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FPGA时序约束分析余量

2019年11月10日 10:06 次阅读

最近整理了一下时序约束的内容,顺便发出来分享记录一下。

任何硬件想要工作正常,均需满足建立和保持时间,至于这个概念不再陈述。

下面将重点介绍两个概念:建立余量和保持余量。FPGA内部进行时序分析无非就是计算这两个余量,为正,则时序满足要求,否则不满足。

FPGA在与外部器件打交道时,端口如果为输入则与input delay约束相关,如果最为输出则output delay,这两种约束的值究竟是什么涵义,在下文中我也会重点刨析,但是前提是需要理解图1和图2建立余量和保持余量。

1、建立余量:

不考虑clk_skew,数据在regA 的发射沿(即第一个上升沿)经过Tco+Tdata则会一直保持不变,等待着接受沿采集,接收沿有关建立只需满足的建立时间即可,建立余量=T-Tco-Tdata即下图红色区所示。

FPGA时序约束分析余量

2、保持余量

蓝色是第一个数据,第一个上升沿是蓝色数据的发射沿,第二个上升沿是蓝色数据的接收沿

紫色是第二个数据,第二个上升沿是紫色数据的发射沿,第三个上升沿是紫色数据接收沿(图中未画)

意思是什么?第一个蓝色数据经过发射沿后延迟Tco+Tdata的时间就一直保持不变,直到紫色的数据在其发射沿来后经过Tco+Tdata时间将蓝色数据代替,蓝色数据只需要在其接收沿后停留的时间大于等于保持时间即可被正常采集,但是蓝色数据实际上能够停留多久是由Tco+Tdata决定的,因此Tco+Tdata的值决定了其在接受沿后的寿命,即Tco+Tdata>=Th就可以满足保持时间,保持余量=Tco+Tdata-Th,保持时间和时钟周期T无关,因为他的寿命是由Tco+Tdata决定的。

FPGA时序约束分析余量

3、input delay 和output delay

对于input /output delay的保持余量和建立余量的计算方法和前面讲的是一样的,区别在于前面的例子中REGA和REGB均是在FPGA内部的,计算余量的所有参数FPGA自身是知道的,他自己可以完成整个计算分析,但是一旦涉及到input delay和output delay,即FPGA作为是接收端或者发送端与其他器件交互时,有些计算的参数FPGA自己知道,有的计算的参数是外部器件知道,为了完成余量的计算,那么就要通过约束把FPGA不知道的量告诉FPGA。

用input delay举例说明 见下图 

建立余量=T-Tco-Tdata-Tsu,FPGA作为接收端Tsu,Th是知道的,但是其余两个量不知道,Tco与外部器件性能相关,可以从其数据手册中获取这个量,Tdata也许和你PCB布线延迟等有关,为了完成计算,只需要把Tdata+Tco的最告诉fpga即可,max参数是与建立参数相关,min与保持余量相关,其最大值为 input delay max为Tco+Tdata的最大值,最小值为input delay min为Tco+Tdata的最小值。

FPGA时序约束分析余量

output delay见下图,图中红色代表FPGA自己知道的量,其余需要通过约束告知,所以约束只需补充FPGA不知道的值即可,最大值max 为Tdata+Tsu,min为Tdata-Th

FPGA时序约束分析余量

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

下面是我做的一些其他概念的理解记录,简单总结供自己以后查询

SDR和DDR的概念:S是单沿触发,D是双沿,双沿又分中心对齐和边沿对齐,见图

FPGA时序约束分析余量

下图是input delay 的DDR中心对齐,其中黑色方框框起来的是理想情况下的数据,蓝色是数据整体左偏移,红色是数据整体右偏移,来回抖动的范围,图示中XXXX则表示的数据不稳定的区域,对于上升沿,最小值就是到蓝色框dv_are的大小,最大值就是到红色框边沿T/2-dv_bfe.下降沿不再赘述。

FPGA时序约束分析余量

对于DDR边沿对齐,对上升沿来讲,黑色数据框是理想情况,红色是向右偏移,蓝色则是向左偏移,在第三个红色框那里,延迟已经等于0,再进一步左移则为负,蓝色所示。对上升沿来讲,max为skew_are,min为 负-skew_bre。

FPGA时序约束分析余量

此篇较为粗糙,时序每研究一遍都会有不同的理解,而且每个人理解的着手点不一样,希望能够静下心来,好好沉淀,莫急躁。

       责任编辑:zl

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FAN5236 宽输入电压范围双通道输出/ DD...

FAN5026 双输出/ DDR PWM控制器

6 PWM控制器为两个输出电压提供高效率的调节,可调范围从0.9v至5.5V,这是高性能计算机,机顶盒以及VGA卡中的电源I / O,芯片组,存储器库所必需的。同步整流有利于在较宽的负载范围内获得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作为电流感测组件,效率还可进一步提高。斜坡调制,平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。具有180°相位偏移的异相操作减少了输入电流纹波。控制器可通过激活专用引脚,转变成完全的DDR存储器电源解决方案。在DDR模式中,一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能,这对于DDR芯片正确加电至关重要。还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5026监控这些输出,并在软启动完成并输出在其设定点的±10%内时生成独立的PGx(电源正常)信号。压保护可防止输出电压超过其设定点的120%。过压条件停止后,会自动恢复正常操作。当输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75%以下时,欠压保护会闩锁芯片。可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。需要精确电流感测时,可使用外部电流感测电阻。 特性 高灵活性,双同步开关PWM控...
发表于 2019-04-18 22:35 47次阅读
FAN5026 双输出/ DDR PWM控制器

NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1...

03是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51403保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51403支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51403还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:45 13次阅读
NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1...

NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

10是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51510保持快速瞬态响应,并且只需要10uF的最小VTT负载电容即可实现输出稳定性。 NCP51510支持远程感应和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51510还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51510采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 支持最高3 A的负载(典型值) ),输出是过流保护 DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 具有热关断保护功能的集成MOSFET PGOOD输出引脚监视VTT输出调节状态 SS输入引脚用于暂停关闭模式 灵活电压跟踪的VRI输入参考 用于遥感的VTTS输入(开尔文连接) 内置软启动,欠压锁定 应用 DDR内存终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 电信/数据通信,GSM基站 图形处理器核心耗材 机顶盒,LCDTV / PDPTV,复印机/打印机 为芯片组/ RAM提供低至0.5 V的电源 有源/汇总总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:45 13次阅读
NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1...

00是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素.NCP51400保持快速瞬态响应,仅需要最小的输出电容20 F. NCP51400支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51400还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1 V至3.5 V 快速负荷瞬态响应 PGOOD - 监视VTT规则的逻辑输出引脚 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 VRI - 参考输入允许灵活的输入跟踪直接或通过电阻分频器 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电信/数据通信,GSM基站 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:42 13次阅读
NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1...

NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR...

00是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51200保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51200支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51200还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51200采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 输入电压轨:支持2.5和3.3 V Rails PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载 - 瞬态响应 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT规则 关闭模式的EN-Logic输入引脚 VRI参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 遥感(VTTS) ) 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终止 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 机顶盒,液晶电视/ PDP-电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:42 13次阅读
NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR...

NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1...

01是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51401保持快速瞬态响应,仅需要20 F的最小输出电容.NCP51401支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51401还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:42 14次阅读
NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1...

NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1...

02是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51402保持快速瞬态响应,仅需要20μF的最小输出电容。 NCP51402支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51402还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:41 6次阅读
NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1...

NCP51199 2安培DDR终端稳压器

99是一款线性稳压器,旨在为DDR-2和DDR-3存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够为DDR-2和DDR-3主动提供和吸收+ -2A峰值电流高达+ -1.5A,同时将VTT输出电压调节到+ -10mV。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻调节到跟踪VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 在1.2 A(峰值)下支持低至600 mV的DDR VTT电压 集成功率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容稳定 FullLoad的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软启动 待机或挂起模式关机 集成散热和CurrentLimit保护 应用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:41 10次阅读
NCP51199 2安培DDR终端稳压器

NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

98是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到-30 mV以内。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有热保护功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 机顶盒,数字电视,打印机 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作电台 显卡DDR内存终端 嵌入式系统 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:41 6次阅读
NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终...

45是一款线性稳压器,旨在为DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够主动提供和吸收±1.8 A峰值电流,同时将输出电压调节到±20 mV以内。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻进行调节,以跟踪VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器,可对线路和负载瞬态提供超快速响应。其他功能包括源/灌电流限制,软启动和片上热关断保护。 特性 对于DDR VTT应用,源/汇电流 支持DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用仅陶瓷(极低ESR)电容器稳定 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软件-Start 关机待机或挂起模式 集成热量和限流保护 应用 终端产品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:41 14次阅读
NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终...

NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

90是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到+ -30 mV。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/汇电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 带热保护的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作站 嵌入式系统 显卡DDR内存终端 机顶盒,数字电视,打印机 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 21:40 18次阅读
NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节...

V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调节器,适合DDR终止电轨等跟踪应用.V DDQ 输入包括一个可以减少总电路尺寸和元件数量的内部2 :1电阻分压器。该调节器在7 V到18 V的输入电压范围内工作,并支持4 A的连续负载电流。如果V IN ,P VIN 和P VCC 连接在一起,绕开内部线性调节器,则该器件可以在5V电轨(±10%)下工作。该器件采用飞兆恒定导通时间控制结构,可提供出色的瞬态响应,并保持相对恒定的开关频率。开关频率和吸收过流保护功能可配置,为各种应用提供灵活的解决方案。输出过压和热关断保护功能可以保护器件在故障期间免受损害。热关断功能被激活后,达到正常工作温度时,滞后功能会重新启动器件。 特性 V IN 范围:在7 V到18 V时使用内部线性偏压稳压器 V IN 范围:4.5 V至5.5 V时,V IN / P VIN / P VCC 连接到旁路内部调节器 高效率 连续输出电流:4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 出色的线路和负载瞬态响应 输出电压范围:0.5V至1.5V 可编程频率:200kHz到1.5MHz 可配置软...
发表于 2019-04-18 21:09 48次阅读
FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节...

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 D...

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 2019-04-18 20:05 56次阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 D...

TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz V...

信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺...
发表于 2019-04-18 20:05 110次阅读
TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz V...

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 ...

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 2019-04-18 20:05 46次阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 ...

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 ...

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 2019-04-18 20:05 61次阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 ...

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器...

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 2019-04-18 20:05 112次阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器...

TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 ...

信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
发表于 2019-04-18 20:05 121次阅读
TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 ...

TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L...

信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压范围:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 ...
发表于 2019-04-18 20:05 94次阅读
TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L...

LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端...

和特点 VOUT = 1/2 VIN (电源分离器) 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 无需检测电阻器 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 双路 N 沟道 MOSFET 同步驱动 电源良好输出电压监视器 宽 VCC 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的并可由用户设置。宽电源范围允许器件在 4V 至 36V 的 VCC...
发表于 2019-02-22 14:10 26次阅读
LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端...

LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率...

和特点 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 无需电流检测电阻器 低输入电源电压范围:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:可达 95% 以上 可设置固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可设置软起动 低停机电流:<10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装  产品详情 LTC®3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。它包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。200kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理(同步范围为 100kHz 至 500kHz 以上)。在停机模式中,LTC3831 的电...
发表于 2019-02-22 14:10 10次阅读
LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率...

LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端...

和特点 无需电流检测电阻器 异相控制器减小了所需的输入电容 VOUT2 跟踪 1/2 VREF 对称的输出电流供应/吸收能力 (VOUT2) 扩频操作 (当被使能时) 宽 VIN 范围:2.75V 至 9.8V 恒定频率电流模式操作 0.6V±1.5% 电压基准 (VOUT1) 低压差操作:100% 占空比 用于频率锁定或调节的真正 PLL 内部软起动电路 电源良好输出电压监视器 输出过压保护 微功率停机模式:IQ = 9μA 纤巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封装和窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF,并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要,并改善了效率。通过使两个控制器异相工作,最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可被设置为高达 750kHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。对于那些对噪声敏感的应用,可以从外部对 LTC3776 的开关频率进行同步处理 (同步范围为 250kHz 至 850kHz),也可启用...
发表于 2019-02-22 14:10 91次阅读
LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端...

LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端...

和特点 非常低的 VIN(MIN):1.5V 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 用于 N 沟道 MOSFET 的 5V 驱动免除了 5V 辅助电源 无需检测电阻器 采用标准的 5V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET VOUT(MIN):0.4V VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 对称的供应和吸收输出电流限制 可调的开关频率 tON(MIN) < 100ns 电源良好输出电压监视器 可编程软启动 输出过压保护 任选的短路停机定时器 小外形 24 引脚 SSOP 封装 产品详情 LTC®3718 是一款用于 DDR 和 QDR™ 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3718 采用一对标准的 5V 逻辑电平 N 沟道外部 MOSFET,从而免除了增设昂贵 P 沟道或低门限器件的需要。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。故障保护由内部折返电流限制、一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针...
发表于 2019-02-22 14:10 35次阅读
LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端...

LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器...

和特点 VOUT = 1/2 VREF 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) 真正的电流模式控制,可选择使用检测电阻器 VON 和 ION 引脚在输入和输出电压变化期间允许执行恒定频率操作 ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 超快的瞬态响应 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 电源良好输出电压监视器 宽 VIN 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 5mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部被设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的,并可由用户...
发表于 2019-02-22 14:09 36次阅读
LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器...

LTC3413 用于 DDR/QDR 存储终端的...

和特点 高效率:达 90% ±3A 输出电流 对称的供电和吸收输出电流限值 低接通电阻 RDS(ON) 内部开关:85mΩ 无需肖特基二极管 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 VOUT = VREF/2 ±1% 输出电压精度 可设置开关频率:高达 2MHz 电源良好输出电压监控器 过热保护 采用 16 引脚 TSSOP 裸露衬垫封装  产品详情 LTC®3413 是一款采用恒定频率电流模式架构的高效单片同步降压型 DC/DC 转换器。它可在 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围内工作,并能在供应或吸收高达 3A 的输出电流的同时提供一个大小为 0.5V * VREF 的已调输出电压。由于采用了一个内部分压器,所以减少了组件数目,并通过将基准电压一分为二免除了增设外部电阻器的需要。具有 85mΩ 接通电阻的内部同步电源开关提升了效率,并免除了增设外部肖特基二极管的需要。可由一个外部电阻器来设定高达 2MHz 的开关频率。   LTC3413 中的强制连续操作模式可降低噪声和 RF 干扰。故障保护功能由一个用于在供电和吸收电流操作期间对输出电流加以限制的过流比较器来提供。可调补偿能够在各种负载和输出电容器条件下对瞬态响应进行优化。 应用 总线终端:DDR 和 QDR...
发表于 2019-02-22 14:09 57次阅读
LTC3413 用于 DDR/QDR 存储终端的...

ADSP-SC587 双核SHARC+和ARM ...

和特点 双核SHARC+基础架构: 每个内核450 MHz (2.7GFLOPS) 支持奇偶校验的5Mb/640KB L1存储器/内核 可选缓存/SRAM模式 支持32、40和64位浮点 ARM内核基础架构: 450 MHz ARM Cortex-A5(具有Neon/FPU) 32kByte/32kByte L1指令/数据缓存 256kByte L2缓存 共享的系统存储器 256KB L2 SRAM,带ECC保护功能 最多两个高速存储控制器 DDR3-900、DDR2-800和LPDDR(16位) 高级硬件加速器 FFT/iFFT(18 GFLOPS,每个1K-pt FFT 5usec) FIR/IIR和SINC滤波器、ASRC 带OTP的安全加密引擎 封装 19mm x 19mm BGA(0.8mm间距) 商用、工业和汽车 主要连接和接口: 2个以太网MAC 一个千兆(RGMII)和一个10/100 (RMII) 支持IEEE-1588和AVB(QoS和时钟恢复) 2个USB2.0 HS OTG/设备控制器(MAC/PHY) 2个CAN2.0 SD/SDIO/MMC/eMMC(支持SDXC) 最多8个全SPORT接口(提供TDM和I2S模式) S/PDIF Tx/Rx、8个ASRC对、PCG 2个双通道SPI和1个四通道SPI(提供直接执行功能) 3个I...
发表于 2019-02-22 12:18 83次阅读
ADSP-SC587 双核SHARC+和ARM ...

LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双...

和特点 3.6V 至15V 输入电压范围每通道的输出电流为±3A效率高达 95%通道之间的 90°/180° 可选相移可调开关频率范围:500kHz 至 4MHzVTTR = VDDQ / 2 = VTT基准准确度为 ±1.6% 的 VTTR (在 0.75V)最佳 VOUT范围:0.6V 至 3V±10mA 缓冲输出负责提供 VREF 基准电压旨在实现超卓的电压和负载瞬态响应的电流模式操作外部时钟同步短路保护输入过压和过热保护电源良好状态输出采用 (4mm x 5mm) QFN-28 封装和耐热性能增强型 28 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3634 是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器,可为 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为 3.6V 至 15V,从而使其适合于那些采用一个 5V 或 12V 输入的负载点电源应用以及各种电池供电型系统。VTT 稳定输出电压等于 VDDQIN • 0.5。一个能驱动 10mA 负载的片内缓冲器可提供一个也等于 VDDQIN • 0.5 的低噪声基准输出 (VTTR)。此 IC 的工作频率可利用一个外部电阻器在 500kHz 至 4MHz 的范围内进行设置和同步处理。两个通道能够 180°...
发表于 2019-02-22 12:18 75次阅读
LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双...

LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4M...

和特点 DDR 电源、终端和基准高效率:达 94% 具 ±3A 输出电流能力的双通道输出 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 VTT 输出电压低至 0.5V 停机电流:≤1μA VTTR = VDDQIN/2,VFB2 = VTTR 可调开关频率:高达 4MHz 内部补偿或外部补偿 通道之间的 0° / 90° / 180° 可选相移 内部或外部软起动用于 VDDQ,内部软起动用于 VTT 电源良好状态输出 扁平 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装产品详情 LTC®3618 是一款双通道、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件提供了一款完整的 DDR 解决方案,具有一个 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的 VDDQ 电源。一个缓冲基准可产生等于 50% VDDQIN 的 VTTR,并驱动高达 ±10mA 的负载。第二个稳压器可产生等于 VTTR 的 DDR 终端电压 (VTT)。在 1MHz 开关频率下,两个稳压器均能够提供 ±3A 的负载电流。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。在两个通道之间可以选择 0°、90°或 180°的相移,以最大限度地减小输...
发表于 2019-02-22 12:05 55次阅读
LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4M...