企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

FDS6673BZ-NL-VB-SOP8封装P沟道MOSFET

型号: FDS6673BZ-NL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 P沟道
  • 额定电压(VDS) 30V
  • 额定电流(ID) 11A
  • RDS(ON) 11mΩ@10V, 15mΩ@4.5V
  • 阈值电压(Vth) 1.5V
  • 封装类型 SOP8

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号  FDS6673BZNL丝印  VBA2309品牌  VBsemi参数说明  MOSFET类型  P沟道 额定电压(VDS)  30V  额定电流(ID)  11A  开通电阻(RDS(ON))  11mΩ@10V, 15mΩ@4.5V  阈值电压(Vth)  1.5V  封装类型  SOP8应用简介 这款FDS6673BZNL MOSFET是一款P沟道MOSFET,适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力,适用于中高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块  电源管理模块 适用于高功率开关电源、DCDC变换器、逆变器等高功率电源模块。 电机控制模块 适用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等高功率电机控制模块。 汽车电子模块 适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等高功率汽车电子模块。 工业电源模块 适用于高功率工业设备中的功率开关和控制模块。总之,FDS6673BZNL MOSFET适用于需要高功率P沟道MOSFET进行中高功率开关和功率转换的各种应用场景。
 

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    122浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量