科锐首席执行官Gregg Lowe表示：“英飞凌具有很好的美誉度，是我们长期且优质的商业伙伴。这项协议的签署，体现了科锐SiC碳化硅晶圆片技术的高品质和我们的产能扩充，同时将加速SiC碳化硅基方案更为广泛的采用，这对于实现更快、更小、更轻、更强大的电子系统至关重要。”
2018-04-04 09:00:59
7450 模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 
英飞凌 | CoolSiC™器件为台达双向逆变器提供助力英飞凌科技股份公司的CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达电子选用，使得台达电子向着利用绿色电力实现
2022-08-09 15:17:41
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
，热导率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都优于硅 这为碳化硅器件开辟了广泛的应用领域，在5G/数据中心等空间受限和节能领域，低损耗是应用的推动力;在电动汽车领域，更高的牵引逆变器效率意味着更小
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 图腾柱 PFC 的效率可达到 99% 以上（图 4），其中在双升压 PFC 设计中使用 CoolMOS™ 的最佳效率峰值为 98.85%。而且，尽管碳化硅MOSFET的成本较高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明显优势，可以用来做成高耐压的肖特基二极管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管：以金属为阳极，以N
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际先进水平，可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
基本半导体推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET两种封装的典型产品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）为例，从理论上来解释TO-247-4中辅助源
2023-02-27 16:14:19
用于电机驱动领域的优势，寻找出适合碳化硅功率器件的电机驱动场合，开发工程应用技术。现已有Sct3017AL在实验室初步用于无感控制驱动技术中，为了进一步测试功率器件性能，为元器件选型和实验验证做调研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET
2023-02-27 13:53:56
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
）。给出了本设计主要参数指标，其中输出最大电流为35A,输出电压范围在300V-550之间。工作频率范围在150KHZ-400KHZ之间。目标最高效率超过98.4%，功率密度达到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，极大地提高模块工作的可靠性。此外，铝带、铜带连接工艺因其更大的截流能力、更好的功率循环以及散热能力，也有望为碳化硅提供更佳的解决方案。图 11 所示分别为铜键合线、铜带连接方式。锡片或锡膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
系列电源模块，支持多种栅极输出电压，可灵活应用于碳化硅MOSFET驱动。该电源模块尺寸为 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 设计紧凑， 通用性强。原作者：基本半导体
2023-02-27 16:03:36
。过去 十年 ，针对 大量 工业和 汽车应 用售 出了逾 5000 万个 带有 不同芯 片组 的EasyPACK 模块。同时，英飞凌丰富的 CoolSiC 产品组合被广泛应用于工业应用领域。随着
2021-03-27 19:40:16
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者：大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
长期高价回收英飞凌IGBT模块FF300R12KT3_E 300A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?无锡不限量收购回收英飞凌IGBT模块FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
供碳化硅 (SiC) 的优势；同时保持 62mm 模块的底板兼容性。HM 平台的碳化硅优化封装可实现 175°C 的连续结操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3
2022-06-09 19:57:44
CAS120M12BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。Wolfspeed 的 62mm 功率模块
2022-06-10 20:15:07
CAS300M17BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。Wolfspeed 的 62mm 功率模块
2022-06-10 20:20:55
CAS300M12BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。Wolfspeed 的 62mm 功率模块
2022-06-10 22:00:31
WAB300M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。Wolfspeed 的 62mm 功率模块
2022-06-10 22:10:28
WAB400M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。Wolfspeed 的 62mm 功率模块
2022-06-10 22:15:19
CAB530M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。Wolfspeed 的 62mm 功率模块
2022-06-10 22:19:56
2017年6月30日，德国慕尼黑和纽伦堡讯—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。
2017-07-03 10:13:261770 具体来说，在新能源发电系统中，采用碳化硅技术能够达到的更高的效率意味着其能够更早地替代传统的石化燃料发电。英飞凌为光伏串组串逆变器的升压和逆变部分提供量身定制的模块系列，可以提升的逆变器效率和性能。在充电桩应用中，英飞凌的全碳化硅解决方案大幅提升功率密度，从而使充电设备变得更加轻巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 据外媒报道，在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上，英飞凌（Infineon）推出了首款车用碳化硅产品，肖特基（Schottky）二极管，并为其新创了一个品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:504540 。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。 CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器板，该板针对额定温度为125°C（环境温度）的62mm碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。
2019-05-16 09:10:563764 第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产，并打入多个应用市场。日前，在英飞凌科技举办的媒体见面会上，该公司大中华区工业功率控制事业部副总裁于代辉和工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅SiC市场的最新进展。
2019-07-02 16:33:216460 英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五年。
2020-11-13 11:48:48990 英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 与业内人士交流互动产品和应用技术。 借英飞凌碳化硅20周年之际，9月10日，我们在展会会场，隆重举办第三届碳化硅应用技术发展论坛，敬请莅临。 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置
2021-08-24 09:31:502748 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 
新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H），首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
2022-06-14 09:47:191258 在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 材料。电流密度很容易达到5甚至10 A/mm²，而SiC的放电电压一般在100 V/μm的范围内，而硅则为10 V/μm。碳化硅的特性使其成为用于生物医学材料、高温半导体器件、同步加速器光学元件以及轻质、高强度结构的理想材料。 碳化硅组件的制造工艺（
2022-08-08 08:09:591331 
亿美元的新工厂。随着新能源汽车的加速渗透，碳化硅技术的重要性愈发凸显。安森美、Wolfspeed、意法半导体等碳化硅领域主导企业，均发表了对行业发展的积极展望，并计划投资扩大产能。碳化硅大厂间的新一轮卡位之战正在展开。 激进的扩产步伐 作为碳化
2022-10-08 17:02:25872 ，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通过使
2023-02-02 14:50:021981 、电源供应器等高功率应用领域。碳化硅应用涵盖了新基建涉及的绝大部分领域，这给国内以基本半导体为代表的碳化硅企业带来巨大利好。
2023-02-03 14:49:52367 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅主要有四大应用:功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。
2023-02-09 18:09:113370 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上，浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:45
2 按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 今天鑫环电子就为大家讲解一下碳化硅二极管的应用领域及优势。 一、太阳能逆变器。 碳化硅二极管是太阳能发电用二极管的基本原材料，碳化硅二极管在各项技术指标上都优于普通双极二极管技术。碳化硅二极管
2022-12-14 11:36:05843 
和沉淀，帮助新材料在新应用中快速成长。迄今为止英飞凌CoolSiC商用已有20余年，未来CoolSiC碳化硅器件除了光伏和储能、充电设施以及各类电源应用以外，还会
2023-05-19 10:27:03592 
随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49854 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高导热率和高电子饱和迁移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。
2023-12-21 09:43:38353 11月14日，英飞凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能，荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖，再次展现了英飞凌在碳化硅领域的技术创新能力
2023-12-21 08:14:09304 在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中，碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14293 
）与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed 公司（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于今日宣布扩大并延伸现有的长期 150mm 碳化硅晶圆供应协议（原先的协议签定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:01240 英飞凌科技与Wolfspeed近日宣布，将扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。这一合作旨在满足不断增长的市场需求，并提升英飞凌供应链的稳定性。
2024-01-31 17:31:14442 英飞凌科技与Wolfspeed宣布，将扩展并延长他们最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过这次扩展，双方的合作新增了一项多年期产能预订协议。这一合作不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
2024-02-02 10:35:33334 碳化硅（SiC）技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键，英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技术，也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标，扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
2024-03-12 09:33:26239 
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36132
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