--- 产品参数 ---
- 频道类型 2个P沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 7A RDS(ON) 35mΩ @ 10V, 48
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 1.5V
- 封装类型 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SI4953DYT1E3丝印 VBA4338品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.5V 封装类型 SOP8应用简介 SI4953DYT1E3(丝印 VBA4338)是VBsemi公司生产的一款双P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 SI4953DYT1E3是一款具有高压、大电流承载能力的双P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为30V,额定电流为7A,RDS(ON)为35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.5V,封装类型为SOP8。应用领域 SI4953DYT1E3(VBA4338)适用于多种领域和应用场景,特别适用于需要双P沟道功率MOSFET的高压、大电流电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 SI4953DYT1E3可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2. 汽车电子系统 它适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高电流和高功率的要求。3. 工控系统和通信设备 SI4953DYT1E3适用于工控系统和通信设备中的电源管理和电流控制,提供稳定的功耗控制和电流输出。综上所述,SI4953DYT1E3(VBA4338)是一款双P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、汽车电子系统、工控系统和通信设备等领域模块。它具有高压、大电流承载能力,适用于需要高功率和高效能的电路。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12