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基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器

基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器

  O 引言   随着航空航天航海等技术的发展,无论是星载还是舰载方面的技术要求,都迫切希望有一种能够在恶劣环境(高温、低温、振动)下正常工作,并且易于保...

2010-11-12 标签:存储芯片K9WBG 1115

Flash存储器概述

Flash存储器概述

  Flash 存储器的简介   在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统,该存储器系统可用作代码和数据...

2010-11-11 标签:Flash存储器 1943

相变存储器(PCM)与存储器技术的比较

相变存储器(PCM)与存储器技术的比较

  相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和...

2010-11-11 标签:相变存储器PCM 704

MAX14500–MAX14503 USB至SD读卡器

  MAX14500–MAX14503 USB至SD™读卡器为带有一个或两个SD卡槽且支持全速USB通信(12Mbps)的便携式设备提供了一种升级方法,可以将USB SD读卡器升级到USB高速(480Mbps)工作模式。MAX14500...

2010-11-11 标签:MAX14500 446

DS1225AB及DS1225AD全静态非易失(NV) SR

DS1225AB及DS1225AD全静态非易失(NV) SR

  DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照...

2010-11-10 标签:DS1225AB 315

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

  DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控...

2010-11-10 标签:非易DS1270W 239

东芝推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD

  东芝今日宣布推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD(固态硬盘)产品。该新型SSD产品分为64GB、128GB和256GB三种...

2010-11-10 标签:BladeX-ga 350

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

  DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按...

2010-11-07 标签:非易DS1265W 212

基于位线循环充电SRAM结构的双模式自定时电路设计

基于位线循环充电SRAM结构的双模式自定时电路设计

  引言   近些年来,随着集成电路制造工艺和制造技术的发展,SRAM存储芯片在整个SoC芯片面积中所占比例越来越大,而SRAM的功耗也成为整个SoC芯片的主要部分。...

2010-11-03 标签: 310

新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案

新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案

  美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布,美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合...

2010-11-03 标签:闪存光驱ODD 488

DS1225Y 64K非易失SRAM

  DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM,按照...

2010-11-03 标签:非易DS1225Y 400

DS28E01-100保护型1-Wire EEPROM

  DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为...

2010-11-03 标签:DS28E01-10 641

相变化内存原理分析及设计使用技巧

相变化内存原理分析及设计使用技巧

  相变化内存(Phase Change Memory,PCM)是一项全新的内存技术,目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长,为系统工程师...

2010-11-01 标签:相变化内存 316

SpaNSion FL-K闪存

  SpaNSion FL-K系列支持统一4-千字节(KB)的小扇区设计。目前整个SpansiON SPI产品组合覆盖密度范围为4Mb至256Mb,是市场上最广泛的产品组合之一。   Spansion FL-K系列具备快速...

2010-10-25 标签:SpaNSion 454

DS1330W 256k全静态非易失SRAM

DS1330W 256k全静态非易失SRAM

  DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制...

2010-10-22 标签:非易DS1330W 271

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

  DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电...

2010-10-22 标签:非易失DS1330 339

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

  DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,...

2010-10-22 标签:非易失DS1345 255

DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟

DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟

  DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟,都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于...

2010-10-22 标签:非易失DS1646 314

DS1647为512k x 8非易失性静态RAM

DS1647为512k x 8非易失性静态RAM

  DS1647为512k x 8非易失性静态RAM,包括一个完备的实时时钟,两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等...

2010-10-22 标签:非易失DS1647 503

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

  DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控...

2010-10-21 标签:SRDS1345W 291

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

  DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电...

2010-10-21 标签:非易DS1350W 247

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

  DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM,...

2010-10-21 标签:非易失DS1350 225

DS9034PCX PowerCap的设计

DS9034PCX PowerCap的设计

  该DS9034PCX PowerCap的设计是一个在达拉斯半导体非易失时钟RAM的锂动力源的直接表面贴装PowerCap模块(PCM)封装。经过PowerCap模块板焊接已经到位并清洗,DS9034PCX PowerCap是放置在PCM...

2010-10-21 标签:DS9034PCX 335

DS1220Y 16k非易失SRAM

  DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路...

2010-10-20 标签:DS1220Y非易 339

铁电存储器的技术特点分析

铁电存储器的技术特点分析

如图1所示,电子电能表的基本架构包括下列各主要功能模块:电压电流取样电路;16位以上分辨率的ADC;计量与控制单元;通信接口;操作界面;显示器;存储器。本文将以存储器...

2010-10-18 标签:铁电存储器 497

基于浮栅技术的闪存

基于浮栅技术的闪存

  恒忆闪存基于浮栅技术。闪存晶体管的绝缘栅极(浮栅)捕获(或排除)电子,因此,晶体管的阈值电压被修改(偏离原始...

2010-10-18 标签:闪存浮栅技术 549

磁盘阵列消除系统管理程序的存储压力

磁盘阵列消除系统管理程序的存储压力

专用磁盘阵列,例如IBM的XIV及其他产品,会执行那些原本得由操作系统或系统管理程序执行的功能。而原先的做法则会给虚拟平台造成额外压力。...

2010-10-17 标签:存储磁盘阵列 441

FPGA中SPI Flash存储器的复用编程方法的实现

FPGA中SPI Flash存储器的复用编程方法的实现

SPI(Serial Peripheral Interface,串行外围设备接口)是一种高速、全双工、同步的通信总线,在芯片的引脚上只占用4根线,不仅...

2010-10-13 标签:FPGASPIflash存储器 2283

GIS数据库系统中OCI的应用

GIS数据库系统中OCI的应用

  O 引言   Oracle凭借其优越的稳定性和卓越的性能在众多领域里有着广泛的应用。高性能是Oracle优...

2010-10-13 标签:GISOCI 345

DS2433 4K位1-Wire® EEPROM

DS2433 4K位1-Wire® EEPROM

  DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM,用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的...

2010-10-13 标签:EEPDS2433 688

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