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mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

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mos管技术

可控硅和mos管的区别是什么

可控硅和MOS管是电子器件中常见的两种器件。它们在功能、工作原理和应用方面存在着一些显著的差异。下面将详尽、详实、细致地进行解释。一、功能差异：可控...

2023-12-26 标签：可控硅 MOS管引脚 1.1万 0

浅谈MOS管的输出特性曲线

恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流Id基本不随Uds变化，Id的大小主要决定于电压Ugs，所以叫做恒流区，也叫饱和区。当MOS用来做放大电路时，就是工...

2022-09-29 标签：三极管 MOSFET MOS管 1.1万 0

关于各种恒流IC的解决方案

方案名称：景观灯共阳极恒流IC，投光灯恒流IC，泛光灯恒流IC，2.4GLED控制方案触摸RGBW调光恒流IC，共阳极洗墙灯恒流IC，低电压电源灯具恒流...

2018-05-08 标签：led mos管 pwm 1.1万 0

想要全面了解要MOS管看这个就够了（下）

二、灌流电路 1、MOS管作为开关管应用的特殊驱动电路；灌流电路MOS管和普通晶体三极管相比，有诸多的优点，但是在作为大功率开关管应用时，由于MOS管...

2021-03-25 标签：三极管开关电源电路 MOS管 1.1万 0

MOS管的种类及结构

MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。

2022-07-15 标签：二极管半导体 MOS管 1.1万 0

MOS管为什么会被静电击穿？

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高...

2016-04-06 标签：MOS管敏感器件 ESD管 1.1万 0

MOS管和三极管的区别

　　MOS管和三极管的区别，很多伙伴都知道，MOS管属于电压驱动，三极管属于电流驱动。

2022-11-23 标签：三极管半导体 MOS管 1.1万 0

MOSFET开关损耗的计算方法

MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。

2023-03-26 标签：电源 MOSFET 电容 1.1万 0

一文详解源跟随器

在共源放大器和源跟随器中，输入信号都是加在MOS管的栅极。我们也可以把输入信号加在MOS管的源端。共漏级在源端接受输入，在漏端产生输出。栅极接一个直流电...

2023-04-26 标签：放大器 MOS管小信号 1.1万 0

使用MOS管的注意事项

MOSMOS管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOSMOS管放入...

2019-07-08 标签：二极管元器件 MOS管 1.1万 0

分别说说VMOSFET的VVMOS和VDMOS两种结构

MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培，漏源电压可以达到100V以上，但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点，使得MOSFET在功率上有很...

2022-11-03 标签：MOSFET MOS管晶体硅 1.1万 0

基本场效应管电路详解

电流镜的作用是无论外输入电压遇到波动还是大范围变化，电流镜的输出电流总保持不变。Q1和Q2均工作在饱和区，且具有相等的栅源电压的相同晶体管传输相同电流，...

2022-07-18 标签：放大器放大电路场效应管 1.1万 0

对MOS失效的原因总结以下六点

到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式...

2017-09-18 标签：汽车电子 mos管雪崩失效 1.1万 0

IGBT基础知识、参数特性、驱动电路总结

IGBT——绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，顾名思义，是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 ...

2022-12-22 标签：MOS管 IGBT 晶体管 1.1万 0

介绍MOSFET动态性能相关的参数

栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量，有时也称为总栅极电荷。总栅极电荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd ...

2023-05-29 标签：MOSFET 示波器 MOS管 1.1万 0

氮化镓功率器件的工艺技术说明

氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构

2023-09-19 标签：MOSFET MOS管氮化镓 1.1万 0

RCD吸收电路EMI影响与参数调整影响分析

当开关管导通时，能量存储在初级绕组的电感与漏感中，变压器初级绕组电压为上正下负，RCD吸收二极管阳极近似接地，RCD吸收二管反向截止。

2024-01-08 标签：变压器 RCD吸收电路二极管 1.1万 0

MOS管的温度多少合适

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。其工作环境温度范围通常在-40℃至85℃之间，这是大多数标准M...

2024-10-11 标签：半导体 MOS管晶体管 1.1万 0

用作电子开关的三极管和MOS管

因为NPN型的三极管在共发射极电路中使用时，其C极要求接的是电源的正端，E极要求接的是电源的负端，B极要求在正向偏压时管子才工作，所以在PC电源中，开关...

2023-01-06 标签：三极管 MOS管电子开关 1.1万 0

我常用的分析方法——输入输出阻抗，是怎么玩的？你会不？

这篇文章并非是现在写的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享给兄弟们。输入阻抗，输出阻抗，这两个参数似乎没那么重要，但事实并非如此。下面...

2024-07-18 标签：芯片 MOS管寄生电容 1.1万 0

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