宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅（SiC）正处于大力扩张之时，供应商都在努力满足SiC功率器件和硅片市场的潜在需求。 譬如，Cree计划投资高达10亿美元来扩张其SiC晶圆产能。根据该公司
2019-07-19 16:59:35
13632 。科锐是碳化硅（SiC）半导体全球领先企业，德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商，双方的此次合作将通过采用碳化硅（SiC）半导体器件技术，为未来电动汽车（EV）提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统。 科锐碳化硅（SiC）基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术与德
2019-09-10 11:05:408288 2019年9月23日，作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree），于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy
2019-09-24 09:59:048326 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）SiC供不应求，已经是行业共识。自从电动汽车兴起，特斯拉率先在电动汽车上大规模应用SiC功率器件，需求开始爆发后，产能不足成为了SiC应用扩张的最大障碍。 据统计
2022-07-13 07:05:003827 州莫霍克谷（Mohawk Valley）的采用领先前沿技术的 SiC 制造工厂正式开业。这座 200mm 晶圆工厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。 纽约州州长 Kathy Hochul
2022-04-28 14:43:071454 
在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 在不久前的一场罗姆SiC产品分享会上，笔者详细了解了SiC产品在功率器件中的比较优势，以及该公司在SiC产品线、车规产品以及生产制造方面的情况。
2019-07-12 17:35:598422 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
尽管自20世纪70年代以来，与器件相关的SiC材料研究一直在进行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品质因素是有抱负的材料和器件科学家继续推进SiC
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的有效性。所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC（碳化硅）？何谓碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
电源系统应用实现小型与更低损耗的关键 | SiC肖特基势垒二极管在功率二极管中损耗最小的SiC-SBDROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管
2019-03-27 06:20:11
-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。电源IC等通过不同的架构和配置功能比较容易打造出品牌特色，而二极管和晶体管等分立元器件，功能本身是一样的，因此是直接比较几乎共通的特性项目来选型的。此时
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
进行介绍。SiC功率元器件的开发背景之前谈到，通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是为了促进解决全球
2018-11-29 14:35:23
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
的方式相存在。 另外，汽车无疑是SiC最大的应用市场，且业内预计到2025年，汽车电子功率器件领域采用SiC技术的占比会超过20%，因此意法半导体、英飞凌、安森美等都在产能扩张、产业整合、技术创新
2022-12-27 15:05:47
5月17日上午，中联重科塔机智能工厂二期开园活动暨全球最大风电塔机下线仪式在湖南常德隆重举行。这标志中联重科塔机智能工厂全线投产，建筑起重机械迎来了全面智能制造的新时代。中联重科塔机智能工...
2021-07-12 08:03:50
基GaN由于具有更大输出功率与更快作业频率，已被看好可取代硅元件成为下一世代的功率元件。近年来全球对于都市基础建设、新能源、节能环保等方面的政策支持，扩大对于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，将进一步促进SiC/GaN功率元件的发展。
2022-08-12 09:42:07
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发的第3代SiC肖特基二极管（以下简称“SBD”）成功应用于Murata Power Solutions的产品上。Murata Power
2023-03-02 14:24:46
的量产化，并于 2010 年全球首家成功实现了 SiC-MOSFET 的量产。罗姆希望通过本次研讨会，让更多同行了解 SiC 的优点和特性，更好地应用 SiC 功率器件。研讨会的演讲概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
项目名称：风电伺服驱动控制器SiC器件试用试用计划：申请理由本人在工业控制领域有十余年的产品开发经验，目前正在从事风电机组变桨控制系统伺服驱动器的开发，是一个国产化项目，也是SiC器件应用的领域
2020-04-24 18:03:59
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季（第
2018-12-04 10:24:29
其性能的控制元器件的开发。最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能，需要优化栅极驱动器最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能，需要优化SiC-MOSFET的驱动、即栅极驱动器。ROHM为了实现谁都
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
在开关电源转换器中,如何充分利用SiC器件的性能优势？
2021-02-22 07:16:36
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
：“通过比较发现，电动汽车整车半导体平均总成本是传统汽车的两倍，而电动汽车50%的总成本与功率器件有关。” 他认为，SiC在电动车制造中可以节约成本。在电动汽车驱动电机和逆变器中，采用SiC
2023-02-27 14:28:47
甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引入内匹配电路，因此内匹配对发挥GaN功率管性能上的优势，有非常重要的现实意义。 2.SIC碳化硅(SiC)以其优良的物理化学特性和电特性成为制造高温、大功率电子器件
2017-06-16 10:37:22
专案执行分为三个主要阶段：规范和用例定义，技术开发，原型展示研发。WINSIC4AP项目中的SIC技术制造SiC元件需要使用专用生产线，系因半导体的物理特性（掺杂剂的极低扩散性和晶格的复杂性），以及
2019-06-27 04:20:26
SiC,SiC是什么意思
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C
2010-03-04 13:25:266539 分析了SiC半导体材料的结构类型和基本特性， 介绍了SiC 单晶材料的生长技术及器件工艺技术， 简要讨论了SiC 器件的主要应用领域和优势
2011-11-01 17:23:20
81 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC功率器件大势所趋，国际巨头竞相布局，全球领先的半导体供应商意法半导体拟通过并购整合进一步扩大SiC产业规模。日前，意法半导体宣布，公司已签署协议，收购瑞典碳化硅（SiC）晶圆制造
2019-04-06 16:41:362203 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC（碳化硅）产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化
2019-05-14 10:24:443586 2019年5月7日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。
2019-05-10 09:15:193496 Cree将投资10亿美元，扩大SiC碳化硅产能。
2019-05-13 14:57:223403 近日，科锐在官网宣布扩产计划进展，表示将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂。
2019-09-26 17:15:086099 美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科锐正在推进从硅（Si）向碳化硅（SiC）的产业转型。为了满足日益增长的对于Cree开创性Wolfspeed技术的需求
2020-09-02 14:35:242455 日本半导体制造商罗姆在ROHM Apollo Co．，Ltd．（总部位于日本福冈县）筑后工厂投建的新厂房于近日完工，并将于本月开始安装生产设备，以满足电动车等用途的碳化硅（SiC）电源控制芯片产能
2021-01-15 11:50:002203 的 3 倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制，所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC，现在 4inch～6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
2021-04-20 16:43:0957 一个特斯拉就将消耗SiC晶圆总产能这两年，由于SiC独有的优良特性，车厂陆续开始导入SiC器件，这对SiC晶圆的需求量是巨大的。Tesla第1季宣称6月底美国工厂Model 3及Model Y的年产能
2021-04-29 10:13:141205 州莫霍克谷（Mohawk Valley）的采用领先前沿技术的 SiC 制造工厂正式开业。这座 200mm 晶圆工厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。 纽约州州长 Kathy Hochul
2022-04-26 23:27:582520 
位于美国纽约州的新工厂扩大 Wolfspeed 制造产能，满足从汽车到工业等诸多应用对于 SiC 器件急剧增长的需求。
2022-04-27 15:53:49454 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）SiC供不应求，已经是行业共识。自从电动汽车兴起，特斯拉率先在电动汽车上大规模应用SiC功率器件，需求开始爆发后，产能不足成为了SiC应用扩张的最大障碍。
2022-07-13 09:35:441343 罗姆最近在日本筑后市的罗姆阿波罗工厂完成了一座新建筑。该设施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生产能力。这座创新建筑采用工厂自动化和可再生节能技术，从生态角度看待制造业 Rohm
2022-07-26 17:24:31812 
碳化硅器件正在几个大容量功率应用中取代其现有的硅对应物。随着 SiC 市场份额的持续增长，该行业正在消除大规模商业化的最后一道障碍，包括高于 Si 器件的成本、相对缺乏晶圆平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
日本筑后罗门阿波罗工厂增建了一座新厂房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生产能力。这个新工厂包括工厂自动化和可再生节能技术，以实现更绿色的制造过程。 在接受 EE Times 采访时，罗姆半导体
2022-08-04 14:50:44488 
来源：半导体芯科技编译 全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。 自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑
2022-08-25 11:14:36586 宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03:23666 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 些巨头开始斥巨资建SiC工厂。 据德国《商报》的消息，美国Wolfspeed正在萨尔州建设世界上最大的碳化硅 (SiC) 半导体工厂；该工厂计划在2027年投产；汽车零部件供应商采埃孚拥有该工厂的少数股权。此次投资或将高达20亿欧元。 消息显示Wo
2023-01-29 17:59:511927 的FBSOA。SiC可以用来制造射频和微波功率器件，各种高频整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 新增投资的主要部分，约 1000 亿日元，将用于建设新的 8 英寸 SiC 晶圆厂和增强相关生产设施。新工厂将合并熊本县酒酒井地区的自有设施，将生产大直径8英寸SiC晶圆，引入具有最先进能源效率
2023-03-17 10:09:001118 全球SiC器件产能到2027年将增长两倍，排名前五的公司是：ST、英飞凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析师预测，未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元，并可能在2030年代初达到100亿美元。
2023-03-27 11:10:00556 碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 2023年7月12日，罗姆宣布将收购原Solar Frontier国富工厂（宫崎县国富町），以扩大SiC（碳化硅）功率半导体的产能。
2023-07-13 17:42:17572 首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
一、什么是SiC半导体？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581145 
。从Wolfspeed 计划在德国建设全球最大的 SiC 工厂，到三菱计划在日本建设8 英寸 SiC 晶圆厂，这些项目不仅涉及气候变化，还涉及缓和全球紧张局势和保障芯片供应。 我们在美国政府为其国内芯片制造提供的 527 亿美元补贴计划中看到了这一点，作为其“芯
2023-10-16 18:38:22406 全球范围内扩大，同时也是推动SiC功率器件需求指数增长的几个新兴应用之一。与传统的硅功率器件相比，SiC器
2023-10-18 19:17:17368 安森美半导体已完成其在韩国富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建。该工厂将能够以峰值产能每年生产超过100万个200毫米SiC晶圆。为了支持SiC制造能力的增长，安森美美计划在未来三年内雇用
2023-10-26 17:26:58746 了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357 
在新能源产业强劲需求下，全球SiC产业步入高速成长期，推升了对SiC衬底产能的需求。
2023-12-19 10:09:18295 
iC逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。制造SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
近期，2家台湾企业正在加速推进其SiC模块工厂的建设
2024-03-18 10:52:32348 
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