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采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
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单相可控硅的结构比较简单。它主要由PN结和操控结构组成。PN结为正向导通,在正半周的情况下,直流主路通过PN结,实现对负载电流的控制。操控结构通常由火焰...
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PN结发生齐纳击穿是一种特殊的物理现象,它在特定的条件下发生,允许电流在低于雪崩击穿电压的情况下流过PN结。
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电力二极管与普通二极管的内部结构存在较大的区别,主要体现在以下两个方面: 管芯尺寸和结构:相比普通二极管,电力二极管的管芯尺寸更大,结构更为复...
晶体管是由 两个PN结构成 的。具体来说,晶体管内部包含三个区域:发射区、基区和集电区,这三个区域通过不同的掺杂方式在同一个硅片上制造而成,并形成了两个...
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