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mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
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IGBT与MOS管的区别,IGBT与可控硅的区别,IGBT驱动电路设计
多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流...
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高。
MOS管构成的缓冲器Buffer和漏极开路门OD门的详细概述
MOS管构成的缓冲器Buffer和漏极开路们OD门是数字电路非常重要的概念,怎么构成的; 反相器,线与逻辑怎么玩,又怎么用呢? 根据原理图,真值表,...
VCC和GND的电路图是什么电路图?在什么书上能学到这种基础?
在这里代表3.3V的VCC看似没有作用,但如果在同一张原理图中再次出现了VCC时,比如单片机上,我们就知道这个VCC代表3.3V,而且在将原理图转换成电...
MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFE...
靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应...
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