模拟技术
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用三极管实现一种信号的2个LED指示灯状态显示电路
三极管，对于研发电子工程师而言，是一个非常普通的电子元器件;然而是否能正确且巧妙的应用三极管，这并不是每个研发电子工程师都能很自信的给出答案;这里电路一点通通过一个实际应用...
2023-06-09 3108
T3Ster结构函数应用-双界面分离法测试RθJC(θJC)
半导体器件的结到壳之间的热阻RθJC(θJC)是衡量器件从芯片到封装表面外壳的热扩散能力的参数，是半导体器件最重要的热性能参数之一，它必须被标注到器件尤其是功率器件的产品规格书中。...
2023-06-09 2034
汽车电子系统中关于TVS二极管的应用
在汽车电子中，CAN 通讯口、电源入口，往往可能因为闪电雷击、发动机点火脉冲而遭受很高的尖峰脉冲电压，如果能量不能被吸收，高电压就可能对设备内部造成永久性损害。...
2023-06-09 145
车规级零漂移运算放大器GS8331Q1产品特性
GS8331Q1特点在于保证其他参数不变差的情况下，降低了运放芯片的最低工作电压，产品最低工作电压可以从之前的2.5V降到1.8V，提高整机的待机时间。...
2023-06-09 430
三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型工业设备。样品于5月31日开始...
2023-06-09 383
晶体管S参数重要性 晶体管有哪些重要指标
微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。...
2023-06-09 1908
TVS二极管保护电路原理和PCB布局技巧
对于工程师来说，浪涌保护不仅仅是选择合适的电源板或者拔下几根电缆，主要涉及在 PCB 布局中放置瞬态保护组件并应用明确的接地策略 。...
2023-06-09 3003
射频电路layout总结
射频电路板设计由于在理论上还有很多不确定性，因此常被形容为一种“黑色艺术”，但这个观点只有部分正确，RF电路板设计也有许多可以遵循的准则和不应该被忽视的法则。...
2023-06-09 280
如何看待中国前五个月芯片进口下降20%？
根据官方海关数据，中国的芯片进口在 2023 年前五个月下降了近 20%，原因是在地缘政治摩擦愈演愈烈的情况下，中国与韩国和日本的贸易萎缩。...
2023-06-09 1293
晶体管三种基本接法比较
在电子电路中，放大的对象是变化量，放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对直流电源的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源...
2023-06-09 610
了解IGBT模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压...
2023-06-09 640
新硅聚合实现6英寸光学级硅基高均匀性铌酸锂薄膜的工程化制备
上海微系统所异质集成XOI课题组孵化的上海新硅聚合半导体有限公司（简称：新硅聚合）近期实现了6英寸的光学级硅基高均匀性铌酸锂薄膜（LNOI）的工程化制备。...
2023-06-09 1014
基于InGaAs/InP低噪声GHz单光子探测器研究
近年来， InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）体积小、功耗低、响应速度快，被广泛应用于近红外单光子检测。...
2023-06-09 419
MOS开关管的选择及原理应用
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要...
2023-06-09 550
电源系统开关控制器的MOSFET选择
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平...
2023-06-09 312
运算放大器LM741内部电路详解+工作原理+功能参数
LM741 运算放大器是一种直流耦合高增益电子电压放大器， 是最常用的运算放大器集成电路之一，可以同时执行数字运算和放大功能。...
2023-06-09 11910
瞬态按捺二极管的工作原理
瞬态按捺二极管（瞬态电压按捺器）(TVS)的作业原理与(压二极管又名齐纳二极管）稳压二极管相同，但构造上有差别。其最大的差别是通常稳压二极管构成的PN结面积很小，它能接受的反向电流...
2023-06-09 196
晶振不起振的原因有哪些？
晶片的化学成分为二氧化硅，与玻璃相同，属于清脆易碎品，在承受较大冲撞、跌落、强震动、温度环境极速变化等外力作用的情况下有可能产生破裂、破碎等现象。...
2023-06-08 841
模拟电子技术基础知识总结 模电经典电路与电路原理基础知识
01基尔霍夫定理的内容是什么？ 基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。 基尔霍夫电压定律：在电路中的任一闭合电路，电压的代数和为零。 02戴维南...
2023-06-08 3451
什么是氮化镓半导体 氮化镓半导体在产品上的具体应用
氮化镓元件一个很大的优势在于它极快的开关速度，它的栅极电容和输出电容比硅基MOSFET小的多，同时由于没有体二极管pn结，因此在硬开关中，没有相关的反向恢复电荷。...
2023-06-08 468
传统Boost PFC和无桥PFC的工作原理及状态
由于无桥PFC拓扑主要为提高效率（省掉了整流桥及其损耗），但相对传统Boost PFC，在成本（所用MOS管和快速二极管多一倍）、控制（相对复杂）和EMC方面（EMI和surge需要额外处理才能满足要求）...
2023-06-08 1271
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