全球SiC产能“战备竞赛”打响，国内扩产进度如何？

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）SiC供不应求，已经是行业共识。自从电动汽车兴起，特斯拉率先在电动汽车上大规模应用SiC功率器件，需求开始爆发后，产能不足成为了SiC应用扩张的最大障碍。

据统计，2021年全球SiC晶圆全球产能约为40-60万片，结合业内良率平均约50%估算，2021年SiC晶圆全球有效产能仅20-30万片。

与此同时，SiC需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以在旗下车型大规模采用SiC器件的特斯拉为例，2021年特斯拉电动汽车全年产量约93万辆。当然目前特斯拉车型中只在主驱逆变器电力模块上用上SiC MOSFET，但据测算，如果车用功率器件全采用SiC，单车用量将达到0.5片6寸SiC晶圆。那么如果特斯拉旗下车型的车用功率器件全部采用SiC，以其去年的产量计算，一年的6寸SiC晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球SiC衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。

当然，近年SiC衬底、器件的产能扩充项目进行得热火朝天，国内外厂商都加紧增加产能，希望能够搭上SiC产业的快车。

业界龙头Wolfspeed在今年4月启用了位于Mohawk Valley的全球最大的SiC晶圆厂，并开始投产8英寸SiC衬底。不过Wolfspeed方面表示，他们为独家工艺定制开发了相关设备，但设备交付时间较长，预计工厂要到2024年才能达到计划产量。

除此之外，今年2月，英飞凌宣布投资超过20亿欧元来增加SiC和GaN的产能，新厂区位于马来西亚居林，今年6月开工，主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，预计第一批晶圆将在2024年下半年下线。今年3月，II-VI宣布，将在伊斯顿、宾夕法尼亚州和瑞典的Kista进行扩建，并预计到2027年将达到每年100万片6英寸SiC衬底的产量。近日海外大厂安森美位于韩国富川市的SiC功率芯片工厂也正式奠基。

国内方面，今年以来有多个SiC扩产项目启动或是竣工，下面就来盘点下今年上半年国内的SiC产能扩充情况。

3月18日，山西太忻一体化经济区集中签约了多个产业园项目，其中包括原平市政府与中电科二所合作的SiC衬底产线，预计建成后年产量月15000片。

4月7日，无锡利普思透露，其位于日本的SiC模块封装代工厂已于今年正式投入运营，并成功拿到车企小批量订单。位于无锡的封装产线也将在今年7月投产，预计2024年达产，届时可以达到SiC模块年产能50万的生产能力。

4月8日，内蒙古自治区包头市九原区133个重大项目建设复工，并更新了工程进度，其中先进硅碳材料产业园预计将于今年10月交付厂房，进驻该园区的青岛瀚海半导体预计投资7亿元，厂房占地120亩，计划建设400台碳化硅长晶炉和切磨抛生产线，后期建设碳化硅外延片项目。

4月12日，中车时代半导体宣布拟投资4.62亿元进行SiC芯片产线扩产项目，建设工期为24个月。该项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片 研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸 ，将现有4英寸SiC芯片线年1万片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线2.5万片/年 。

4月26日，河北天达晶阳碳化硅晶片项目透露新消息，为进一步提高碳化硅晶片的产量，该项目将再投资7.31亿元，建设（拥有）400台套完整（设备）的碳化硅晶体生产线。届时，4-8英寸碳化硅晶片的年产能将达到12万片。据了解，天达晶阳公司投资建设碳化硅单晶体项目，分两期建设。其中，第一期为年产4英寸碳化硅晶片1.2万片，使用单晶生长炉54台。第二期年产分别为4-8英寸碳化硅晶片10.8万片，增设相应生产能力的单晶生长炉及其配套的切、磨、抛和检测设备。

4月21日，太原日报报道山西天成半导体的6英寸SiC衬底产线即将投产，预计在年内可以实现6英寸SiC衬底的产业化。据了解，山西天成半导体SiC衬底项目一期投资3000万元，半年时间完成场地建设、设备进场以及6英寸SiC晶锭的中试投产。正在筹划的二期项目将包括厂房扩建、设备扩充以及构建一条全自动线切割打磨抛光清洗加工线。项目最终将实现年产20000片6英寸导电型和半绝缘型SiC衬底的计划。

5月17日，国内唯一一家专注于车规级、具备规模化产业聚集及全产业链配套能力的碳化硅芯片制造项目，总投资75亿元的广东芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程正式封顶。据了解，项目占地150亩。一期投资35亿元，建成年产24万片6英寸碳化硅晶圆的生产线；二期建设年产24万片8英寸碳化硅晶圆的生产线，产品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件。

6月，嘉兴市人民政府公布南湖区3个项目入选2022年省重点建设和预安排项目计划，其中透露了斯达半导的SiC项目进展，新建项目部分厂房已顺利结顶，预计今年9月底基本完工。据了解，斯达半导“SiC芯片研发及产业化项目”的投资金额为5亿元，去年投入超过1675万元。该项目新增用地 279亩，新建生产厂房、研发中心等，新增建筑面积20.6万平方米，致力于开展高压特色工艺功率半导体芯片和SiC芯片的研发与产业化，达产后将形成年产72万片功率芯片的生产能力。

小结：

目前包括SiC在内的第三代半导体在国内外都受到热捧，据Yole的统计，中国大陆的半导体企业中，涉及SiC业务的有超过50家，同时SiC项目落地进展神速。随着下半年产能持续落地，国内SiC产业发展也将进入到一个新的阶段。