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通常需要在芯片内配置大容量的SRAM来减少片外DRAM的访存需求，如何组织SRAM，并且配合上述计算流程，也是一个重要的设计内容。...
本文分析了NOR Flash的技术体系，结构特点，并对实现数据存储的基本原理以及发展趋势进行介绍。...
数据存储技术的发展，可以说是一段漫长而又充满神奇色彩的历程，承载着人类智慧与技术创新。从最早的打孔卡开始，它逐渐经历了磁存储、硬盘、闪存，以及现在的云存储；这一路的发展不仅见证了数据存储技术的飞速进步，也反映了人类对信息记载与保存的不断追求。...
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面从而确保内存稳定，另外，DDR4内存的金手指设计也有明显变化，金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近...
典型的SoC存储体系包括处理器内部的寄存器、高速缓存（Cache）、片内ROM、片外主存。其中，内部寄存器通常由十几个到几十个构成，用于缓存程序运行时频繁使用的数据（局部变量、函数参数等）。...
在SoC中，存储器是决定性能的另一个重要因素。不同的SoC设计中，根据实际需要采用不同的存储器类型和大小。...
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM则是非易失性存储器， ROM可分为EEPROM(Electrically Erasable...
以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。...
在全默认设置的情况下，影驰HOF OC Lab幻迹S DDR5 8000内存的工作速率为DDR5 4800，延迟设定为40-40-40-76，因此在这个设置下它的内存性能并不突出，与普通的DDR5 4800内存相当。...
PCIe 4.0 SSD初期就面临严重的发热问题，但至少被动散热片都可以搞定。PCIe 5.0 SSD更是直接飞起，首批产品几乎清一色都用上了主动风扇，性能也无法满血。...
为了提升SSD的性能，HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了独立缓存设计。本次测试的2TB产品配备了多达4GB独立缓存（编号为H9HCNNNCPUML XRNEE的SK海力士LPDDR4内存颗粒 ），用于存放记录数据位置的FTL映射表。SSD的读写操作都需要查询这张记录表，要...
近日，长江存储旗下的致态即将发布新款SATA SSD产品SC001 XT，外观尺寸为2.5寸，目前提供容量为500G/1TB，未来还会发布250GB/2TB的版本。...
在删除和重新加载块后，可能会在用户存储器(装入和工作存储器)中产生间隔，从而减少可使用的存储器区域。使用压缩功能，可将现有块在用户存储器中无间隔地重新排列，并创建连续的空闲存储 空间。...
NAND Flash 和NOR Flash 的差别在哪儿呢？从字面意思上看， NAND = not AND(与非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同为非挥发存储器，NOR 与NAND 存储逻辑的差异导致二者的应用场景有很大不同。NOR 的优势在于随机读取与擦写...
光盘的材质是有铝夹层的塑料，在上面烧洞就形成了数据，读取时利用光在铝层上的镜面反射，有洞的地方光不能被反射('0')，没有洞的地方光被反射('1')...
NAND FLASH是一种非易失性随机访问存储介质， 基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷，电荷被储 存在浮栅中，在无电源供应的情况下数据仍然可以保持。相对于HDD,具有读写速度快、访问时延低等特点。...
FIFO缓存是介于两个子系统之间的弹性存储器，其概念图如图1所示。它有两个控制信号，wr和rd，用于读操作和写操作...
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