试参数是评估IGBT模块开关性能的重要依据。其动态测试参数主要有：主要参数有开关参数、栅极电阻、栅极电荷、寄生电容等。
2023-10-09 15:14:35644 
IGBT动态测试参数有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于各种高能效的电力电子设备中。为了保证IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 这篇文章是《英飞凌工业半导体》系列原创文章的第204篇，IGBT单管数据手册参数解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 这篇文章是英飞凌工业半导体微信公众号系列原创文章第205篇，IGBT单管数据手册参数解析（下）
2023-12-06 11:56:4317 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种继MOSFET和BJT之后的新型功率半导体器件，它的特点是结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低通压损耗
2024-01-18 17:31:231082 型号和规格，以确保其稳定、高效地工作。IGBT的选型涉及到多个参数的考虑，下面将详细介绍这些参数。 额定电压（Vce）：这是指IGBT能够承受的最大电压。根据应用需求，选择的IGBT型号的额定电压应大于应用中最高电压。 额定电流（Ic）：这是指IGBT能够承受的最大连续电流。根据应用需求，选择的
2024-03-12 15:31:12260
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