大家清晰的了解GaN产品。 1．从氮化镓GaN产品的名称上对比 如下图所示，产品GaN标示图。纳微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英诺赛科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:00
27189 
10 月 25 日，英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案
2023-10-25 11:38:30794 
本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:015665 
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054790 
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后，“氮化镓”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作，布局和控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能，确保了氮化镓功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会，从而极为有效地缩短了产品上市
2023-06-15 15:32:41
晶体管如今已与碳化硅基氮化镓具有同样的电源效率和热特性。MACOM 的第四代硅基氮化镓 (Gen4 GaN) 代表了这种趋势，针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
。与典型的PN结MOSFET不同，GaN器件的双向结构可以使用双栅结构控制电流。用于电机驱动的矩阵转换器可以通过利用双向设备潜在地减少开关的数量。此外，氮化镓器件可以在比硅器件更高的温度下工作，这使其成为
2019-03-14 06:45:11
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
：传统升压CCM PFC对比采用GaN的无桥图腾柱PFC氮化镓提供更低的开关损耗、更快的开关速度、更高的功率密度、更好的热预算、从而提高电动汽车的功率输出和能效，且降低了重量和成本。采购和品质保证演变
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步：元器件选型对于工程师来说，GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势，但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53:15
和功率因数校正 （PFC） 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件，隔离式负 V一般事务（关闭）EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法，可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
随着氮化镓（GaN）技术在射频（RF）中的应用逐渐增多以及LTE基站在中国的广泛部署，射频氮化镓的市场规模在2015年增长将近50%。
2018-04-23 11:53:001608 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为
2020-11-20 14:08:177688 氮化镓充电器等等。 现在，努比亚对首款65W氮化镓充电器进行全面升级，推出了努比亚65W GaN Pro氮化镓充电器，体积再减小40%，配备可折叠国标插脚，携带出行更加方便。 设计方面，努比亚65W GaN Pro氮化镓充电器延续努比亚独创的“氘锋”系列外观ID，方形柱状造型，机身整体呈
2021-02-19 16:59:275049 （GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:083919 对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。
这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。
然后随之而来的，就是
2023-02-02 17:44:371166 对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。
这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。
然后随之而来的，就是
2023-02-02 17:45:29604 氮化镓是半导体与微电子产业的新星，其高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。业界已经公认氮化镓（GaN）半导体器件产品将统治微波放大和电能转换领域，市场规模大于150亿美元。那么
2023-02-05 11:43:472725 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:007537 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:524734 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 氮化镓(GaN)是什么 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412177 采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到最佳匹配。 GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面；氮化镓（GaN）拥有极高的稳定性，将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。 一、方案概述： 尺寸设计
2023-03-01 17:25:562625 
氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料，因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同，GaN 具有更宽的带隙，这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
2023-03-03 10:14:391395 对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。
2023-06-12 10:17:174815 
氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:401519 
干货 | 氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要
2023-09-27 16:13:562240 
10 月 25 日消息，英飞凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），并号称“成为领先的氮化镓龙头企业”。 英飞凌表示，这家总部位于加拿大
2023-10-26 08:43:521116 论文研究氮化镓GaN功率集成技术
2023-01-13 09:07:473 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性：氮化镓（GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:532424 氮化镓充电器什么意思？氮化镓充电器的优点？氮化镓充电器和普通充电器的区别是什么？ 氮化镓充电器是一种使用氮化镓（GaN）材料制造的充电器。GaN是一种新型的宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率、高热
2023-11-21 16:15:247003 ，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓芯片的定义、优缺点，以及与硅芯片的区别。 一、氮化镓芯片的定义 氮化镓芯片是一种使用氮化镓材料制造的集成电路芯片。氮化镓（GaN）是一种半导体
2023-11-21 16:15:3011008 什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓
2023-11-24 11:05:117181 使用的材料。 氮化镓的提取过程： 氮化镓的提取过程主要包括两个步骤：金属镓的提取和氮化反应。 金属镓的提取 金属镓是氮化镓的基本组成元素之一。为了提取金属镓，我们通常采用化学反应的方法。常用的方法是将氮化镓芯片在高
2023-11-24 11:15:206429 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416137 氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种宽禁带
2024-01-10 09:27:324486 氮化镓（GaN）MOS管是一种新型的功率器件，它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点，逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化镓MOS管的优势，合理的驱动方法是至关重要的。本文将介绍氮化镓
2024-01-10 09:29:025949 氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力，使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:154274 氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，在目前的电子设备中逐渐得到应用。它以其优异的性能和特点备受研究人员的关注和追捧。在现代科技的进步中，氮化镓芯片的研发过程至关重要。下面将详细介绍氮化镓
2024-01-10 10:11:392150 氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构： 氮化镓是由镓（Ga）和氮（N）元素组成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 本文要点氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:181988 
氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）都是半导体材料领域的重要成员，它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而，要判断哪个更先进，并不是一个简单的二元对立问题，因为它们的先进性取决于具体的应用场
2024-09-02 11:37:167233 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG设备显示出以下优点：1.宽带隙半导体氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2eV
2024-09-16 08:02:252050 
电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10:220 电子发烧友网站提供《GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:24:192 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534
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