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瞬态按捺二极管（瞬态电压按捺器）(TVS)的作业原理与(压二极管又名齐纳二极管）稳压二极管相同，但构造上有差别。其最大的差别是通常稳压二极管构成的PN结面积很小，它能接受的反向电流(反向电流是指二极管在规则的温度和最高反向电压效果下，（电路一点通）流过二极管的反向电流)较小。...
晶片的化学成分为二氧化硅，与玻璃相同，属于清脆易碎品，在承受较大冲撞、跌落、强震动、温度环境极速变化等外力作用的情况下有可能产生破裂、破碎等现象。...
01基尔霍夫定理的内容是什么？ 基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。 基尔霍夫电压定律：在电路中的任一闭合电路，电压的代数和为零。 02戴维南定理 一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路 ，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。 其理想电压...
氮化镓元件一个很大的优势在于它极快的开关速度，它的栅极电容和输出电容比硅基MOSFET小的多，同时由于没有体二极管pn结，因此在硬开关中，没有相关的反向恢复电荷。...
其输出的效果图如上图所示，可能细心的人会发现，当输入信号的高电平低于电源电压时，这意味着上N管的CE节将会承受较高的电压。这也就意味着上管将有着发热坏的风险。...
引言：MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的缩写，具有高速和低损耗的特性，广泛应用于各种领域。和普通的阻容一样，MOS也有其寄生模型，了解其等效寄生模型有助于我们在高速应用中快速掌握其特性。...
IGBT作为大功率电力电子器件广泛应用于各种工业设备中。为了满足安全要求，这些设备在电气设计和生产过程中要遵循相应的规范。...
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。...
半导体工艺的发展历程几乎与现代电子工业的发展历程一致。早在20世纪40年代，贝尔实验室的研究人员发明了第一个点接触式晶体二极管，标志着半导体技术的诞生。...
场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。...
随着高速动车组列车、电动汽车及其充电桩、5G 通信设备、交直流混合配电网、柔性直流输电、新能源发电装置等这些新兴科技的迅猛发展...
从直流分析，我们看到差动放大电路可视为两个完全相同的共射极放大电路以对称形式构成。这种特殊的结构如何抑制零点漂移呢？与它的对称结构有关，请看：...
由于温度变化而引起的电压漂移是零点漂移的主要成分，用热敏元件进行温度补偿不失为一种解决温漂的好办法。受补偿思想启发，用2只型号和特性都相同的晶体管来进行补偿，也收到了较好的抑制零点漂移的效果，这就是差动放大电路（也称差分放大电路）。...
在多级放大电路，尤其是直接耦合多级放大电路中，当放大电路输入信号为零（即没有交流输入）时，由于受温度变化、电源电压不稳、元件参数变化等因素的影响，使静态工作点发生变化，并被逐级放大和传输，导致电路输出端电压偏离原固定值而上下漂动的现象。...
MOS类型高低边开关固有其优势，比如压降小，损耗低，控制简易，使用场景也比BJT类型的高低边开关广泛...
受限于MOS管的驱动阈值，在许多的应用场景中无法直接使用MCU或者SOC的GPIO电平驱动MOS的导通与关断，此时需要在MOS的G极处增加一个栅极驱动电路，实现GPIO电平可以驱动MOS。...
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